[發(fā)明專利]具有帶有輪廓化上表面的半導(dǎo)體材料區(qū)的半導(dǎo)體組合件；及利用蝕刻來(lái)輪廓化半導(dǎo)體材料的上表面而形成半導(dǎo)體組合件的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880083536.0
• 申請(qǐng)日: 2018-11-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111527602A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-08-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: P·P·夏爾馬;V·奈爾;S·薩帕
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號(hào): H01L27/108
• 分類號(hào): H01L27/108
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種集成組合件，其包括：

第一半導(dǎo)體材料的區(qū)；所述區(qū)具有沿著橫截面的寬度；所述區(qū)具有沿著所述橫截面的上表面，其中所述上表面具有沿著所述寬度的一個(gè)邊緣的平頂峰，且具有與所述平頂峰相鄰的凹面；及

第二半導(dǎo)體材料的柱，其在所述區(qū)上方且直接抵靠所述區(qū)；所述柱從所述上表面垂直地延伸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成組合件，其中所述寬度在從約到約的范圍內(nèi)；且其中從所述平頂峰的頂部到所述凹面的底部的距離在從約到約的范圍內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成組合件，其中所述第一半導(dǎo)體材料及所述第二半導(dǎo)體材料經(jīng)導(dǎo)電摻雜；其中第一數(shù)字線與所述第二半導(dǎo)體材料橫向地相鄰，且通過(guò)氮化硅的區(qū)與所述第二半導(dǎo)體材料橫向地隔開(kāi)；且其中電容器在所述第二半導(dǎo)體材料上方且通過(guò)包含所述第一半導(dǎo)體材料及所述第二半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電路徑與第二數(shù)字線門控地耦合。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成組合件，其中所述第二半導(dǎo)體材料的部分延伸到所述氮化硅的所述區(qū)下方。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成組合件，其中所述第一半導(dǎo)體材料包括硅。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成組合件，其中所述第一半導(dǎo)體材料及所述第二半導(dǎo)體材料包括硅且在結(jié)晶度上彼此不同。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成組合件，其中所述第一半導(dǎo)體材料及所述第二半導(dǎo)體材料包括相對(duì)于彼此不同的元素。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的集成組合件，其中所述第一半導(dǎo)體材料包括硅，且其中所述第二半導(dǎo)體材料包括鍺、III/V半導(dǎo)體材料及半導(dǎo)體氧化物中的一或多者。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成組合件，其中所述第一半導(dǎo)體材料包括單晶硅。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的集成組合件，其中所述第二半導(dǎo)體材料包括多晶硅。

11.一種集成組合件，其包括：

第一導(dǎo)電材料，其具有上表面，其中所述上表面包括第一部分及從所述第一部分向下凹入的第二部分；及

第二導(dǎo)電材料，其在所述第一導(dǎo)電材料上方，其中所述第二導(dǎo)電材料從所述第一導(dǎo)電材料的所述上表面的所述第一部分及所述第二部分垂直地延伸。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成組合件，其中所述第一材料及所述第二材料中的每一者包括半導(dǎo)體材料。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成組合件，其中所述第一導(dǎo)電材料的所述上表面的所述第一部分提供基本上平坦的表面，且所述第一導(dǎo)電材料的所述上表面的所述第二部分提供凹面表面。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成組合件，其中所述第一導(dǎo)電材料用作存儲(chǔ)器單元中的存取晶體管的源極區(qū)及漏極區(qū)中的一者，且所述第二導(dǎo)電材料介于所述第一導(dǎo)電材料與所述存儲(chǔ)器單元中的電容器的下電極之間。