[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體裝置的制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201880086522.4 | 申請(qǐng)日: | 2018-02-26 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111602233B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-06-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 中川政雄;桑野亮司;篠竹洋平;西村英樹(shù) | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 新電元工業(yè)株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/60 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/60;B23K1/00;H01L21/52;H01L23/48;H01L29/78 |
| 代理公司: | 上海德昭知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31204 | 代理人: | 郁旦蓉 |
| 地址: | 日本東京都千*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 裝置 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法,其制造的半導(dǎo)體裝置具備:基板,其具有半導(dǎo)體芯片搭載面;半導(dǎo)體芯片,其被搭載于所述半導(dǎo)體芯片搭載面上,且具有形成在所述半導(dǎo)體芯片搭載面相向的面的相反側(cè)的面上的電極;以及引線,其具有電極連接片,并且所述電極連接片經(jīng)由焊錫而與所述電極相接合,所述半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于,包括:
組裝體形成工序,在所述電極與所述電極連接片之間配置焊錫材料,所述焊錫材料具有被配置于所述電極的表面且含有助焊劑的呈糊狀的第一焊錫材料層、被配置于所述電極連接片的表面且含有助焊劑的呈糊狀的第二焊錫材料層、以及被配置于所述第一焊錫材料層與所述第二焊錫材料層之間的且不含有助焊劑的呈固體狀的第三焊錫材料層相疊層后的構(gòu)造,并且,所述組裝體形成工序形成配置有所述基板、所述半導(dǎo)體芯片以及所述引線的組裝體,使得所述電極與所述電極連接片成為夾著所述焊錫材料的相向狀態(tài);以及
接合工序,在將所述焊錫材料熔融后,通過(guò)將所述焊錫材料固化來(lái)將所述電極與所述電極連接片經(jīng)由所述焊錫進(jìn)行接合,
其中,在所述組裝體形成工序中,所述第三焊錫材料層的厚度在所述焊錫材料厚度的60%~90%的范圍內(nèi),
所述焊錫的厚度大于等于300μm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于:
其中,在所述組裝體形成工序中,所述第三焊錫材料層的組成與除去助焊劑成分的所述第一焊錫材料層的組成及除去助焊劑成分的所述第二焊錫材料層的組成中的至少任意一方相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于:
其中,在所述組裝體形成工序中,將所述第一焊錫材料層及所述第三焊錫材料層配置在所述電極上,并且在將第二焊錫材料層配置在所述電極連接片上后,將所述第三焊錫材料層與所述第二焊錫材料層重疊來(lái)形成所述組裝體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于:
其中,在所述組裝體形成工序中,在所述半導(dǎo)體芯片上配置所述第一焊錫材料層、所述第三焊錫材料層及所述第二焊錫材料層后,將所述第二焊錫材料層與所述引線的所述電極連接片重疊來(lái)形成所述組裝體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于:
其中,在所述組裝體形成工序中,使用分配器來(lái)配置所述第一焊錫材料層及所述第二焊錫材料層。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于新電元工業(yè)株式會(huì)社,未經(jīng)新電元工業(yè)株式會(huì)社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201880086522.4/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 光源裝置、照明裝置、液晶裝置和電子裝置
- 預(yù)測(cè)裝置、編輯裝置、逆預(yù)測(cè)裝置、解碼裝置及運(yùn)算裝置
- 圖像形成裝置、定影裝置、遮光裝置以及保持裝置
- 打印裝置、讀取裝置、復(fù)合裝置以及打印裝置、讀取裝置、復(fù)合裝置的控制方法
- 電子裝置、光盤(pán)裝置、顯示裝置和攝像裝置
- 光源裝置、照明裝置、曝光裝置和裝置制造方法
- 用戶(hù)裝置、裝置對(duì)裝置用戶(hù)裝置、后端裝置及其定位方法
- 遙控裝置、通信裝置、可變裝置及照明裝置
- 透鏡裝置、攝像裝置、處理裝置和相機(jī)裝置
- 抖動(dòng)校正裝置、驅(qū)動(dòng)裝置、成像裝置、和電子裝置
- 氫燃料制造系統(tǒng)、氫燃料制造方法以及氫燃料制造程序
- 單元控制系統(tǒng)、生產(chǎn)系統(tǒng)以及控制方法
- 制造裝置及制造方法以及制造系統(tǒng)
- 一種三相異步電動(dòng)機(jī)制造工藝方法
- 制造設(shè)備、制造裝置和制造方法
- 用于監(jiān)測(cè)光學(xué)鏡片制造過(guò)程的方法
- 產(chǎn)品的制造系統(tǒng)、惡意軟件檢測(cè)系統(tǒng)、產(chǎn)品的制造方法以及惡意軟件檢測(cè)方法
- 一種面向制造服務(wù)的制造能力評(píng)估方法
- 一種基于云制造資源的制造能力建模方法
- 制造設(shè)備系統(tǒng)、制造設(shè)備以及制造方法
- 一種數(shù)據(jù)庫(kù)讀寫(xiě)分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測(cè)試終端的測(cè)試方法
- 一種服裝用人體測(cè)量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測(cè)程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)





