[發明專利]顯示裝置有效
| 申請號： | 201880086103.0 | 申請日： | 2018-12-04 |
| 公開（公告）號： | CN111587453B | 公開（公告）日： | 2023-04-04 |
| 發明（設計）人： | 花田明纮;伊藤友幸 | 申請（專利權）人： | 株式會社日本顯示器 |
| 主分類號： | G09F9/30 | 分類號： | G09F9/30;G02F1/1368;H01L21/336;H01L29/786;H10K59/12;H05B33/02 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 牛玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置，在由樹脂形成的基板上，具有由氧化物半導體形成的第一TFT與由第一多晶硅形成的第二TFT，其特征在于，
所述第一TFT與所述第二TFT形成于俯視觀察時不重疊的部位，
所述第二TFT與所述第一TFT相比，形成為剖視觀察時更靠近所述基板，
在所述氧化物半導體與所述基板之間存在俯視觀察時與所述氧化物半導體重疊的第二多晶硅，該第二多晶硅由與所述第一多晶硅相同的材料形成，并形成在與所述第一多晶硅相同的層中，
所述第二多晶硅的所述氧化物半導體的溝道長度方向的長度比所述氧化物半導體的溝道長度方向的長度大，
在所述氧化物半導體與所述第二多晶硅之間存在多個絕緣膜，
所述多個絕緣膜包含與所述第二TFT的柵極絕緣膜相同層的第一絕緣膜，
所述多個絕緣膜包含第二絕緣膜，
在所述氧化物半導體的下層隔著所述第二絕緣膜而形成有金屬層，該金屬層由與所述第二TFT的柵極電極相同的材料形成在與所述第二TFT的柵極電極相同的層中，
所述金屬層隔著所述第一絕緣膜而與所述第二多晶硅絕緣，
所述金屬層的所述氧化物半導體的溝道長度方向的長度比所述氧化物半導體的所述溝道長度方向的長度小。
2.如權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，
所述第二多晶硅的所述氧化物半導體的溝道寬度方向的寬度比所述氧化物半導體的溝道寬度方向的寬度大。
3.如權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，
所述金屬層被供給柵極電位。
4.如權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，
所述金屬層被供給基準電位。
5.如權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，
所述第二多晶硅被供給基準電位。
6.如權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，
所述第一TFT為頂柵。
7.如權利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，
所述第二TFT為頂柵。
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