[發明專利]形成半導體時的升華

在審

• 申請號: 201880081263.6
• 申請日: 2018-12-03
• 公開（公告）號: CN111492461A
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發明（設計）人: M·S·托魯姆
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/768;H01L21/67
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

本發明包含與形成半導體時的升華相關的設備及方法。在實例中，一種方法可包含：在結構的開口中形成犧牲材料，其中所述犧牲材料使在濕法清潔操作中使用的溶劑移位；及通過將所述犧牲材料暴露于次大氣壓而經由升華移除所述犧牲材料。

技術領域

本發明大體上涉及半導體處理，且更特定來說，涉及在形成半導體時使用升華。

背景技術

半導體處理(例如，制造)可用于形成半導體裝置，例如集成電路、存儲器裝置、微機電裝置(MEMS)等。

可通過半導體處理形成的存儲器裝置的實例包含但不限于：易失性存儲器(例如，其可需要電源來維持其數據)，例如隨機存取存儲器(RAM)、動態隨機存取存儲器(DRAM)、同步動態隨機存取存儲器(SDRAM)等等；及非易失性存儲器(例如，其可通過在未被供電時保持經存儲數據而提供永久性數據)，例如NAND快閃存儲器、NOR快閃存儲器、只讀存儲器(ROM)、電可擦除可編程ROM(EEPROM)、可擦除可編程ROM(EPROM)等等。

半導體處理可涉及形成可被稱為晶片或襯底的(例如，硅的)半導體上及/或中的特征(例如，圖案)。在一些實例中，一或多個材料，例如硅基材料(例如，氧化硅(SiO)、碳化硅(SiN)、原硅酸四乙酯(TEOS)及/或多晶硅)可形成在半導體上。例如，可使用沉積工藝(例如物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)、原子層沉積(ALD)、電化學沉積及/或分子束外延等等)將一或多個材料形成在半導體上。

隨后，可例如通過濕法及/或干法蝕刻移除一或多個材料的部分(及在一些情況下，半導體的部分)以形成特征。在一些實例中，特征可具有高縱橫比(例如，高度對寬度或直徑的比)且可被稱為高縱橫比(HAR)特征。例如，特征可能通過HAR開口彼此分離。

在處理期間，半導體及特征可經受濕法處理(例如濕法清潔)及后續干燥。例如，濕法清潔可有助于例如通過移除工藝或其它處理移除留下的殘余物。

附圖說明

圖1呈現特征傾倒的各種實例。

圖2A到2D說明根據本發明的數個實施例的與形成半導體裝置相關聯的處理步驟的橫截面視圖。

圖3是根據本發明的數個實施例的與形成半導體裝置相關聯的處理步驟的實例。

圖4是根據本發明的數個實施例的結合與形成半導體裝置相關聯的處理步驟使用的處理設備的框圖說明。

圖5是至少部分根據本發明的數個實施例形成的設備的框圖說明。

具體實施方式

本發明包含與形成半導體裝置(例如集成電路、存儲器裝置、MEMS等等)相關聯的處理方法。形成半導體裝置的實例可包含：在結構的開口中形成犧牲材料，其中所述犧牲材料使在濕法清潔操作中使用的溶劑移位；及通過將所述犧牲材料暴露于次大氣壓而經由升華移除所述犧牲材料。

相較于先前方法，本發明的實施例提供技術優點，例如降低處理期間的特征倒塌(例如，傾倒)的可能性。例如，數個實施例在結構(例如待用于半導體裝置(例如，存儲器裝置)中的結構)中的特征之間的開口中形成犧牲材料，所述犧牲材料用于防止在濕法清潔工藝結束時結構干燥時或在處理(例如，形成半導體裝置)期間將結構從一個處理工具移動到另一處理工具時的特征倒塌(例如，有時被稱為圖案倒塌)。

一些先前方法可包含：在干法蝕刻工具處例如通過干法蝕刻而在結構中形成特征：及將結構移動到濕法清潔工具(例如，以從結構清潔來自干法蝕刻的殘余物)。在清潔之后，來自濕法清潔工具的溶劑可保留在結構上。