[發(fā)明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880082364.5
• 申請日: 2018-12-11
• 公開（公告）號: CN111492471B
• 公開（公告）日: 2023-08-01
• 發(fā)明（設計）人: 松原弘;泉谷淳子;大江秀明;根本益太郎
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01L21/822
• 分類號: H01L21/822;G01N27/16;H01L21/316;H01L27/04
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227
• 代理人: 王瑋;張豐橋

半導體裝置(100)具備：半導體基板(110)，具有相互對置的第一主面(110A)以及第二主面(110B)；以及多孔金屬氧化膜(180)，形成在半導體基板(110)的第一主面(110A)側(cè)，并且具有多個細孔。半導體基板(110)構成為：在第一主面(110A)側(cè)具有與多孔金屬氧化膜(180)電連接的連接部(111)，并且從第二主面(110B)側(cè)到第一主面(110A)側(cè)的連接部(111)提供供電路徑。

技術領域

本發(fā)明涉及具有多孔金屬氧化膜的半導體裝置及其制造方法。

背景技術

例如，通過在酸性電解液中對鋁進行陽極氧化時形成柱狀的規(guī)則的細孔結(jié)構的自組織化來設置多孔金屬氧化膜。這樣的多孔金屬氧化膜利用增大的表面積、細孔的內(nèi)部空間、較高的規(guī)則性等，而研究了向濾波器、光子晶體、記錄介質(zhì)、傳感器等的應用。

例如，專利文獻1公開了如下的陽極氧化膜的制造方法：預先在支承基板設置通孔，之后將被陽極氧化膜粘合于支承基板，通過通孔取出陽極氧化的陽極用導線，在吸附支承基板的背面的同時使被陽極氧化膜整體浸漬于陽極氧化液來進行陽極氧化。

然而，在陽極氧化用的支承基板之上設置被陽極氧化膜來進行陽極氧化的方法中，需要從支承基板剝離通過陽極氧化制造出的多孔金屬氧化膜(陽極氧化膜)，并轉(zhuǎn)印到半導體裝置等。另外，即使將具備被陽極氧化膜的半導體裝置粘合于支承基板，在為了設置電路、元件等而在內(nèi)部具有絕緣層的半導體裝置中，也不能夠進行基于相同的方法的陽極氧化膜的制造。

例如，在專利文獻2的半導體裝置的制造方法中，公開了在半導體裝置的表面設置蝕刻為規(guī)定的圖案的被陽極氧化膜的工序、和對被陽極氧化膜進行陽極氧化處理來形成多孔金屬氧化膜的工序。

專利文獻1：日本特開昭61－99339號公報

專利文獻2：日本特開平11－006811號公報

然而，在專利文獻2所記載的半導體裝置的制造方法中，需要在半導體基板晶圓的表面?zhèn)龋O置供給用于陽極氧化的化成電壓的供電焊盤、將被陽極氧化膜與供電焊盤電連接的供電線等。因此，在半導體基板晶圓的單位表面積能夠制造的半導體裝置的數(shù)目減少。另外，若供電焊盤與各個被陽極氧化膜之間的距離、即供電線的長度不同，則陽極氧化的條件在各個被陽極氧化膜中變動，各個多孔金屬氧化膜的品質(zhì)變動。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是鑒于這樣的情況而完成的，其目的在于提供能夠?qū)崿F(xiàn)制造效率的改善的半導體裝置。

本發(fā)明的一方式的半導體裝置具備：半導體基板，具有相互對置的第一主面以及第二主面；以及多孔金屬氧化膜，形成在半導體基板的第一主面?zhèn)龋⑶揖哂卸鄠€細孔，半導體基板構成為：在第一主面?zhèn)染哂信c多孔金屬氧化膜電連接的連接部，并且從第二主面?zhèn)鹊降谝恢髅鎮(zhèn)鹊倪B接部提供供電路徑。

本發(fā)明的其它的一方式的半導體裝置的制造方法具備：準備具有相互對置的第一主面以及第二主面的半導體基板的工序；在半導體基板的第一主面?zhèn)仍O置被陽極氧化膜的工序；以及通過從半導體基板的第二主面?zhèn)冗M行供電，使設置在半導體基板的第一主面?zhèn)鹊谋魂枠O氧化膜陽極氧化，來形成具有多個細孔的多孔金屬氧化膜的工序。

根據(jù)本發(fā)明，能夠提供能夠?qū)崿F(xiàn)制造效率的改善的半導體裝置。

附圖說明

圖1是示意性地表示第一實施方式的半導體裝置的構成的剖視圖。

圖2是示意性地表示第一實施方式的半導體裝置的構成的俯視圖。

圖3是示意性地表示作為第一實施方式的半導體裝置的電路的安裝例的電路圖。

圖4是示意性地表示第一實施方式的半導體裝置的制造方法中的形成被陽極氧化膜的工序的流程圖。

圖5是示意性地表示第一實施方式的半導體裝置的制造方法中的進行陽極氧化的工序的流程圖。