[發明專利]半導體裝置的制造方法及膜狀粘接劑有效
| 申請號: | 201880087166.8 | 申請日: | 2018-01-30 |
| 公開(公告)號: | CN111630641B | 公開(公告)日: | 2023-05-02 |
| 發明(設計)人: | 山崎智陽;中村祐樹;橋本慎太郎;菊地健太;舛野大輔 | 申請(專利權)人: | 昭和電工材料株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/52 | 分類號: | H01L21/52;C09J7/10;C09J7/30;C09J11/00;C09J133/00;C09J163/00;H01L21/50;H01L23/29;H01L23/31;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 白麗 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 制造 方法 膜狀粘接劑 | ||
1.一種半導體裝置的制造方法,其具備以下工序:
介由第一導線將第一半導體元件電連接于基板上的第一芯片接合工序;
在面積大于所述第一半導體元件的第二半導體元件的單面上粘貼150℃下的剪切彈性模量為1.5MPa以下的膜狀粘接劑的層壓工序;以及
通過按照所述膜狀粘接劑覆蓋所述第一半導體元件的方式載置粘貼有所述膜狀粘接劑的第二半導體元件,并對所述膜狀粘接劑進行壓接,從而將所述第一導線及所述第一半導體元件埋入所述膜狀粘接劑中的第二芯片接合工序,
所述150℃下的剪切彈性模量如下獲得:一邊以頻率1Hz對膜狀粘接劑賦予5%的變形,一邊以5℃/分鐘的升溫速度從室溫升溫至125℃并保持1小時,之后以5℃/分鐘的升溫速度進一步升溫至150℃并保持45分鐘,之后使用動態粘彈性測定裝置進行測定,從而獲得。
2.根據權利要求1所述的制造方法,其中,所述膜狀粘接劑的固化后的170~190℃下的拉伸彈性模量為15MPa以下。
3.根據權利要求1或2所述的制造方法,其中,所述膜狀粘接劑的80℃下的剪切粘度為15000Pa·s以下。
4.根據權利要求1或2所述的制造方法,其中,所述膜狀粘接劑包含丙烯酸樹脂及環氧樹脂。
5.根據權利要求4所述的制造方法,其中,所述丙烯酸樹脂包含重均分子量為10萬~50萬的第一丙烯酸樹脂和重均分子量為60萬~100萬的第二丙烯酸樹脂,以丙烯酸樹脂的總質量為基準計,所述第一丙烯酸樹脂的含量為50質量%以上。
6.根據權利要求1或2所述的制造方法,其中,所述膜狀粘接劑包含無機填充劑及有機填充劑中的至少一者。
7.一種膜狀粘接劑,其為用于在半導體裝置中、在壓接第二半導體元件的同時將第一導線及第一半導體元件埋入的膜狀粘接劑,所述半導體裝置是在介由所述第一導線將所述第一半導體元件電連接于基板上的同時、將面積大于所述第一半導體元件的所述第二半導體元件壓接在所述第一半導體元件上而成的,
所述膜狀粘接劑的150℃下的剪切彈性模量為1.5MPa以下,
所述150℃下的剪切彈性模量如下獲得:一邊以頻率1Hz對膜狀粘接劑賦予5%的變形,一邊以5℃/分鐘的升溫速度從室溫升溫至125℃并保持1小時,之后以5℃/分鐘的升溫速度進一步升溫至150℃并保持45分鐘,之后使用動態粘彈性測定裝置進行測定,從而獲得。
8.根據權利要求7所述的膜狀粘接劑,其固化后的170~190℃下的拉伸彈性模量為15MPa以下。
9.根據權利要求7或8所述的膜狀粘接劑,其80℃下的剪切粘度為15000Pa·s以下。
10.根據權利要求7或8所述的膜狀粘接劑,其包含丙烯酸樹脂及環氧樹脂。
11.根據權利要求10所述的膜狀粘接劑,其中,所述丙烯酸樹脂包含重均分子量為10萬~50萬的第一丙烯酸樹脂和重均分子量為60萬~100萬的第二丙烯酸樹脂,以丙烯酸樹脂的總質量為基準計,所述第一丙烯酸樹脂的含量為50質量%以上。
12.根據權利要求7或8所述的膜狀粘接劑,其包含無機填充劑及有機填充劑中的至少一者。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





