[發明專利]氧化物燒結體、濺射靶及氧化物薄膜有效
| 申請號： | 201880079685.X | 申請日： | 2018-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN111448336B | 公開（公告）日： | 2022-03-01 |
| 發明（設計）人： | 寺村享祐 | 申請（專利權）人： | 三井金屬礦業株式會社 |
| 主分類號： | C23C14/34 | 分類號： | C23C14/34;C04B35/01;C23C14/08;H01L21/363;H01L29/786 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 陳建全 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氧化物 燒結 濺射 薄膜 | ||
1.一種氧化物燒結體，其是包含銦(In)、鎵(Ga)、鋅(Zn)、錫(Sn)、鋁(Al)、氧(O)和不可避免的雜質的氧化物燒結體，其中，各元素的原子比滿足下述式(1)～(4)，
0.70≤(In+Zn+Sn)/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.98 (1)
0.01≤Ga/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.29 (2)
0.01≤Al/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.10 (3)
0.50In/(In+Ga+Zn+Al)≤0.90 (4)。
2.根據權利要求1所述的氧化物燒結體，其中，各元素的原子比滿足下述式(5)～(8)，
0.70≤(In+Zn+Sn)/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.97 (5)
0.02≤Ga/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.29 (6)
0.01≤Al/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.10 (7)
0.50In/(In+Ga+Zn+Al)≤0.90 (8)。
3.根據權利要求1或2所述的氧化物燒結體，其中，各元素的原子比滿足下述式(9)～(12)，
0.80≤(In+Zn+Sn)/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.97 (9)
0.02≤Ga/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.19 (10)
0.01≤Al/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.07 (11)
0.51≤In/(In+Ga+Zn+Al)≤0.80 (12)。
4.根據權利要求1或2所述的氧化物燒結體，其中，各元素的原子比滿足以下的式(13)～(16)，
0.85≤(In+Zn+Sn)/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.97 (13)
0.02≤Ga/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.14 (14)
0.01≤Al/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.04 (15)
0.51≤In/(In+Ga+Zn+Al)≤0.70 (16)。
5.根據權利要求1或2所述的氧化物燒結體，其中，各元素的原子比滿足下述式(17)～(20)，
0.90≤(In+Zn+Sn)/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.97 (17)
0.02≤Ga/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.05 (18)
0.01≤Al/(In+Ga+Zn+Sn+Al)≤0.04 (19)
0.52≤In/(In+Ga+Zn+Al)≤0.65 (20)。
6.根據權利要求1或2所述的氧化物燒結體，其中，各元素的原子比滿足下述式(21)～(23)，
0.40≤In/(In+Zn+Sn)≤0.90 (21)
0.05≤Zn/(In+Zn+Sn)≤0.55 (22)
0.05≤Sn/(In+Zn+Sn)≤0.20 (23)。
7.根據權利要求1或2所述的氧化物燒結體，其中，各元素的原子比滿足下述式(24)～(26)，
0.40≤In/(In+Zn+Sn)≤0.60 (24)
0.15≤Zn/(In+Zn+Sn)≤0.50 (25)
0.08≤Sn/(In+Zn+Sn)≤0.19 (26)。
8.根據權利要求1或2所述的氧化物燒結體，其中，各元素的原子比滿足下述式(27)～(29)，
0.45≤In/(In+Zn+Sn)≤0.55 (27)
0.25≤Zn/(In+Zn+Sn)≤0.40 (28)
0.12≤Sn/(In+Zn+Sn)≤0.18 (29)。
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