[發明專利]半導體納米粒子和芯/殼型半導體納米粒子

有效

• 申請號: 201880084295.1
• 申請日: 2018-12-19
• 公開（公告）號: CN111556850B
• 公開（公告）日: 2023-10-20
• 發明（設計）人: 森山喬史;本吉亮介
• 申請（專利權）人: 昭榮化學工業株式會社
• 主分類號: C01B25/14
• 分類號: C01B25/14;B82Y30/00;C01B25/08;C09K11/08;C09K11/70;C09K11/72
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張濤

1.一種半導體納米粒子，其為至少包含In、P、Zn和S的半導體納米粒子，其中，

以相對于In的摩爾比計，以下述范圍而包含所述In以外的所述各成分：

P：0.50～0.95，

Zn：0.30～1.00，

S：0.10～0.50，

鹵素：0～0.30。

2.根據權利要求1所述的半導體納米粒子，其中，

所述鹵素相對于In的摩爾比為0.03～0.30。

3.根據權利要求1或2所述的半導體納米粒子，其吸收光譜的最大峰的半值寬度(Abs.FWHM)為60nm以下。

4.一種芯/殼型半導體納米粒子，其具有下述結構：

以權利要求1～3中任一項所述的半導體納米粒子作為芯，并且具備包覆該芯的表面的至少一部分的殼。

5.根據權利要求4所述的芯/殼型半導體納米粒子，其中，

所述殼包含選自下述(a)和下述(b)中的1種以上：

(a)至少包含選自IIIB族元素的1種以上的元素和選自VB族元素的1種以上的元素的IIIB-VB族化合物；

(b)至少包含選自IIB族元素的1種以上的元素和選自VIB族元素的1種以上的元素的IIB-VIB族化合物。

6.根據權利要求5所述的芯/殼型半導體納米粒子，其中，

所述殼為包含選自下述(i)、下述(ii)和下述(iii)中的任一種的多層結構：

(i)具有不同組成的二種以上的所述IIIB-VB族化合物(a)；

(ii)具有不同組成的二種以上的所述IIB-VIB族化合物(b)；

(iii)所述IIIB-VB族化合物(a)和所述IIB-VIB族化合物(b)的組合。

7.根據權利要求4～6中任一項所述的芯/殼型半導體納米粒子，其中，

構成所述殼的元素的濃度在該殼的厚度方向上發生變化。

8.根據權利要求5～7中任一項所述的芯/殼型半導體納米粒子，其中，

所述選自IIIB族元素的1種以上的元素的種數、所述選自VB族元素的1種以上的元素的種數、所述選自IIB族元素的1種以上的元素的種數以及所述選自VIB族元素的1種以上的元素的種數中的至少一者為多種。

9.根據權利要求4～8中任一項所述的芯/殼型半導體納米粒子，其中，

所述殼至少包含Zn、S和Se。

10.根據權利要求4～9中任一項所述的芯/殼型半導體納米粒子，其中，

所述殼具有雙層結構，所述雙層結構包含：

包含Zn和S的化合物、和

包含Zn和Se的化合物。

11.根據權利要求4～10中任一項所述的芯/殼型半導體納米粒子，其量子效率(QY)為70％以上。

12.根據權利要求4～11中任一項所述的芯/殼型半導體納米粒子，其發射光譜的半值寬度(FWHM)為40nm以下。