[發明專利]半導體裝置、及半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201880087178.0
• 申請日: 2018-11-27
• 公開（公告）號: CN111630645B
• 公開（公告）日: 2023-10-17
• 發明（設計）人: 高木慎一郎;米田康人;村松雅治;井上直;山本宙和;中田慎一;小山卓雄
• 申請（專利權）人: 浜松光子學株式會社
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/29;H01L23/31;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18;H01L27/146
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 楊琦;黃浩

1.一種半導體裝置，其中，

具備：支承體，其具有安裝區域；

半導體芯片，其經由規定距離配置于所述安裝區域上；

凸塊，其配置于所述支承體與所述半導體芯片之間；

壁部，其以沿所述半導體芯片的外緣的一部分的方式配置于所述支承體與所述半導體芯片之間；及

底部填充樹脂層，其配置于所述支承體與所述半導體芯片之間，

所述底部填充樹脂層覆蓋所述壁部的外側的側面。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述底部填充樹脂層覆蓋所述壁部的所述外側的側面的整體。

3.如權利要求1或2所述的半導體裝置，其中，

所述壁部的材料與所述凸塊的材料相同。

4.如權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置，其中，

在自所述支承體與所述半導體芯片相對的方向觀察的情況下，所述壁部的所述外側的側面較所述半導體芯片的所述外緣的所述一部分更位于內側。

5.如權利要求1至4中任一項所述的半導體裝置，其中，

所述底部填充樹脂層包括：

第一填角部，其以沿所述半導體芯片的所述外緣的所述一部分的方式在該一部分的外側配置于所述安裝區域；及

第二填角部，其以沿所述半導體芯片的所述外緣中除所述一部分以外的其他部分的方式在該其他部分的外側配置于所述安裝區域，

所述第一填角部的寬度小于所述第二填角部的寬度。

6.如權利要求5所述的半導體裝置，其中，

所述第一填角部及所述第二填角部到達所述半導體芯片的側面。

7.如權利要求1至6中任一項所述的半導體裝置，其中，

所述支承體進一步具有與所述安裝區域相鄰的受光區域，

所述半導體芯片的所述外緣的所述一部分為所述半導體芯片的所述外緣中以沿所述受光區域的方式延伸的部分。

8.如權利要求1至6中任一項所述的半導體裝置，其中，

在所述安裝區域進一步具備與所述半導體芯片相鄰的另外的半導體芯片，

所述半導體芯片的所述外緣的所述一部分為所述半導體芯片的所述外緣中以沿所述另外的半導體芯片的方式延伸的部分。

9.如權利要求1至6中任一項所述的半導體裝置，其中，

所述支承體進一步具有與所述安裝區域相鄰的端子區域，

所述半導體芯片的所述外緣的所述一部分為所述半導體芯片的所述外緣中以沿所述端子區域的方式延伸的部分。

10.一種半導體裝置的制造方法，其中，

具備：第一工序，其在支承體所具有的安裝區域上，經由規定距離配置半導體芯片，通過配置于所述支承體與所述半導體芯片之間的凸塊、及以沿所述半導體芯片的外緣的一部分的方式配置于所述支承體與所述半導體芯片之間的壁部，接合所述支承體與所述半導體芯片；

第二工序，其在第一氣壓的環境中，以沿所述半導體芯片的所述外緣中除所述一部分以外的其他部分的方式在所述其他部分的外側將底部填充樹脂劑配置于所述安裝區域，通過所述壁部及所述底部填充樹脂劑，在所述支承體與所述半導體芯片之間形成密閉空間；及

第三工序，其通過配置于高于所述第一氣壓的第二氣壓的環境，向與所述密閉空間對應的區域填充所述底部填充樹脂劑，通過使所述底部填充樹脂劑固化，在所述支承體與所述半導體芯片之間配置底部填充樹脂層。