[發明專利]脫模膜

有效

• 申請號: 201880081983.2
• 申請日: 2018-12-13
• 公開（公告）號: CN111491771B
• 公開（公告）日: 2022-04-01
• 發明（設計）人: 荘司秀夫;田中照也;真鍋功
• 申請（專利權）人: 東麗株式會社
• 主分類號: B29C33/68
• 分類號: B29C33/68;B29C43/32;B32B27/00;H01L21/56;C08J5/18;C08J7/04
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 李淵茹;段承恩

1.一種工序用脫模膜，在將利用熱機械分析即TMA測得的、以10℃/分鐘從30℃升溫到200℃時的30℃～150℃中的最大尺寸變化率設為S1，將提供S1的溫度設為T1，且將40℃時的尺寸變化率設為S0時，滿足下述(I)和(II)式；25℃時的表面自由能Sa、在180℃進行了3分鐘熱處理后的表面自由能Sb、以及在180℃伸長50％后的表面自由能Sc在膜的至少一面滿足下述(III)和(IV)式；其中，S0和S1的單位是％，T1的單位是℃，Sa、Sb和Sc的單位是mN/mm，

0≤S1≤1.5 (I)

0≤|S1-S0|/(T1-40)≤0.050 (II)

0≤|Sa-Sb|≤15 (III)

0≤|Sa-Sc|≤15 (IV)

所述工序用脫模膜在至少一側的表面具有厚度為50nm以上且500nm以下的脫模層。

2.根據權利要求1所述的工序用脫模膜，其至少一面的使用原子力顯微鏡測得的表面彈性模量為50～3000MPa。

3.根據權利要求1～2中任一項所述的工序用脫模膜，其至少一面的表面彈性模量的均方根Rq為50～500MPa。

4.根據權利要求1所述的工序用脫模膜，其通過差示掃描型熱分析計即DSC觀察到的熔融峰的最大溫度Tm為240℃以上且265℃以下。

5.根據權利要求1所述的工序用脫模膜，其至少一面的膜表面的極性力為0.1mN/m以上且5.0mN/m以下。

6.根據權利要求5所述的工序用脫模膜，該脫模層的厚度不均為50nm以下。

7.根據權利要求1所述的工序用脫模膜，其180℃時的表面斷裂伸長率超過0％且為30％以下。

8.根據權利要求1所述的工序用脫模膜，其穿刺強度為2N以上且10N以下。

9.根據權利要求1所述的工序用脫模膜，其是具有聚酯A層和聚酯B層的疊層聚酯膜，所述聚酯B層的熔點比聚酯A層的熔點低，所述工序用脫模膜是由A層與B層交替地疊層3層以上且1000層以下而成的。

10.根據權利要求9所述的工序用脫模膜，在該聚酯A層中包含聚酯和/或聚醚酰亞胺，所述聚酯包含選自雙酚A氧化乙烯、螺環二醇、環己烷二甲酸、萘二甲酸中的至少1種以上共聚成分。

11.根據權利要求1所述的工序用脫模膜，在從膜最表面起到距離該膜最表面10μm為止的厚度范圍內具有厚度為3μm以上且10μm以下的聚酯A層。

12.根據權利要求1所述的工序用脫模膜，其用于半導體制造的工序膜用途。

13.根據權利要求1所述的工序用脫模膜，其用于半導體壓縮模塑成型即壓縮成型用途。