[發明專利]混合濾波器有效
| 申請號: | 201880082140.4 | 申請日: | 2018-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN111512547B | 公開(公告)日: | 2023-10-24 |
| 發明(設計)人: | M·希克;R·羅塞齊恩 | 申請(專利權)人: | RF360新加坡私人有限公司 |
| 主分類號: | H03H9/05 | 分類號: | H03H9/05;H03H9/54;H03H9/58;H03H9/60 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 傅遠 |
| 地址: | 新加坡*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 混合 濾波器 | ||
1.一種混合濾波器,包括
-襯底(SU);
-濾波器電路,具有從BAW諧振器(BR)和LC元件中選擇的串聯阻抗元件和并聯阻抗元件的階梯型布置或點陣布置,所述濾波器電路布置在所述襯底上,
其中
-所述LC元件包括金屬-絕緣體-金屬電容器(MIM)和線圈(IND),
-所述LC元件由多級金屬化(MLM)形成,
-所述LC元件的每個金屬化級(ML)被嵌入電介質(DE)中,
-以同一金屬化級形成的LC元件通過導體線電連接,
-以不同金屬化級形成的LC元件通過通孔(ICN)互連。
2.根據前述權利要求所述的混合濾波器,
其中所述襯底(SU)是玻璃襯底。
3.根據前述權利要求所述的混合濾波器,
其中所述LC元件(MIM,IND)被體現為玻璃上無源元件。
4.根據前述權利要求所述的混合濾波器,
-其中所述LC元件形成在所述玻璃襯底(SU)上,
-其中平面電介質層布置在所述LC元件上方,
-其中所述BAW諧振器(BR)直接形成在所述平面電介質層上。
5.根據權利要求1至3中一項所述的混合濾波器,
其中所述BAW諧振器(BR)形成在所述襯底(SU)的所述表面上,
其中每個BAW諧振器至少包括頂部聲學反射鏡,
其中所述LC元件作為無源元件形成在所述頂部聲學反射鏡上。
6.根據權利要求1至3中一項所述的混合濾波器,
其中所述LC元件和所述BAW諧振器(BR)形成在所述襯底(SU)的相對的表面上。
7.根據權利要求1至3中一項所述的混合濾波器,
其中所述LC元件和所述BAW諧振器(BR)彼此相鄰地形成在所述襯底(SU)的同一表面上。
8.根據權利要求4所述的混合濾波器,
其中所述平面電介質層包括經拋光的氧化硅層。
9.根據前述權利要求中一項所述的混合濾波器,
其中所述濾波器電路的所有外部接觸焊盤(CP)布置在所述BAW諧振器(BR)的所述頂部表面上。
10.根據前述權利要求中一項所述的混合濾波器,
其中所述濾波器電路包括作為所述階梯型布置或點陣型布置的串聯阻抗元件(IES)的金屬-絕緣體-金屬電容器(MIM)、和作為所述階梯型布置或點陣型布置的并聯電抗元件(IEP)的線圈(IND),
其中所述BAW諧振器(BR)和所述LC元件(MIM,IND)通過通孔互連。
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