[發明專利]半導體裝置、及半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201880087178.0
• 申請日: 2018-11-27
• 公開（公告）號: CN111630645B
• 公開（公告）日: 2023-10-17
• 發明（設計）人: 高木慎一郎;米田康人;村松雅治;井上直;山本宙和;中田慎一;小山卓雄
• 申請（專利權）人: 浜松光子學株式會社
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/29;H01L23/31;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18;H01L27/146
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 楊琦;黃浩

本發明提供一種半導體裝置，其具備：支承體，其具有安裝區域；半導體芯片，其經由規定距離配置于安裝區域上；凸塊，其配置于支承體與半導體芯片之間；壁部，其以沿半導體芯片的外緣的一部分的方式配置于支承體與半導體芯片之間；及底部填充樹脂層，其配置于支承體與半導體芯片之間；底部填充樹脂層覆蓋壁部的外側的側面。

技術領域

本發明關于一種半導體裝置、及半導體裝置的制造方法。

背景技術

作為在第一半導體芯片的安裝區域安裝有第二半導體芯片的半導體裝置，已知在通過凸塊接合的第一半導體芯片與第二半導體芯片之間配置有底部填充樹脂層的裝置。制造此種半導體裝置時，有時為了在第一半導體芯片與第二半導體芯片之間確實地配置底部填充樹脂層，使用真空填充法(例如，參考專利文獻1)。

真空填充法中，在真空環境中，以沿第二半導體芯片的外緣的方式在第一半導體芯片的安裝區域以環狀配置底部填充樹脂劑，在第一半導體芯片與第二半導體芯片之間形成密閉空間。其后，通過向大氣壓環境釋放，向對應于該密閉空間的區域填充底部填充樹脂劑，通過使底部填充樹脂劑固化，在第一半導體芯片與第二半導體芯片之間形成底部填充樹脂層。

[現有技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開平8-264587號公報

發明內容

[發明所要解決的問題]

然而，制造如上述的半導體裝置時，在為了確實地配置底部填充樹脂層而使用真空填充法的情形時，有阻礙裝置尺寸的小型化的擔憂。其理由為由于為了以沿第二半導體芯片的外緣的方式在第一半導體芯片的安裝區域以環狀配置底部填充樹脂劑，需沿第二半導體芯片的外緣的所有部分擴寬第一半導體芯片的安裝區域。

本發明的目的在于提供一種謀求可靠性的提高及小型化的半導體裝置、以及此種半導體裝置的制造方法。

[解決問題的技術手段]

本發明的一側面的半導體裝置具備：支承體，其具有安裝區域；半導體芯片，其經由規定距離配置于安裝區域上；凸塊，其配置于支承體與半導體芯片之間；壁部，其以沿半導體芯片的外緣的一部分的方式配置于支承體與半導體芯片之間；及底部填充樹脂層，其配置于支承體與半導體芯片之間。底部填充樹脂層覆蓋壁部的外側的側面。

該半導體裝置中，例如于制造時使用真空填充法的情形時，能夠通過以沿半導體芯片的外緣的一部分的方式配置的壁部、及以沿半導體芯片的外緣中除該一部分以外的其他部分的方式配置的底部填充樹脂劑，在支承體與半導體芯片之間形成密閉空間。由此，無需沿半導體芯片的外緣的一部分擴寬支承體的安裝區域。因此，該半導體裝置中，可實現底部填充樹脂層的確實的配置、及裝置尺寸的小型化。進而，該半導體裝置中，由于底部填充樹脂層覆蓋壁部的外側的側面，故而可實現壁部的劣化的抑制、及支承體與半導體芯片的接合強度的提高。通過以上，根據該半導體裝置，可謀求可靠性的提高及小型化。

本發明的一側面的半導體裝置中，底部填充樹脂層可覆蓋壁部的外側的側面的整體。根據該構成，可更加確實地實現壁部的劣化的抑制、及支承體與半導體芯片的接合強度的提高。

本發明的一側面的半導體裝置中，壁部的材料可與凸塊的材料相同。根據該構成，可抑制由凸塊與壁部之間的熱膨脹系數的差所導致的破損等。另外，凸塊及壁部的形成較容易。

本發明的一側面的半導體裝置中，在自支承體與半導體芯片相對的方向觀察的情形時，壁部的外側的側面可較半導體芯片的外緣的一部分更位于內側。根據該構成，由于以壁部的外側的側面為底面的槽以沿半導體芯片的外緣的一部分的方式形成，故而底部填充樹脂層中覆蓋壁部的外側的側面的部分穩定，同時有助于小型化的該部分的突出量更小。