[發(fā)明專利]混合濾波器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880082140.4 | 申請日: | 2018-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN111512547B | 公開(公告)日: | 2023-10-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | M·???/a>;R·羅塞齊恩 | 申請(專利權(quán))人: | RF360新加坡私人有限公司 |
| 主分類號: | H03H9/05 | 分類號: | H03H9/05;H03H9/54;H03H9/58;H03H9/60 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 傅遠(yuǎn) |
| 地址: | 新加坡*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 混合 濾波器 | ||
本發(fā)明使用同一襯底在單個設(shè)備上組合兩種濾波技術(shù)。在該襯底上布置濾波器電路,該濾波器電路具有串聯(lián)阻抗元件和并聯(lián)阻抗元件的階梯型布置或點陣型布置,以提供具有例如帶通功能的混合濾波器。阻抗元件選自BAW諧振器和LC元件。
背景技術(shù)
聲學(xué)濾波器通常具有階梯型結(jié)構(gòu)或點陣型結(jié)構(gòu)。在階梯型結(jié)構(gòu)中,串聯(lián)諧振器和并聯(lián)諧振器被組合以生成期望濾波器功能,例如,帶通功能。在點陣型結(jié)構(gòu)中,具有串聯(lián)諧振器的兩個串聯(lián)信號線與并聯(lián)支路互連,其中分別布置并聯(lián)諧振器。這種濾波器結(jié)構(gòu)的可實現(xiàn)帶寬可以估計為所用諧振器的極點-零點距離(PZD)的大約兩倍。這種濾波器結(jié)構(gòu)的標(biāo)準(zhǔn)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)使用SAW諧振器或BAW諧振器,兩者的PZD相當(dāng)。由于BAW諧振器與SAW諧振器相比較時,它們的功率電阻更高,所以在高于2GHz的頻率下并且在要處理高功率信號的所有情況下,優(yōu)選BAW諧振器。
對于最近出現(xiàn)的高頻高帶寬應(yīng)用,要求超出了這些標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)的可實現(xiàn)性能。因此,需要非標(biāo)準(zhǔn)拓?fù)洹?/p>
LC元件還可以用于形成濾波器結(jié)構(gòu)。盡管LC濾波器的帶寬較高,但是由于Q因子較低,因此可實現(xiàn)的通帶的裙邊不如SAW技術(shù)或BAW技術(shù)中的聲學(xué)諧振器的陡峭。
為了進一步提高濾波器通帶的臨界裙邊的性能,聲學(xué)諧振器與LC元件結(jié)合使用以增強裙邊的陡度,從而維持高帶寬。
在公開的專利申請US 2017/0077079 A1中描述了一種提高LC元件的質(zhì)量的最新方法。在該最近方法中,玻璃襯底用于在嵌入電介質(zhì)的多層金屬化中構(gòu)建高Q LC元件。通孔用于互連不同的金屬化層級并且提高集成因子。在下文中,這些LC元件稱為POG元件(玻璃上無源元件),而相關(guān)的制造工藝稱為POG工藝。
另一方面,BAW濾波器通常形成在半導(dǎo)體晶圓上,以用于其中半導(dǎo)體設(shè)備的可能集成。
因此,通過組合BAW結(jié)構(gòu)和LC結(jié)構(gòu)形成混合濾波器導(dǎo)致了用于實現(xiàn)該組合的兩個不同且因此分離的襯底的缺點。需要兩個管芯導(dǎo)致大量面積消耗,這在移動設(shè)備或手持設(shè)備中可能至關(guān)重要。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種克服了上文所提及的問題的濾波器。
該目的和其他目的通過根據(jù)權(quán)利要求1的混合濾波器來實現(xiàn)。本發(fā)明的其他實施例是其他權(quán)利要求的主題。
本發(fā)明的總體思想是要把這兩種技術(shù)使用同一襯底組合在單個設(shè)備上。在該襯底上,布置了具有串聯(lián)阻抗元件和并聯(lián)阻抗元件的階梯型布置或點陣型布置的濾波器電路。阻抗元件選自BAW諧振器和LC元件。LC元件至少包括金屬-絕緣體-金屬電容器(MIM電容器)和線圈。LC元件由多層級金屬化形成。所述多層級金屬化的每個層級包括嵌入電介質(zhì)中的至少一個LC元件。以同一金屬化層級形成的LC元件通過導(dǎo)體線電連接。這些線可以在集成工藝中與LC元件平行形成。以不同金屬化層級形成的LC元件通過通孔互連。這些導(dǎo)體線和通孔還可以用于將LC元件連接到同一晶圓上的BAW諧振器,這取決于它們是布置在設(shè)備的同一平面中還是布置在不同平面中。
這種新方法導(dǎo)致減少了的所需開銷,即,減少了連接工作量,減少了焊盤和較小的導(dǎo)體線的數(shù)目,因此減少了電阻,從而減少了電損耗。此外,與使用兩個不同晶圓作為襯底的解決方案相比較,面積消耗得以減少。
在其上實現(xiàn)LC元件的優(yōu)選襯底是玻璃晶圓。那些晶圓不導(dǎo)電,并且可以設(shè)有平整且平坦的表面。玻璃襯底對于在其上構(gòu)建BAW諧振器也非常有益。在當(dāng)前BAW處理中,例如,使用經(jīng)過特殊處理以降低其電導(dǎo)的硅晶圓。由玻璃晶圓制成的襯底進一步降低寄生電導(dǎo)。
然而,如果任何BAW工藝都需要與標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體工藝兼容的硅晶圓,則POG工藝也可以在通常用于BAW設(shè)備的另一這樣的襯底上進行。在兩種方法中的任一方法中,僅需要一個襯底,并且整個設(shè)備的必要面積減少到以不同技術(shù)形成的兩個結(jié)構(gòu)中的較大結(jié)構(gòu)的面積。
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