[發明專利]應變片

有效

• 申請號: 201880084730.0
• 申請日: 2018-10-30
• 公開（公告）號: CN111630339B
• 公開（公告）日: 2022-05-03
• 發明（設計）人: 高田真太郎;戶田慎也;淺川壽昭;前野圭輝
• 申請（專利權）人: 美蓓亞三美株式會社
• 主分類號: G01B7/16
• 分類號: G01B7/16
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 呂琳;樸秀玉

1.一種應變片，具有：

樹脂制的基材，具有可撓性；

功能層，由金屬、合金、或金屬的化合物直接形成在所述基材的一個表面上；及

電阻體，在所述功能層的一個表面上由以α－Cr為主成分并由Cr、CrN、及Cr₂N進行相混合而成且擴散有所述功能層中包含的元素的膜形成，

其中，

應變系數為10以上，

所述電阻體中添加有第1物質，該第1物質具有抑制所述電阻體的主成分即晶粒的生長的功能，

所述電阻體中添加有第2物質，該第2物質具有防止所述電阻體的主成分即晶粒彼此靠近的功能。

2.一種應變片，具有：

樹脂制的基材，具有可撓性；

功能層，由金屬、合金、或金屬的化合物直接形成在所述基材的一個表面上；及

電阻體，在所述功能層的一個表面上由以α－Cr為主成分并由Cr、CrN、及Cr₂N進行相混合而成且擴散有所述功能層中包含的元素的膜形成，

其中，

電阻溫度系數位于－1000ppm/℃～+1000ppm/℃的范圍內，

所述電阻體中添加有第1物質，該第1物質具有抑制所述電阻體的主成分即晶粒的生長的功能，

所述電阻體中添加有第2物質，該第2物質具有防止所述電阻體的主成分即晶粒彼此靠近的功能。

3.一種應變片，具有：

樹脂制的基材，具有可撓性；

功能層，由金屬、合金、或金屬的化合物直接形成在所述基材的一個表面上；及

電阻體，在所述功能層的一個表面上由以α－Cr為主成分并由Cr、CrN、及Cr₂N進行相混合而成且擴散有所述功能層中包含的元素的膜形成，

其中，所述電阻體中添加有第1物質，該第1物質具有抑制所述電阻體的主成分即晶粒的生長的功能，

所述電阻體中添加有第2物質，該第2物質具有防止所述電阻體的主成分即晶粒彼此靠近的功能。

4.如權利要求1至3中的任一項所述的應變片，其中，

所述功能層包含從由Cr、Ti、V、Nb、Ta、Ni、Y、Zr、Hf、Si、C、Zn、Cu、Bi、Fe、Mo、W、Ru、Rh、Re、Os、Ir、Pt、Pd、Ag、Au、Co、Mn、及Al組成的群中選出的一種或多種金屬、所述群中的任意金屬的合金、或者所述群中的任意金屬的化合物。

5.一種應變片，具有：

樹脂制的基材，具有可撓性；

功能層，由金屬、合金、或金屬的化合物直接形成在所述基材的一個表面上；及

電阻體，在所述功能層的一個表面上由以α－Cr為主成分并由Cr、CrN、及Cr₂N進行相混合而成且擴散有所述功能層中包含的元素的膜形成，

所述功能層包含從由Cr、Ti、V、Nb、Ta、Ni、Y、Zr、Hf、Si、C、Zn、Cu、Bi、Fe、Mo、W、Ru、Rh、Re、Os、Ir、Pt、Pd、Ag、Au、Co、Mn、及Al組成的群中選出的一種或多種金屬、所述群中的任意金屬的合金、或者所述群中的任意金屬的化合物，

所述電阻體中添加有第1物質，該第1物質具有抑制所述電阻體的主成分即晶粒的生長的功能，

所述電阻體中添加有第2物質，該第2物質具有防止所述電阻體的主成分即晶粒彼此靠近的功能。

6.如權利要求5所述的應變片，其中，

所述功能層包含從由Cr、V、Nb、Ta、Ni、Y、Hf、C、Zn、Bi、Fe、Mo、W、Ru、Rh、Re、Os、Ir、Pt、Pd、Ag、Au、Co、及Mn組成的群中選出的一種或多種金屬、所述群中的任意金屬的合金、或者所述群中的任意金屬的化合物。

7.如權利要求5所述的應變片，其中，

所述功能層包含從由TiN、TaN、Si₃N₄、TiO₂、Ta₂O₅、及SiO₂組成的群中選出的一種金屬化合物。