[發明專利]減振器裝置

有效

• 申請號: 201880084561.0
• 申請日: 2018-10-16
• 公開（公告）號: CN111527325B
• 公開（公告）日: 2021-11-19
• 發明（設計）人: 楠川順平;淺沼道裕;平尾基裕;大岡浩;南部達郎
• 申請（專利權）人: 日立安斯泰莫株式會社
• 主分類號: F16F9/32
• 分類號: F16F9/32;F16F9/53
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種減振器裝置，其特征在于，包括：

活塞桿；

收納所述活塞桿的外筒；

置于所述外筒與所述活塞桿之間的電流變流體；和

設置在所述外筒與所述活塞桿之間的電壓施加機構，其對所述電流變流體施加電壓，

所述電壓施加機構具有陽極和陰極，

所述電流變流體位于所述陽極與所述陰極之間，

在所述陽極的與所述陰極相對的一側的表面，或者所述陰極的與所述陽極相對的一側的表面，設置有絕緣層，

在令施加至所述電流變流體的最大電壓為Vmax(V)時，所述絕緣層的厚度t(m)滿足下述式(1)：

t≥2.5×10^-8×Vmax……式(1)。

2.如權利要求1所述的減振器裝置，其特征在于：

所述陽極與所述陰極之間的距離為0.4mm～1.6mm。

3.如權利要求1所述的減振器裝置，其特征在于：

所述絕緣層的厚度為所述陽極與所述陰極之間的距離的一半以下。

4.如權利要求2所述的減振器裝置，其特征在于：

所述最大電壓為3kV以上。

5.如權利要求2所述的減振器裝置，其特征在于：

所述最大電壓為3kV～10kV。

6.如權利要求1所述的減振器裝置，其特征在于：

所述絕緣層的相對介電常數大于所述電流變流體的相對介電常數。

7.如權利要求5所述的減振器裝置，其特征在于：

所述絕緣層的厚度t(m)在75μm～800μm的范圍內。

8.如權利要求1所述的減振器裝置，其特征在于：

所述絕緣層設置在所述陽極和所述陰極兩者上。

9.如權利要求1所述的減振器裝置，其特征在于：

所述絕緣層設置在比所述陽極或所述陰極的全長的一半靠上方的位置。

10.如權利要求1所述的減振器裝置，其特征在于，包括：

設置在所述活塞桿與所述外筒之間的內筒，其收納所述活塞桿；和

設置在所述內筒與所述外筒之間的電極筒，

所述陽極和所述陰極分別設置在所述內筒和所述電極筒上。

11.如權利要求1所述的減振器裝置，其特征在于：

所述絕緣層使用氧化鋁、藍寶石、莫來石、堇青石、滑石、鎂橄欖石、氧化釔、二氧化鈦、碳化硅、氮化硅、氮化鋁、二氧化鋯、金屬陶瓷中的任意者。