[發(fā)明專(zhuān)利]電子設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880087504.8
• 申請(qǐng)日: 2018-12-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111656511A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-09-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高瀨雅之;磯野俊介;留河優(yōu)子
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 松下知識(shí)產(chǎn)權(quán)經(jīng)營(yíng)株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/822
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/822;H01L21/8234;H01L27/04;H01L27/06;H01L27/088;H01L27/146;H04N5/369
• 代理公司: 永新專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 高迪

本公開(kāi)的一個(gè)方式所涉及的電子設(shè)備具備：電容元件、絕緣層、被設(shè)置于所述絕緣層的至少1個(gè)溝槽、以及至少一部分被所述絕緣層包圍的第1導(dǎo)電插塞。所述電容元件包含：第1下部電極，沿著所述至少1個(gè)溝槽的內(nèi)壁設(shè)置；介電體層，被設(shè)置在所述第1下部電極上；以及上部電極，被設(shè)置在所述介電體層上。所述第1導(dǎo)電插塞的至少一部分位于所述絕緣層的上表面與所述至少1個(gè)溝槽的最下部之間。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)涉及電子設(shè)備。

背景技術(shù)

在專(zhuān)利文獻(xiàn)1中公開(kāi)了一種攝像裝置，通過(guò)在像素部設(shè)置電容元件，能夠進(jìn)行高動(dòng)態(tài)范圍攝影。

在先技術(shù)文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2016－76921號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的課題

在專(zhuān)利文獻(xiàn)1所記載的攝像裝置中，電容元件的電容越大，則能夠?qū)崿F(xiàn)越高的動(dòng)態(tài)范圍。像這樣，在具備電容元件的電子設(shè)備中，期待電容進(jìn)一步增大。為了使電容元件的電容增大，例如增大電極的面積即可。但是，由于電極的面積增大，存在電子設(shè)備大型化的問(wèn)題。

于是，本公開(kāi)提供具備大電容的電容元件的小型的電子設(shè)備。

用于解決課題的手段

本公開(kāi)的非限定性的例示的一個(gè)方式所涉及的電子設(shè)備具備：電容元件、絕緣層、被設(shè)置于所述絕緣層的至少1個(gè)溝槽、以及至少一部分被所述絕緣層包圍的第1導(dǎo)電插塞。所述電容元件包含：第1下部電極，沿著所述至少1個(gè)溝槽的內(nèi)壁設(shè)置；介電體層，被設(shè)置在所述第1下部電極上；以及上部電極，被設(shè)置在所述介電體層上。所述第1導(dǎo)電插塞的至少一部分位于所述絕緣層的上表面與所述至少1個(gè)溝槽的最下部之間。

發(fā)明效果

根據(jù)本公開(kāi)，能夠提供具備大電容的電容元件的小型的電子設(shè)備。

附圖說(shuō)明

圖1是實(shí)施方式1所涉及的電子設(shè)備所具備的電容元件及其附近的截面圖。

圖2是實(shí)施方式1的變形例所涉及的電子設(shè)備所具備的電容元件及其附近的截面圖。

圖3是實(shí)施方式2所涉及的電子設(shè)備所具備的電容元件及其附近的截面圖。

圖4A是在實(shí)施方式2所涉及的電子設(shè)備的制造方法中，用于說(shuō)明在絕緣膜中形成導(dǎo)電插塞的工序的截面圖。

圖4B是在實(shí)施方式2所涉及的電子設(shè)備的制造方法中，用于說(shuō)明形成覆蓋導(dǎo)電插塞的絕緣膜的工序的截面圖。

圖4C是在實(shí)施方式2所涉及的電子設(shè)備的制造方法中，用于說(shuō)明形成針對(duì)導(dǎo)電插塞的接觸孔的工序的截面圖。

圖4D是在實(shí)施方式2所涉及的電子設(shè)備的制造方法中，用于說(shuō)明形成第2下部電極用的導(dǎo)電膜及金屬掩模用的導(dǎo)電膜的工序的截面圖。

圖4E是在實(shí)施方式2所涉及的電子設(shè)備的制造方法中，用于說(shuō)明形成溝槽的工序的截面圖。

圖4F是在實(shí)施方式2所涉及的電子設(shè)備的制造方法中，用于說(shuō)明形成第1下部電極用的導(dǎo)電膜的工序的截面圖。

圖4G是在實(shí)施方式2所涉及的電子設(shè)備的制造方法中，用于說(shuō)明對(duì)導(dǎo)電膜進(jìn)行構(gòu)圖的工序的截面圖。

圖4H是在實(shí)施方式2所涉及的電子設(shè)備的制造方法中，用于說(shuō)明形成介電體膜及金屬掩模用的導(dǎo)電膜的工序的截面圖。

圖4I是在實(shí)施方式2所涉及的電子設(shè)備的制造方法中，用于說(shuō)明對(duì)介電體膜及導(dǎo)電膜進(jìn)行構(gòu)圖的工序的截面圖。