[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880086522.4 | 申請日: | 2018-02-26 |
| 公開(公告)號: | CN111602233B | 公開(公告)日: | 2023-06-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 中川政雄;桑野亮司;篠竹洋平;西村英樹 | 申請(專利權(quán))人: | 新電元工業(yè)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;B23K1/00;H01L21/52;H01L23/48;H01L29/78 |
| 代理公司: | 上海德昭知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31204 | 代理人: | 郁旦蓉 |
| 地址: | 日本東京都千*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 裝置 制造 方法 | ||
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括:組裝體形成工序,在電極24與電極連接片32之間配置焊錫材料44,焊錫材料44具有被配置于電極24的表面且含有助焊劑的第一焊錫材料層41、被配置于電極連接片32的表面且含有助焊劑的第二焊錫材料層42、以及被配置于第一焊錫材料層41與第二焊錫材料層42之間的且不含有助焊劑的第三焊錫材料層43相疊層后的構(gòu)造,并且,組裝體形成工序形成配置有基板10、半導(dǎo)體芯片20以及引線30的組裝體50,使得電極24與電極連接片32成為夾著焊錫材料44的相向狀態(tài);以及接合工序,將電極24與電極連接片32經(jīng)由焊錫40進(jìn)行接合。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法,能夠制造可靠性不易下降的半導(dǎo)體裝置,并且能夠防止接合工序變得繁雜。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置的制造方法。
背景技術(shù)
以往,有一種半導(dǎo)體裝置的制造方法已被普遍知曉,其用于制造經(jīng)由焊錫而接合有半導(dǎo)體芯片與引線的半導(dǎo)體裝置(參照專利文獻(xiàn)1)。
如圖9所示,專利文獻(xiàn)1中記載的以往的半導(dǎo)體裝置900包括:基板910,其具有半導(dǎo)體芯片搭載面912;半導(dǎo)體芯片920,其被搭載于半導(dǎo)體芯片搭載面912上,且具有形成于與半導(dǎo)體芯片搭載面912是相向的面上的集電極922、以及具有形成于與半導(dǎo)體芯片搭載面912相向的面是相反側(cè)的面上的發(fā)射極924(電極)及形成于與發(fā)射極924分離的位置上的柵電極926;以及引線930,其具有電極連接片932,并且該電極連接片932經(jīng)由焊錫940而與發(fā)射極924相接合。
根據(jù)以往的半導(dǎo)體裝置900,電極連接片932是經(jīng)由焊錫940而與發(fā)射極924相接合,即,由于是僅經(jīng)由焊錫940(不經(jīng)由導(dǎo)線等中間構(gòu)件)來直接連接半導(dǎo)體芯片920與引線930,因此,半導(dǎo)體裝置900適于具有較大的電流容量且使用大電流的電子設(shè)備(例如電源)。
以往的半導(dǎo)體裝置900是通過如下制造方法(以往的半導(dǎo)體裝置的制造方法)來進(jìn)行制造的。即,以往的半導(dǎo)體裝置的制造方法包含:組裝體形成工序,該工序形成配置有基板910、半導(dǎo)體芯片920以及引線930的組裝體,使得發(fā)射極924與電極連接片932成為夾著焊錫材料的相向狀態(tài);以及接合工序,該工序在將焊錫材料熔融后,通過將焊錫材料固化來將發(fā)射極924與電極連接片932經(jīng)由焊錫940進(jìn)行接合。
【先行技術(shù)文獻(xiàn)】
【專利文獻(xiàn)1】特開2010-123686號公報
【專利文獻(xiàn)2】特開2017-199809號公報
一般來說,眾所周知,為了緩和作用于半導(dǎo)體芯片與引線之間的焊錫的應(yīng)力(例如熱應(yīng)力),將該焊錫的厚度保持在一定厚度以上是比較有效的方法(參照專利文獻(xiàn)2)。
然而,在使用含有助焊劑的焊錫材料(例如糊狀的焊錫膏)來作為焊錫材料944的情況下,由于接合工序前的焊錫材料944變得過厚(參照圖10(a)),故而在將引線930配置在焊錫材料944上后,焊錫材料944會有可能在壓壞后溢出到不希望的位置上,并且制造后的半導(dǎo)體裝置的可靠性也有可能會下降(參照圖10(b))。
另一方面,在使用不含助焊劑的焊錫材料(粒狀焊錫)來作為焊錫材料944的情況下,由于無法通過助焊劑來去除焊錫材料表面的氧化物,故而為了防止焊錫與半導(dǎo)體芯片之間的接合強度、及焊錫與引線之間的接合強度變低,就必須在特殊的條件(在氫氣氛下等)下實施接合工序,因此接合工序就會變得繁雜。
所以,本發(fā)明為了解決上述問題,目的是提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法,該制造方法能夠制造可靠性不易下降的半導(dǎo)體裝置,并且還能夠防止接合工序變得繁雜。
發(fā)明內(nèi)容
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





