[發(fā)明專利]脫模膜

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880081983.2
• 申請日: 2018-12-13
• 公開（公告）號: CN111491771B
• 公開（公告）日: 2022-04-01
• 發(fā)明（設計）人: 荘司秀夫;田中照也;真鍋功
• 申請（專利權）人: 東麗株式會社
• 主分類號: B29C33/68
• 分類號: B29C33/68;B29C43/32;B32B27/00;H01L21/56;C08J5/18;C08J7/04
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 李淵茹;段承恩

本發(fā)明的課題是提供，通過具有模具追隨性、耐熱性優(yōu)異，并且抑制加熱時產生的褶皺，在大變形后脫模性也不易變化的特性，從而可以適合用于工序用途、特別是半導體密封工序用途的脫模膜。解決手段是一種工序用脫模膜，在將利用TMA測得的、以10℃/分鐘從30℃升溫到200℃時的30℃～150℃中的最大尺寸變化率設為S1(％)，將提供S1的溫度設為T1(℃)，且將40℃下的尺寸變化率設為S0(％)時，滿足下述(I)和(II)式，25℃下的表面自由能Sa(mN/mm)、在180℃下進行了3分鐘熱處理后的表面自由能Sb(mN/mm)和在180℃下伸長50％后的表面自由能Sc(mN/mm)在膜的至少一面滿足下述(III)和(IV)式。0≤S1≤1.5 (I);0≤|S1?S0|/(T1?40)≤0.050 (II);0≤|Sa?Sb|≤15 (III);0≤|Sa?Sc|≤15 (IV)。

技術領域

本發(fā)明涉及脫模膜，可以適合用于電路制造工序、半導體制造工序等用途，特別是可以適合用作半導體密封工序用脫模膜。

背景技術

以保護其不受光、熱、水分、物理沖擊等外部干擾作為目的，半導體芯片被樹脂密封，作為被稱為封裝的成型品而被安裝在基板上。半導體芯片的密封使用了環(huán)氧樹脂等固化性樹脂。作為半導體芯片的密封方法，已知所謂的傳遞成型法或壓縮成型法，但近年來，以半導體晶片的大面積化、封裝的低高度化、多管腳化這樣的形狀的傾向作為背景而導入壓縮成型法。

壓縮成型法是在加熱狀態(tài)下通過模具升降來將熔融了的密封樹脂進行壓縮、固化的方法。此時，為了確保模具與密封樹脂的脫模性，在它們之間插入脫模膜的方法是一般方法。作為脫模膜，廣泛使用脫模性、耐熱性、和對模具形狀的追隨性優(yōu)異的乙烯-四氟乙烯共聚物的膜，但具有通過加熱時的膨脹而產生的褶皺轉印于封裝表面的課題，期望改善。

為了解決這樣的課題，迄今為止提出了下述那樣的膜。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2016-92272號公報

專利文獻2：日本特開2016-127091號公報

發(fā)明內容

發(fā)明所要解決的課題

然而，專利文獻1、2所記載的疊層了脫模層的聚酯膜雖然以相對于乙烯-四氟乙烯共聚物的膜而言尺寸穩(wěn)定性高的聚酯作為基材，但上述加熱時產生褶皺的課題未被改善。進而具有下述問題：模具追隨性或耐熱性不充分，并且，在膜的變形量大的位置失去脫模性，不能部分地剝離。

本發(fā)明的課題是解決上述現有技術的問題。即，提供通過具有模具追隨性、耐熱性優(yōu)異，并且抑制加熱時產生的褶皺，在大變形后脫模性也不易變化的特性，從而可以適合用于工序用途、特別是半導體密封工序用途的脫模膜。

用于解決課題的方法

用于解決這樣的課題的本發(fā)明的主旨如下所述。

(1)

一種工序用脫模膜，在將利用熱機械分析(TMA)測得的、以10℃/分鐘從30℃升溫到200℃時的30℃～150℃中的最大尺寸變化率設為S1(％)，將提供S1的溫度設為T1(℃)，且將40℃下的尺寸變化率設為S0(％)時，滿足下述(I)和(II)式，25℃下的表面自由能Sa(mN/mm)、在180℃下進行了3分鐘熱處理后的表面自由能Sb(mN/mm)、以及在180℃下伸長50％后的表面自由能Sc(mN/mm)在膜的至少一面滿足下述(III)和(IV)式。

0≤S1≤1.5 (I)

0≤|S1-S0|/(T1-40)≤0.050 (II)

0≤|Sa-Sb|≤15 (III)

0≤|Sa-Sc|≤15 (IV)