[發明專利]發光器件封裝在審
| 申請號： | 201880082405.0 | 申請日： | 2018-10-01 |
| 公開（公告）號： | CN111837245A | 公開（公告）日： | 2020-10-27 |
| 發明（設計）人： | 李舒 | 申請（專利權）人： | 亮銳有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L33/56 | 分類號： | H01L33/56;H01L33/48;H01L33/60 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 于非凡;閆小龍 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光 器件 封裝 | ||
1.一種發光器件，包括：
基底；
形成在所述基底上的反射層；
形成在所述反射層上的涂覆層；
所述涂覆層中的開口，所述開口暴露所述反射層的一部分；
設置在所述基底上的側壁，所述側壁被布置成形成反射杯；
設置在所述反射杯內的發光二極管（LED）芯片；和
通過由所述涂覆層中的所述開口暴露的所述反射層的所述部分將所述LED芯片連接到所述基底的導線。
2.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述LED芯片經由粘合層耦合到所述基底，并且所述涂覆層被布置成在所述粘合層周圍形成密封。
3.根據權利要求1所述的發光器件，其中：
所述側壁形成在所述反射層上，
所述側壁與所述反射層在界面處相交，所述界面是所述側壁和所述反射層之間的接觸點，并且
所述涂覆層被布置成密封所述界面，以防止濕氣進入所述反射杯。
4.根據權利要求1所述的發光器件，還包括從所述LED芯片延伸到所述基底以與所述基底形成結合的導線，其中所述結合被所述涂覆層覆蓋。
5.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述涂覆層由選自由Si-O材料、Si-O-N材料、Al-O材料、Al-N材料、Si-N材料和Ti-O材料組成的組的無機材料形成。
6.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述涂覆層的折射率在1.40-1.80的范圍內。
7. 根據權利要求1所述的發光器件，其中所述涂覆層的厚度在40 nm至20 μm的范圍內。
8.一種發光器件，包括：
基底；
形成在所述基底上的反射層；
經由粘合層耦合到所述基底的發光二極管（LED）芯片；
設置在所述基底上的側壁，所述側壁圍繞所述LED芯片以形成反射杯；
形成在所述反射層上的涂覆層，其中所述涂覆層由無機聚合物形成，并且被布置成在所述粘合層周圍形成密封；
所述涂覆層中的開口，所述開口暴露所述反射層的一部分；和
通過由所述涂覆層中的所述開口暴露的所述反射層的所述部分將所述LED芯片連接到所述基底的導線。
9.根據權利要求8所述的發光器件，其中：
所述反射層形成在所述基底與所述LED芯片之間，
所述涂覆層被布置成覆蓋所述反射層的未被所述LED芯片覆蓋的部分，并且
所述涂覆層還被布置成覆蓋所述LED芯片的壁的至少一部分。
10.根據權利要求8所述的發光器件，其中：
所述側壁形成在所述反射層上，
所述側壁與所述反射層在界面處相交，所述界面是所述側壁和所述反射層之間的接觸點，并且
所述涂覆層被布置成密封所述界面，以防止濕氣進入所述反射杯。
11.根據權利要求8所述的發光器件，其中所述涂覆層由選自由Si-O材料、Si-O-N材料、Al-O材料、Al-N材料、Si-N材料和Ti-O材料組成的組的材料形成。
12.根據權利要求8所述的發光器件，其中所述涂覆層的折射率在1.40-1.80的范圍內。
13. 根據權利要求8所述的發光器件，其中所述涂覆層的厚度在40 nm至20 μm的范圍內。
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