[發(fā)明專利]框架一體型掩模及框架一體型掩模的制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880086540.2
• 申請(qǐng)日: 2018-12-26
• 公開（公告）號(hào): CN111656552A
• 公開（公告）日: 2020-09-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李裕進(jìn)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 悟勞茂材料公司
• 主分類號(hào): H01L51/56
• 分類號(hào): H01L51/56;H01L51/00;C23C14/04
• 代理公司: 北京鴻元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11327
• 代理人: 姜虎;陳英俊

1.一種框架一體型掩模，其由多個(gè)掩模與用于支撐掩模的框架一體形成，其中，框架包括：

邊緣框架部，其包括中空區(qū)域；以及

掩模單元片材部，其具有多個(gè)掩模單元區(qū)域并連接于邊緣框架部，

各掩模連接于掩模單元片材部的上部。

2.如權(quán)利要求1所述的框架一體型掩模，其中，

掩模單元片材部沿著第一方向和垂直于第一方向的第二方向中至少一個(gè)方向具有多個(gè)掩模單元區(qū)域。

3.如權(quán)利要求1所述的框架一體型掩模，其中，掩模單元片材部包括：

邊緣片材部；以及

至少一個(gè)第一柵格片材部，其在第一方向上延伸形成且兩端連接于邊緣片材部。

4.如權(quán)利要求3所述的框架一體型掩模，其中，

掩模單元片材部還包括至少一個(gè)第二柵格片材部，所述第二柵格片材部在垂直于第一方向的第二方向上延伸形成并與第一柵格片材部交叉，且兩端連接于邊緣片材部。

5.如權(quán)利要求1所述的框架一體型掩模，其中，

各掩模對(duì)應(yīng)于各掩模單元區(qū)域。

6.如權(quán)利要求5所述的框架一體型掩模，其中，

掩模包括形成有多個(gè)掩模圖案的掩模單元和掩模單元周邊的虛設(shè)部，

并且虛設(shè)部的至少一部分粘貼到掩模單元片材部。

7.如權(quán)利要求1所述的框架一體型掩模，其中，

掩模包括一個(gè)掩模單元，且各掩模對(duì)應(yīng)于掩模單元片材部的各掩模單元區(qū)域。

8.如權(quán)利要求1所述的框架一體型掩模，其中，

掩模包括多個(gè)掩模單元，且各掩模對(duì)應(yīng)于掩模單元片材部的各掩模單元區(qū)域。

9.如權(quán)利要求1所述的框架一體型掩模，其中，

邊緣框架部為四角形狀。

10.如權(quán)利要求1所述的框架一體型掩模，其中，

邊緣框架部的厚度比掩模單元片材部的厚度厚，且掩模單元片材部的厚度比掩模厚。

11.如權(quán)利要求10所述的框架一體型掩模，其中，

掩模單元片材部的厚度為0.1～1mm，且掩模的厚度為2～50μm。

12.如權(quán)利要求1所述的框架一體型掩模，其中，

掩模和框架是因瓦合金、超因瓦合金、鎳、鎳鈷中任意一種材料。

13.如權(quán)利要求1所述的框架一體型掩模，其中，

粘貼到一個(gè)掩模單元區(qū)域上的掩模與粘貼到與其相鄰的掩模單元區(qū)域上的掩模之間的像素位置精度不超過3μm。

14.一種框架一體型掩模的制造方法，所述框架一體型掩模由多個(gè)掩模與用于支撐掩模的框架一體形成，其中，所述方法包括：

(a)提供包括中空區(qū)域的邊緣框架部的步驟；

(b)將具有多個(gè)掩模單元區(qū)域的掩模單元片材部連接到邊緣框架部的步驟；

(c)將掩模對(duì)應(yīng)到掩模單元片材部的一個(gè)掩模單元區(qū)域的步驟；以及

(d)將掩模邊緣的至少一部分粘貼到掩模單元片材部的步驟。

15.一種框架一體型掩模的制造方法，所述框架一體型掩模由多個(gè)掩模與用于支撐掩模的框架一體形成，所述方法包括：

(a)提供包括中空區(qū)域的邊緣框架部的步驟；

(b)將平面的掩模單元片材部連接到邊緣框架部的步驟；

(c)在掩模單元片材部形成多個(gè)掩模單元區(qū)域的步驟；

(d)將掩模對(duì)應(yīng)于掩模單元片材部的一個(gè)掩模單元區(qū)域的步驟；以及

(e)將掩模邊緣的至少一部分粘貼到掩模單元片材部的步驟。