[發(fā)明專利]包含兩種以上的填料的高導(dǎo)熱性聚酰亞胺薄膜

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880087103.2
• 申請(qǐng)日: 2018-09-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111630088B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-02-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳智寧;趙成一;李吉男;崔禎烈
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聚酰亞胺先端材料有限公司
• 主分類號(hào): C08J5/18
• 分類號(hào): C08J5/18;C08L79/08;C08K3/04;C08K3/22;C08K3/38;C08G73/10
• 代理公司: 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270
• 代理人: 李光輝;馬芬

1.一種包含導(dǎo)熱性填料以及基膜的聚酰亞胺薄膜，其特征在于，

所述導(dǎo)熱性填料包含平均粒徑為0.001μm至20μm的第一導(dǎo)熱性填料以及平均粒徑為0.1μm至20μm的第二導(dǎo)熱性填料，

相對(duì)于聚酰亞胺薄膜總重量，所述導(dǎo)熱性填料的含量為5重量％至20重量％，

相對(duì)于聚酰亞胺薄膜總重量，所述基膜的含量為80重量％至95重量％，

相對(duì)于聚酰亞胺薄膜總重量，所述第一導(dǎo)熱性填料的含量為0.1重量％至5重量％，

相對(duì)于聚酰亞胺薄膜總重量，所述第二導(dǎo)熱性填料的含量為1重量％至19重量％，

所述第一導(dǎo)熱性填料為碳系填料或硼系填料，

所述第二導(dǎo)熱性填料為金屬氧化物系填料，

所述基膜通過(guò)酰亞胺化由二酐單體與二胺單體的反應(yīng)形成的聚酰胺酸來(lái)制備，

所述聚酰亞胺薄膜的厚度方向?qū)崧蕿?.5W/m·K以上，平面方向?qū)崧蕿?.0W/m·K以上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚酰亞胺薄膜，其特征在于，所述二酐單體包含選自由均苯四甲酸二酐、聯(lián)苯四甲酸二酐、氧雙鄰苯二甲酸酐以及二苯甲酮四羧酸二酐組成的組中的一種以上的單體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚酰亞胺薄膜，其特征在于，所述二胺單體包含選自由1,4-苯二胺、4,4'-氧化二苯胺、3,4'-氧化二苯胺，2,2-雙[4'-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷、4,4'-二氨基二苯甲烷以及1,3-雙(4-氨基苯氧基)苯組成的組中的一種以上的單體。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚酰亞胺薄膜，其特征在于，所述碳系填料為多層石墨烯和/或碳納米管。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚酰亞胺薄膜，其特征在于，所述硼系填料為氮化硼。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚酰亞胺薄膜，其特征在于，所述金屬氧化物系填料為氧化鋁。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚酰亞胺薄膜，其特征在于，在所述第一導(dǎo)熱性填料以及所述第二導(dǎo)熱性填料中，第一導(dǎo)熱性填料的含量W₁以及第二導(dǎo)熱性填料的含量W₂的關(guān)系滿足2W₁≤W₂。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚酰亞胺薄膜，其特征在于，所述第二導(dǎo)熱性填料的含量的相對(duì)于所述第一導(dǎo)熱性填料的含量的比例以重量為基準(zhǔn)時(shí)為200％至1900％。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚酰亞胺薄膜，其特征在于，所述聚酰亞胺薄膜在可見(jiàn)光區(qū)域中的透光率為1％以下。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚酰亞胺薄膜的制備方法，其特征在于，

由二酐單體和二胺單體中聚合聚酰胺酸，

混合所述聚酰胺酸以及導(dǎo)熱性填料，

使所述聚酰胺酸以及導(dǎo)熱性填料的混合物在載體成膜并進(jìn)行熱處理以進(jìn)行酰亞胺化。

11.一種電子裝置，其特征在于，包含根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚酰亞胺薄膜。