[發明專利]圖案形成方法、晶體管的制造方法和圖案形成用部件

有效

• 申請號: 201880079273.6
• 申請日: 2018-12-11
• 公開（公告）號: CN111433675B
• 公開（公告）日: 2023-08-29
• 發明（設計）人: 川上雄介
• 申請（專利權）人: 株式會社尼康
• 主分類號: G03F7/004
• 分類號: G03F7/004;C07F7/18;G03F7/09;G03F7/095;G03F7/20
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 于潔;褚瑤楊

1.一種圖案形成方法，其是在對象物的被處理面上形成圖案的圖案形成方法，其包括下述工序：

第1層形成工序，在所述被處理面上形成第1層，該第1層包含具有能夠用酸分解、并且還能夠用光分解的保護基團的化合物，

第2層形成工序，在所述第1層上形成包含通過曝光而產生酸的光產酸劑的第2層，

曝光工序，對所述第1層和所述第2層進行曝光，在所述第1層上形成由曝光區域和未曝光區域構成的潛像，以及

配置工序，將圖案形成材料配置在所述曝光區域或所述未曝光區域，

所述化合物為下述通式(1)所表示的含氟化合物，

[化1]

通式(1)中，X表示鹵原子或烷氧基，R¹表示氫原子或者碳原子數為1～10的直鏈狀、支鏈狀或環狀的烷基，R^f1、R^f2各自獨立地為烷氧基、硅氧基或氟代烷氧基，n表示0以上的整數。

2.如權利要求1所述的圖案形成方法，其中，與所述未曝光區域相比，所述曝光區域相對具有親水性。

3.如權利要求1或2所述的圖案形成方法，其中，所述圖案為電子器件用的電路圖案。

4.如權利要求1或2所述的圖案形成方法，其中，在所述曝光工序中，隔著所述第2層對所述第1層進行曝光。

5.如權利要求1或2所述的圖案形成方法，其中，在所述曝光工序中，隔著所述第1層對所述第2層進行曝光。

6.如權利要求1或2所述的圖案形成方法，其中，在所述配置工序中，將圖案形成材料配置在所述曝光區域。

7.如權利要求1或2所述的圖案形成方法，其中，所述化合物中，通過所述保護基團被分解而生成氨基。

8.如權利要求1或2所述的圖案形成方法，其中，所述圖案形成材料包含液態導電材料、液態半導體材料或液態絕緣材料。

9.如權利要求1或2所述的圖案形成方法，其中，所述曝光的光包含波長處于200nm～450nm的范圍的光。

10.如權利要求1或2所述的圖案形成方法，其中，所述對象物為由樹脂材料形成的基板。

11.如權利要求1或2所述的圖案形成方法，其中，所述對象物為具有撓性的基板。

12.一種晶體管的制造方法，其是具有柵電極、源電極以及漏電極的晶體管的制造方法，其包括利用權利要求1～11中任一項所述的圖案形成方法形成所述柵電極、所述源電極、所述漏電極中的至少1種電極的工序。

13.一種圖案形成方法，其是在對象物的被處理面上形成圖案的圖案形成方法，其包括下述工序：

第1層形成工序，在所述被處理面上形成第1層，該第1層包含具有能夠用酸分解、并且還能夠用光分解的保護基團的化合物，

第2層形成工序，在所述第1層上形成包含通過曝光而產生酸的光產酸劑的第2層，

曝光工序，對所述第1層和所述第2層進行曝光，在所述第1層上形成由曝光區域和未曝光區域構成的潛像，以及

化學鍍覆工序，將化學鍍覆用催化劑配置在所述曝光區域或未曝光區域，進行化學鍍覆，

所述化合物為下述通式(1)所表示的含氟化合物，

[化2]

通式(1)中，X表示鹵原子或烷氧基，R¹表示氫原子或者碳原子數為1～10的直鏈狀、支鏈狀或環狀的烷基，R^f1、R^f2各自獨立地為烷氧基、硅氧基或氟代烷氧基，n表示0以上的整數。

14.如權利要求13所述的圖案形成方法，其中，與所述未曝光區域相比，所述曝光區域相對具有親水性。