[發(fā)明專(zhuān)利]電子設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880087504.8
• 申請(qǐng)日: 2018-12-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111656511A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-09-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高瀨雅之;磯野俊介;留河優(yōu)子
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 松下知識(shí)產(chǎn)權(quán)經(jīng)營(yíng)株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/822
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/822;H01L21/8234;H01L27/04;H01L27/06;H01L27/088;H01L27/146;H04N5/369
• 代理公司: 永新專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 高迪

1.一種電子設(shè)備，具備：

電容元件；

絕緣層；

至少1個(gè)溝槽，被設(shè)置在所述絕緣層；以及

第1導(dǎo)電插塞，至少一部分被所述絕緣層包圍，

所述電容元件包含：

第1下部電極，沿著所述至少1個(gè)溝槽的內(nèi)壁設(shè)置；

介電體層，被設(shè)置在所述第1下部電極上；以及

上部電極，被設(shè)置在所述介電體層上，

所述第1導(dǎo)電插塞的至少一部分位于所述絕緣層的上表面與所述至少1個(gè)溝槽的最下部之間。

2.如權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，

所述至少1個(gè)溝槽包含多個(gè)溝槽，

所述第1下部電極沿著所述多個(gè)溝槽各自的內(nèi)壁和所述絕緣層的所述上表面設(shè)置。

3.如權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，

所述電容元件還包含被設(shè)置在所述絕緣層的所述上表面與所述第1下部電極之間的第2下部電極，

在所述第2下部電極，設(shè)置了使所述至少1個(gè)溝槽的上部開(kāi)口的開(kāi)口部，

所述第1下部電極將所述至少1個(gè)溝槽的所述內(nèi)壁和所述第2下部電極連續(xù)地覆蓋。

4.如權(quán)利要求3所述的電子設(shè)備，

所述第2下部電極的至少一部分在平面視下與所述第1導(dǎo)電插塞重疊，

所述第1導(dǎo)電插塞與所述第2下部電極連接。

5.如權(quán)利要求4所述的電子設(shè)備，還具備：

光電轉(zhuǎn)換部，將入射的光轉(zhuǎn)換為電荷；以及

擴(kuò)散區(qū)域，積蓄所述電荷，

所述第2下部電極經(jīng)由所述第1導(dǎo)電插塞與所述擴(kuò)散區(qū)域連接。

6.如權(quán)利要求5所述的電子設(shè)備，還具備：

像素電極，與所述光電轉(zhuǎn)換部連接；

第2導(dǎo)電插塞，在平面視下與所述像素電極重疊，且與所述像素電極連接；以及

導(dǎo)電層，將所述第2導(dǎo)電插塞與所述第1導(dǎo)電插塞連接，

所述光電轉(zhuǎn)換部位于所述電容元件的上方。

7.如權(quán)利要求6所述的電子設(shè)備，

所述導(dǎo)電層的至少一部分位于所述至少1個(gè)溝槽的所述最下部與所述第2下部電極之間。

8.如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的電子設(shè)備，還具備：

半導(dǎo)體基板；以及

多層布線層，被設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板的上方，包含多個(gè)絕緣層及多個(gè)布線層，

所述多個(gè)絕緣層包含所述絕緣層，

所述多個(gè)布線層包含被設(shè)置在所述絕緣層的所述上表面與所述半導(dǎo)體基板之間的第1布線層。

9.如權(quán)利要求8所述的電子設(shè)備，

所述電子設(shè)備是具備像素區(qū)域和周邊電路的攝像裝置，所述像素區(qū)域包含被排列配置的多個(gè)像素，所述周邊電路用于驅(qū)動(dòng)所述多個(gè)像素，

所述第1布線層包含與所述多個(gè)像素之中的2個(gè)以上的像素連接而且延伸到所述像素區(qū)域之外的第1信號(hào)線的一部分。

10.如權(quán)利要求9所述的電子設(shè)備，

所述多個(gè)布線層還包含被設(shè)置在所述第1布線層與所述半導(dǎo)體基板之間的第2布線層，

所述第2布線層包含與所述多個(gè)像素之中的2個(gè)以上的像素連接而且延伸到所述像素區(qū)域之外的第2信號(hào)線的一部分。

11.如權(quán)利要求8至10中任一項(xiàng)所述的電子設(shè)備，

所述第1布線層被設(shè)置在所述至少1個(gè)溝槽的所述最下部與所述半導(dǎo)體基板之間。