[發明專利]半導體納米粒子和芯/殼型半導體納米粒子

有效

• 申請號: 201880084295.1
• 申請日: 2018-12-19
• 公開（公告）號: CN111556850B
• 公開（公告）日: 2023-10-20
• 發明（設計）人: 森山喬史;本吉亮介
• 申請（專利權）人: 昭榮化學工業株式會社
• 主分類號: C01B25/14
• 分類號: C01B25/14;B82Y30/00;C01B25/08;C09K11/08;C09K11/70;C09K11/72
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張濤

本發明的目的在于，提供量子效率(QY)較高，并且半值寬度(FWHM)較窄的半導體納米粒子。本發明的實施方式的半導體納米粒子為至少包含In、P、Zn和S的半導體納米粒子，其中，以相對于In的摩爾比計，以下述范圍而包含所述In以外的所述各成分：P：0.50～0.95，Zn：0.30～1.00，S：0.10～0.50，和鹵素：0～0.30。

技術領域

本發明涉及半導體納米粒子和以該半導體納米粒子作為芯的芯/殼型半導體納米粒子。

本申請基于2017年12月28日申請的日本申請第2017-253304號而主張優先權，并且將所述日本申請中記載的全部內容引用于此。

背景技術

表現出量子限制效果的程度的微小的半導體納米粒子，具有取決于粒徑的帶隙。通過光激發、電荷注入等的手段而形成在半導體納米粒子內的激子，通過再結合而放出與帶隙對應能量的光子，因此通過適當選擇半導體納米粒子的組成及其粒徑，而得到期望波長下的發光。

發光的半值寬度(FWHM)主要取決于粒度分布，通過制備均勻的粒徑的粒子而能夠提高顏色純度。這些性質可用于彩色顯示器、照明、防偽油墨等。

在可見光下的發光中，使用了Cd硫系化合物半導體納米粒子、基于InP的半導體納米粒子。InP類半導體納米粒子不含有害的Cd，因此較為有用，但是通常量子效率(QY)、FWHM劣于Cd類的。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1:美國專利申請公開第2015/0083969號說明書

專利文獻2:美國專利第9334440號

專利文獻3:美國專利第8221651號

專利文獻4:美國專利申請公開第2017/0179338號說明書

非專利文獻

非專利文獻1:Sungwoo Kim,et al,J.Am.Chem.Soc.2012,134,3804-3809,“Highly Luminescent InP/GaP/ZnS Nanocrystals and Their Application to WhiteLight-Emitting Diodes”

非專利文獻2:Heloise Virieux,et al,J.Am.Chem.Soc.2012,134,19701-19708,“InP/ZnS Nanocrystals:Coupling NMR and XPS for Fine Surface and InterfaceDescription”

非專利文獻3:Shu Xu,et al,J.Mater.Chem.,2008,18,2653-2656,“Rapidsynthesis of highly luminescent InP and InP/ZnS nanocrystals”

非專利文獻4:Liang Li,et al.,J.AM.CHEM.SOC.2008,130,11588-11589,“One-pot Synthesis of Highly Luminescent InP/ZnS Nanocrystals without PrecursorInjection”

非專利文獻5:Aude Buffard,et al,Chem.Mater.,2016,28(16),pp 5925-5934,“Mechanistic Insight and Optimization of InP Nanocrystals Synthesized withAminophosphines”