[發明專利]具有互補單元結構的差分放大器在審
| 申請號: | 201880083615.1 | 申請日: | 2018-12-21 |
| 公開(公告)號: | CN111527694A | 公開(公告)日: | 2020-08-11 |
| 發明(設計)人: | R·卡馬克;范斌 | 申請(專利權)人: | 高通股份有限公司 |
| 主分類號: | H03F3/45 | 分類號: | H03F3/45 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 董莘 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 互補 單元 結構 差分放大器 | ||
1.一種差分放大器,包括:
第一對晶體管;
第二對晶體管,耦合到所述第一對晶體管,其中所述第一對晶體管的柵極和所述第二對晶體管的柵極被耦合到所述差分放大器的相應差分輸入節點,其中所述第一對晶體管的漏極和所述第二對晶體管的漏極被耦合到所述差分放大器的相應差分輸出節點;以及
偏置晶體管,具有耦合到所述第一對晶體管中的一個晶體管的源極的漏極,并且所述偏置晶體管具有耦合到所述差分放大器的共模反饋路徑的柵極。
2.根據權利要求1所述的差分放大器,還包括:
第一跨導放大器,具有通過第一交流耦合電容器耦合到所述差分輸入節點的正輸入節點的輸入,并且所述第一跨導放大器具有耦合到所述差分輸出節點的負輸出節點的輸出。
3.根據權利要求2所述的差分放大器,還包括:
第二跨導放大器,具有通過第二交流耦合電容器耦合到所述差分輸入節點的負輸入節點的輸入,并且所述第二跨導放大器具有耦合到所述差分輸出節點的正輸出節點的輸出。
4.根據權利要求1所述的差分放大器,其中所述偏置晶體管的所述漏極被耦合到所述第二對晶體管中的一個晶體管的源極。
5.根據權利要求1所述的差分放大器,其中所述共模反饋路徑包括:
反饋放大器,具有耦合到所述差分放大器的共模節點的第一輸入,具有耦合到參考電壓節點的第二輸入,并且具有耦合到所述偏置晶體管的所述柵極的輸出。
6.根據權利要求5所述的差分放大器,其中所述參考電壓節點被耦合到復制晶體管,所述復制晶體管是所述第一對晶體管中的一個晶體管或所述第二對晶體管中的一個晶體管中的至少一個晶體管的復制。
7.根據權利要求6所述的差分放大器,其中所述復制晶體管的柵極和漏極被耦合在一起。
8.根據權利要求5所述的差分放大器,其中所述參考電壓節點被耦合被到變壓器的次級繞組的中心抽頭,其中所述次級繞組的第一端子和第二端子中的每個端子都被耦合到所述差分輸入節點的相應輸入節點,并且其中所述變壓器的初級繞組被耦合到射頻輸入節點。
9.根據權利要求5所述的差分放大器,還包括:
第一二極管器件,耦合在所述參考電壓節點和參考電壓節點之間,所述參考電壓節點被耦合到所述第一對晶體管中的另一晶體管的源極和所述第二對晶體管中的另一晶體管的源極;
電流源;以及
第二二極管器件,耦合在所述電流源與所述參考電壓節點之間。
10.根據權利要求9所述的差分放大器,其中
所述第一二極管器件包括n溝道金屬氧化物半導體晶體管,所述n溝道金屬氧化物半導體晶體管具有耦合到所述n溝道金屬氧化物半導體晶體管的漏極的柵極;以及
所述第二二極管器件包括p溝道金屬氧化物半導體晶體管,所述p溝道金屬氧化物半導體晶體管具有耦合到所述p溝道金屬氧化物半導體晶體管的漏極的柵極。
11.根據權利要求5所述的差分放大器,還包括耦合在所述差分輸出節點之間的第一電阻器件和第二電阻器件,其中所述共模節點包括在所述第一電阻器件和所述第二電阻器件之間的節點。
12.根據權利要求1所述的差分放大器,其中所述共模反饋路徑包括反饋放大器,具有耦合到所述差分放大器的共模節點的第一輸入,并且所述反饋放大器具有耦合到所述偏置晶體管的柵極的輸出,所述差分放大器還包括:
第一開關,具有耦合到所述反饋放大器的第二輸入的第一端子,并且所述第一開關具有通過第一可變電阻器件耦合到參考電壓節點的第二端子;以及
第一電流源,耦合到所述第一可變電阻器件。
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