[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201880087698.1
• 申請日: 2018-12-21
• 公開（公告）號: CN111656540B
• 公開（公告）日: 2023-06-13
• 發明（設計）人: 黑羽淳史
• 申請（專利權）人: 青井電子株式會社
• 主分類號: H01L31/12
• 分類號: H01L31/12
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 丁文蘊;杜嘉璐

半導體裝置具有在預定的區域形成有孔的受光元件、設置于受光元件的孔內的發光元件以及覆蓋受光元件的周緣部的第一樹脂，受光元件的表面與發光元件的表面實質上位于同一平面上。

技術領域

本發明涉及半導體裝置。

背景技術

一直以來，使用于光學式編碼器等中的受發光元件采用在設置受光元件的芯片上搭載發光元件的結構。受發光元件在配置于受發光單元的外部的被測量體上反射來自發光元件的光，通過在受光元件中接收該反射光而傳遞信號。該結構由于是在受光元件上層疊發光元件的結構，因此受發光元件的厚度變厚。在受發光元件的內部具有反射面類型的光耦合器中，已知在受光元件的大致中央部設置發光元件收納孔并在該發光元件收納孔內配置發光元件的結構。在該結構中，在發光元件收納孔的周側面設置反射層，在反射層中反射來自發光元件的光。根據該結構，由于發光元件配置于設置于受光元件上的發光元件收納孔內，因此能夠使受發光元件的厚度變薄(例如參照專利文獻1)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本國實開昭58-148954號公報

發明內容

發明所要解決的課題

在上述專利文獻1中記載的受發光單元中，由于在設置于發光元件收納孔的周側面的發射層中反射發光元件的光，因此需要使受光元件的厚度比發光元件的厚度厚，換而言之，將發光元件的發光面配置于比受光元件的受光面高的位置，提高反射率。即，受光元件的受光面與發光元件的發光面的高度方向的位置不同。因此，從受光元件的受光面至被測量體的距離與從發光元件的發光面至被測量體的距離不同，會出現不能得到高檢測靈敏度的問題。

用于解決課題的方案

根據第一方案，半導體裝置具有在預定的區域形成孔的受光元件、設置于上述受光元件的上述孔內的發光元件以及覆蓋上述受光元件的周緣部的第一樹脂，上述受光元件的表面與上述發光元件的表面實質上位于同一平面上。

根據第二方案，在第一方案的半導體裝置中，還具備保持上述發光元件的基板、從上述基板分離而形成的引線端子、連接上述引線端子和上述受光元件連接的第一金屬絲，上述第一樹脂優選密封上述基板的周緣部、上述引線端子的一部分以及上述第一金屬絲。

根據第三方案，在第二方案的半導體裝置中，上述基板優選具有設置上述發光元件的發光元件收納部，在上述受光元件的上述孔內配置上述發光元件收納部。

根據第四方案，在第三方案的半導體裝置中，上述受光元件具有第一受光部和第二受光部、連接上述第一受光部和上述第二受光部并比上述第一受光部以及上述第二受光部薄壁的連接部，上述受光元件的上述孔優選形成于上述連接部。

根據第五方案，在第四方案的半導體裝置中，上述基板優選具有收納上述受光元件的上述連接部的凹部，向收納了上述受光元件的上述凹部內填充第二樹脂。

根據第六方案，在第五方案的半導體裝置中，優選還向上述基板與上述受光元件之間的縫隙內填充上述第二樹脂。

根據第七方案，在第一方案的半導體裝置中，優選具有設置于受光元件的周圍的引線端子、連接上述引線端子和上述發光元件的第一金屬絲、連接上述發光元件和上述受光元件的第二金屬絲、密封上述受光元件、上述發光元件、上述引線端子的一部分以及上述第一金屬絲的第二樹脂。

根據第八方案，在第一方案的半導體裝置中，還具備保持上述受光元件以及上述發光元件的基板、從上述基板分離而形成的引線端子、連接上述引線端子和上述受光元件的第一金屬絲、連接上述發光元件和上述受光元件的第二金屬絲，上述第一樹脂優選密封上述引線端子的一部分以及上述第一金屬絲。

根據第九方案，在第一至第八任一方案的半導體裝置中，上述受光元件的表面與上述發光元件的表面的高度差優選為10μm以內。