[發明專利]氧化物燒結體、濺射靶及氧化物薄膜

有效

• 申請號: 201880079685.X
• 申請日: 2018-12-27
• 公開（公告）號: CN111448336B
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發明（設計）人: 寺村享祐
• 申請（專利權）人: 三井金屬礦業株式會社
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C04B35/01;C23C14/08;H01L21/363;H01L29/786
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 陳建全

實施方式的一個方案的氧化物燒結體是包含銦(In)、鎵(Ga)、鋅(Zn)、錫(Sn)、鋁(Al)、氧(O)和不可避免的雜質的氧化物燒結體，各元素的原子比滿足下述式(1)～(4)。0.70≤(In+Zn+Sn)/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.98 (1)；0.01≤Ga/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.29 (2)；0.01≤Al/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.10 (3)；0.50In/(In+Ga+Zn+Al)≤0.90 (4)。

技術領域

公開的實施方式涉及氧化物燒結體、濺射靶及氧化物薄膜。

背景技術

以往，已知有用于形成IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)等氧化物半導體薄膜的濺射靶(例如參照專利文獻1)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2016-26389號公報

發明內容

發明所要解決的課題

然而，通過以往的濺射靶來形成的氧化物半導體薄膜對于載流子遷移率仍存在改善的余地。

實施方式的一個方案是鑒于上述情況而進行的，目的是提供能夠使用于濺射靶來形成的氧化物半導體薄膜的載流子遷移率提高的氧化物燒結體。

用于解決課題的手段

根據實施方式的一個方案的氧化物燒結體，其是包含銦(In)、鎵(Ga)、鋅(Zn)、錫(Sn)、鋁(Al)、氧(O)和不可避免的雜質的氧化物燒結體，其中，各元素的原子比滿足下述式(1)～(4)。

0.70≤(In+Zn+Sn)/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.98 (1)

0.01≤Ga/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.29 (2)

0.01≤Al/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.10 (3)

0.50In/(In+Ga+Zn+Al)≤0.90 (4)

發明效果

根據實施方式的一個方案，能夠使所形成的氧化物半導體薄膜的載流子遷移率提高。

附圖說明

圖1是表示將實施例1～4及比較例2的氧化物半導體薄膜應用于溝道層而得到的TFT元件的結構的剖視圖。

具體實施方式

以下，參照附圖對本申請所公開的氧化物燒結體、濺射靶及氧化物薄膜的實施方式進行說明。需要說明的是，本發明不受以下所示的實施方式的限定。

實施方式的氧化物燒結體包含銦(In)、鎵(Ga)、鋅(Zn)、錫(Sn)、鋁(Al)、氧(O)和不可避免的雜質，可以作為濺射靶使用。

實施方式的氧化物燒結體的各元素的原子比滿足以下的式(1)～(4)。

0.70≤(In+Zn+Sn)/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.98 (1)

0.01≤Ga/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.29 (2)

0.01≤Al/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.10 (3)

0.50In/(In+Ga+Zn+Al)≤0.90 (4)

由此，能夠使將所述氧化物燒結體用于濺射靶來形成的氧化物半導體薄膜的載流子遷移率提高。

另外，實施方式的氧化物燒結體的各元素的原子比優選滿足以下的式(5)～(8)，