[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201880082364.5
• 申請日: 2018-12-11
• 公開（公告）號: CN111492471B
• 公開（公告）日: 2023-08-01
• 發明（設計）人: 松原弘;泉谷淳子;大江秀明;根本益太郎
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01L21/822
• 分類號: H01L21/822;G01N27/16;H01L21/316;H01L27/04
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王瑋;張豐橋

1.一種半導體裝置，具備：

半導體基板，具有相互對置的第一主面以及第二主面；以及

多孔金屬氧化膜，形成在上述半導體基板的上述第一主面側，并且具有多個細孔，

上述半導體基板構成為：在上述第一主面側具有與上述多孔金屬氧化膜電連接的連接部，并且從上述第二主面側到上述第一主面側的上述連接部提供供電路徑，

在俯視上述半導體基板的上述第一主面時，上述多孔金屬氧化膜與上述連接部重疊。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

在俯視上述半導體基板的上述第一主面時，上述連接部設置于上述多孔金屬氧化膜的中央。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

上述多個細孔在上述多孔金屬氧化膜中向與上述半導體基板側的相反側開口，并且沿與上述半導體基板的上述第一主面交叉的方向延伸。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

還具備第一絕緣膜，上述第一絕緣膜設置在上述半導體基板與上述多孔金屬氧化膜之間，并且形成有通孔，

上述多孔金屬氧化膜通過上述第一絕緣膜的上述通孔與上述連接部電連接。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

上述半導體基板的電阻率在100Ω·cm以下。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

上述連接部具有雜質濃度比周圍高的高濃度區域。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

還具備第一金屬膜，上述第一金屬膜具備將上述連接部與上述多孔金屬氧化膜電連接的供電線。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中，

上述供電線與上述多孔金屬氧化膜的上述半導體基板側的面接觸。

9.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中，

上述供電線與上述多孔金屬氧化膜的端部接觸。

10.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中，

還具備電極焊盤，上述電極焊盤設置在上述半導體基板的上述第一主面側，并且與外部電路電連接，

上述多孔金屬氧化膜具有上述電極焊盤所包含的金屬材料的氧化物。

11.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中，

上述多孔金屬氧化膜具有上述供電線所包含的金屬材料的氧化物。

12.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中，

上述第一金屬膜還具備信號線，上述信號線與上述供電線電分離，并且與外部電路電連接。

13.根據權利要求8所述的半導體裝置，其中，

還具備電容器電極，上述電容器電極設置在上述多孔金屬氧化膜的與上述半導體基板側的相反側，并且向上述多個細孔的內部延伸，

將上述多孔金屬氧化膜作為介電膜，在上述供電線與上述電容器電極之間形成靜電電容。

14.根據權利要求1～12中的任意一項所述的半導體裝置，其中，

上述半導體裝置還具備：

第一電容器電極，設置在上述多孔金屬氧化膜的與上述半導體基板側的相反側，并且向上述多個細孔的內部延伸；

介電膜，設置在上述第一電容器電極的與上述半導體基板側的相反側，并且向上述多個細孔的內部延伸；以及

第二電容器電極，夾著上述介電膜與上述第一電容器電極對置，

在上述第一電容器電極與上述第二電容器電極之間形成靜電電容。