[發(fā)明專利]含有與NMOS平臺(tái)垂直集成的PMOS平臺(tái)的組合件，及形成集成組合件的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880083670.0 | 申請日： | 2018-12-07 |
| 公開（公告）號： | CN111527601A | 公開（公告）日： | 2020-08-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | S·E·西里斯;K·D·拜格爾 | 申請（專利權(quán)）人： | 美光科技公司 |
| 主分類號： | H01L27/092 | 分類號： | H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人： | 王龍 |
| 地址： | 美國愛*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 含有 nmos 平臺(tái) 垂直 集成 pmos 組合 形成 方法 | ||
1.一種包括CMOS層的組合件，所述CMOS層包括：
PMOS平臺(tái)，所述PMOS平臺(tái)包括彼此基本上相同的多個(gè)p溝道晶體管；
NMOS平臺(tái)，其包括彼此基本上相同的多個(gè)n溝道晶體管；所述NMOS平臺(tái)相對于所述PMOS平臺(tái)垂直偏移；
絕緣區(qū)域，其在所述PMOS平臺(tái)與所述NMOS平臺(tái)之間；且
所述CMOS具有一或多個(gè)電路組件，所述一或多個(gè)電路組件包含所述n溝道晶體管中的一或多個(gè)，所述n溝道晶體管通過延伸穿過所述絕緣區(qū)域的一或多個(gè)導(dǎo)電互連件與所述p溝道晶體管中的一或多個(gè)耦合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合件，其中所述PMOS平臺(tái)為第一PMOS平臺(tái)；其中所述p溝道晶體管為第一p溝道晶體管；且所述組合件包括從所述第一PMOS平臺(tái)垂直偏移的第二PMOS平臺(tái)，其中所述第二PMOS平臺(tái)包括第二p溝道晶體管；其中：
所述NMOS平臺(tái)在所述第一PMOS平臺(tái)與所述第二PMOS平臺(tái)之間；且
所述CMOS層的所述一或多個(gè)電路元件包含至少一個(gè)電路組件，所述至少一個(gè)電路組件具有至少一個(gè)n溝道晶體管、至少一個(gè)第一p溝道晶體管及至少一個(gè)第二p溝道晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的組合件，其中所述第二p溝道晶體管與所述第一p溝道晶體管基本上相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的組合件，其中所述第二p溝道晶體管與所述第一p溝道晶體管基本上不相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合件，其中所述NMOS平臺(tái)為第一NMOS平臺(tái)；其中所述n溝道晶體管為第一n溝道晶體管；且所述組合件包括從所述第一NMOS平臺(tái)垂直偏移的第二NMOS平臺(tái)，其中所述第二NMOS平臺(tái)包括第二n溝道晶體管；其中：
所述PMOS平臺(tái)在所述第一NMOS平臺(tái)與所述第二NMOS平臺(tái)之間；且
所述CMOS層的所述一或多個(gè)電路元件包含至少一個(gè)電路組件，所述至少一個(gè)電路組件具有至少一個(gè)p溝道晶體管、至少一個(gè)第一n溝道晶體管及至少一個(gè)第二n溝道晶體管。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的組合件，其中所述第二n溝道晶體管與所述第一n溝道晶體管基本上相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的組合件，其中所述第二n溝道晶體管與所述第一n溝道晶體管基本上不相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合件，其包括集成裝置層，所述集成裝置層從所述CMOS層垂直偏移，且具有與所述CMOS層的所述電路組件中的至少一個(gè)耦合的一或多個(gè)結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的組合件，其中所述集成裝置層包括傳感器。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的組合件，其中所述集成裝置層包括存儲(chǔ)器。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的組合件，其中所述集成裝置層在所述CMOS層上面。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的組合件，其中所述集成裝置層在所述CMOS層下面。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合件，其包括在所述CMOS層下面的第一集成裝置層及在所述CMOS層上面的第二集成裝置層；其中所述第一集成裝置層具有與所述CMOS層的所述第一電路組件中的第一個(gè)耦合的一或多個(gè)結(jié)構(gòu)；且其中所述第二集成裝置層具有與所述CMOS層的所述電路組件中的第二個(gè)耦合的一或多個(gè)結(jié)構(gòu)。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合件，其中所述CMOS層的所述一或多個(gè)電路組件包含傳輸通過門，所述傳輸通過門具有與所述n溝道晶體管不同數(shù)目個(gè)所述p溝道晶體管。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合件，其中所述CMOS層的所述一或多個(gè)電路組件包含雙輸入“與非”電路。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
