[發明專利]形成半導體時的升華

在審

• 申請號: 201880081263.6
• 申請日: 2018-12-03
• 公開（公告）號: CN111492461A
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發明（設計）人: M·S·托魯姆
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/768;H01L21/67
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種用于形成半導體裝置的方法，其包括：

在結構的開口中形成犧牲材料，其中所述犧牲材料使在濕法清潔操作中使用的溶劑移位；及

通過將所述犧牲材料暴露于次大氣壓而經由升華移除所述犧牲材料。

2.根據權利要求1所述的方法，其中響應于執行所述濕法清潔操作而在所述結構的所述開口中形成所述犧牲材料。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述溶劑是異丙醇IPA。

4.根據權利要求1所述的方法，其中將所述犧牲材料旋涂到所述結構的所述開口中。

5.根據權利要求1到4中任一權利要求所述的方法，其中所述犧牲材料防止所述結構干燥時的圖案倒塌。

6.一種用于形成半導體裝置的方法，其包括：

在結構的開口中形成犧牲材料，其中所述犧牲材料使在濕法清潔操作中使用的溶劑移位；及

通過加熱所述結構而經由升華移除所述犧牲材料。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述犧牲材料在未熔融的情況下熱分解成氣態產物。

8.根據權利要求6所述的方法，其包含在形成所述犧牲材料之前使用所述溶劑來濕法清潔所述結構。

9.根據權利要求1到6中任一權利要求所述的方法，其包含容許所述溶劑在移除所述犧牲材料之前蒸發。

10.一種用于形成半導體裝置的方法，其包括：

使用反應性氣體在結構的開口中形成犧牲材料，其中所述犧牲材料使在濕法清潔操作中使用的溶劑移位；及

通過從所述結構移除所述反應性氣體而經由升華移除所述犧牲材料。

11.根據權利要求10所述的方法，其中所述犧牲材料是甲酸銨，且是使用甲酸作為溶液及氨作為所述反應性氣體而形成。

12.根據權利要求10所述的方法，其中所述犧牲材料是醋酸銨，且是使用醋酸作為所述溶液及氨作為所述反應性氣體而形成。

13.根據權利要求10所述的方法，其中所述犧牲材料是氨基甲酸銨，且是使用氨NH₃溶液及二氧化碳CO₂作為所述反應性氣體而形成。

14.根據權利要求10到13中任一權利要求所述的方法，其中所述犧牲材料響應于從所述結構移除所述反應性氣體而分解成氣體混合物。

15.根據權利要求10到13中任一權利要求所述的方法，其包含容許所述溶劑在二氧化碳CO₂氣氛中蒸發。

16.一種半導體處理系統，其包括：

腔室，其用于在結構的開口中形成犧牲材料，其中所述犧牲材料使在濕法清潔操作中使用的溶劑移位；

載體，其用于固持包含具有所述開口的所述結構的一批半導體晶片；及

工具，其用于經由升華移除所述犧牲材料。

17.根據權利要求16所述的系統，其中所述工具包含泵以將所述腔室加壓到次大氣壓而經由升華移除所述犧牲材料。

18.根據權利要求16到17中任一權利要求所述的系統，其中所述工具包含溫度控件以加熱所述結構而經由升華移除所述犧牲材料。

19.根據權利要求16到17中任一權利要求所述的系統，其中所述工具包含氣體沖洗以從所述腔室移除氣體而經由升華移除所述犧牲材料。

20.根據權利要求16所述的系統，其中所述工具包含真空以產生次大氣壓而經由升華移除所述犧牲材料。