[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880082364.5
• 申請(qǐng)日: 2018-12-11
• 公開（公告）號(hào): CN111492471B
• 公開（公告）日: 2023-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 松原弘;泉谷淳子;大江秀明;根本益太郎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社村田制作所
• 主分類號(hào): H01L21/822
• 分類號(hào): H01L21/822;G01N27/16;H01L21/316;H01L27/04
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 王瑋;張豐橋

半導(dǎo)體裝置(100)具備：半導(dǎo)體基板(110)，具有相互對(duì)置的第一主面(110A)以及第二主面(110B)；以及多孔金屬氧化膜(180)，形成在半導(dǎo)體基板(110)的第一主面(110A)側(cè)，并且具有多個(gè)細(xì)孔。半導(dǎo)體基板(110)構(gòu)成為：在第一主面(110A)側(cè)具有與多孔金屬氧化膜(180)電連接的連接部(111)，并且從第二主面(110B)側(cè)到第一主面(110A)側(cè)的連接部(111)提供供電路徑。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及具有多孔金屬氧化膜的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

背景技術(shù)

例如，通過(guò)在酸性電解液中對(duì)鋁進(jìn)行陽(yáng)極氧化時(shí)形成柱狀的規(guī)則的細(xì)孔結(jié)構(gòu)的自組織化來(lái)設(shè)置多孔金屬氧化膜。這樣的多孔金屬氧化膜利用增大的表面積、細(xì)孔的內(nèi)部空間、較高的規(guī)則性等，而研究了向?yàn)V波器、光子晶體、記錄介質(zhì)、傳感器等的應(yīng)用。

例如，專利文獻(xiàn)1公開了如下的陽(yáng)極氧化膜的制造方法：預(yù)先在支承基板設(shè)置通孔，之后將被陽(yáng)極氧化膜粘合于支承基板，通過(guò)通孔取出陽(yáng)極氧化的陽(yáng)極用導(dǎo)線，在吸附支承基板的背面的同時(shí)使被陽(yáng)極氧化膜整體浸漬于陽(yáng)極氧化液來(lái)進(jìn)行陽(yáng)極氧化。

然而，在陽(yáng)極氧化用的支承基板之上設(shè)置被陽(yáng)極氧化膜來(lái)進(jìn)行陽(yáng)極氧化的方法中，需要從支承基板剝離通過(guò)陽(yáng)極氧化制造出的多孔金屬氧化膜(陽(yáng)極氧化膜)，并轉(zhuǎn)印到半導(dǎo)體裝置等。另外，即使將具備被陽(yáng)極氧化膜的半導(dǎo)體裝置粘合于支承基板，在為了設(shè)置電路、元件等而在內(nèi)部具有絕緣層的半導(dǎo)體裝置中，也不能夠進(jìn)行基于相同的方法的陽(yáng)極氧化膜的制造。

例如，在專利文獻(xiàn)2的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，公開了在半導(dǎo)體裝置的表面設(shè)置蝕刻為規(guī)定的圖案的被陽(yáng)極氧化膜的工序、和對(duì)被陽(yáng)極氧化膜進(jìn)行陽(yáng)極氧化處理來(lái)形成多孔金屬氧化膜的工序。

專利文獻(xiàn)1：日本特開昭61－99339號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本特開平11－006811號(hào)公報(bào)

然而，在專利文獻(xiàn)2所記載的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，需要在半導(dǎo)體基板晶圓的表面?zhèn)龋O(shè)置供給用于陽(yáng)極氧化的化成電壓的供電焊盤、將被陽(yáng)極氧化膜與供電焊盤電連接的供電線等。因此，在半導(dǎo)體基板晶圓的單位表面積能夠制造的半導(dǎo)體裝置的數(shù)目減少。另外，若供電焊盤與各個(gè)被陽(yáng)極氧化膜之間的距離、即供電線的長(zhǎng)度不同，則陽(yáng)極氧化的條件在各個(gè)被陽(yáng)極氧化膜中變動(dòng)，各個(gè)多孔金屬氧化膜的品質(zhì)變動(dòng)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是鑒于這樣的情況而完成的，其目的在于提供能夠?qū)崿F(xiàn)制造效率的改善的半導(dǎo)體裝置。

本發(fā)明的一方式的半導(dǎo)體裝置具備：半導(dǎo)體基板，具有相互對(duì)置的第一主面以及第二主面；以及多孔金屬氧化膜，形成在半導(dǎo)體基板的第一主面?zhèn)龋⑶揖哂卸鄠€(gè)細(xì)孔，半導(dǎo)體基板構(gòu)成為：在第一主面?zhèn)染哂信c多孔金屬氧化膜電連接的連接部，并且從第二主面?zhèn)鹊降谝恢髅鎮(zhèn)鹊倪B接部提供供電路徑。

本發(fā)明的其它的一方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法具備：準(zhǔn)備具有相互對(duì)置的第一主面以及第二主面的半導(dǎo)體基板的工序；在半導(dǎo)體基板的第一主面?zhèn)仍O(shè)置被陽(yáng)極氧化膜的工序；以及通過(guò)從半導(dǎo)體基板的第二主面?zhèn)冗M(jìn)行供電，使設(shè)置在半導(dǎo)體基板的第一主面?zhèn)鹊谋魂?yáng)極氧化膜陽(yáng)極氧化，來(lái)形成具有多個(gè)細(xì)孔的多孔金屬氧化膜的工序。

根據(jù)本發(fā)明，能夠提供能夠?qū)崿F(xiàn)制造效率的改善的半導(dǎo)體裝置。

附圖說(shuō)明

圖1是示意性地表示第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖視圖。

圖2是示意性地表示第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的俯視圖。

圖3是示意性地表示作為第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的電路的安裝例的電路圖。

圖4是示意性地表示第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的形成被陽(yáng)極氧化膜的工序的流程圖。

圖5是示意性地表示第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中的進(jìn)行陽(yáng)極氧化的工序的流程圖。