[發明專利]對于旋轉晶片的處理模塊的處理站的自動更正在審
| 申請號: | 201880079186.0 | 申請日: | 2018-11-07 |
| 公開(公告)號: | CN111448645A | 公開(公告)日: | 2020-07-24 |
| 發明(設計)人: | 雅各布·海斯特;里奇·布蘭克;彼得·塔拉德;保羅·康科拉 | 申請(專利權)人: | 朗姆研究公司 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677;H01L21/67;H01L21/687;H01L21/68 |
| 代理公司: | 上海勝康律師事務所 31263 | 代理人: | 樊英如;張靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 對于 旋轉 晶片 處理 模塊 自動 更正 | ||
一種用于校正的方法包括:測定處理模塊的基座在用于處理的溫度條件下因溫度導致的偏移的方法。該方法包括:通過機械手將晶片傳送至所述處理模塊的所述基座,并檢測移入偏移值。該方法包括:使所述基座上的所述晶片旋轉一定角度。該方法包括:通過所述機械手,將所述晶片從所述基座移開,并測量移出偏移值。該方法包括:利用所述移入偏移值和所述移出偏移值,測定所述溫度導致的偏移的幅值和方向。
技術領域
本發明的實施方案涉及機械手,尤其是用于晶片處理系統中的機械手。
背景技術
在半導體處理系統中,機械手用于將晶片從一位置移到另一位置。例如,可采用一或更多個機械手,以從裝載端口中的晶片匣(wafer cassette)拾取晶片,將晶片移至裝載鎖(load lock)、將晶片移至一或更多中間位置(如輸送模塊)、并將晶片移至處理模塊或反應器以進行晶片處理。
為準確放置并拾取晶片,機械手需知道晶片處理系統中各個位置的坐標。在機械手安裝于晶片處理系統中后,可在設定過程中,將坐標編程至相應的機械手中。依照這種方式,機械手所使用的傳遞(如拾取及放置)位置便是已知的。例如,機械手可用于將晶片從輸送模塊傳送至處理模塊,如基座中心。一般而言,技術人員或現場服務工程師是在處理模塊呈冷狀態時執行設定處理。然而,一旦處理模塊處于真空下或升溫至較高溫時,處理模塊內特定位置(如基座的中心)的坐標可能已移動。因此,期望能夠在處理條件期間將晶片準確地放置在特定位置,以減少晶片處理期間引起的誤差,并實現半導體裝置和/或集成電路的小型封裝設計(small form factor)。
這里提供的背景描述是為了總體呈現本公開的背景的目的。在此背景技術部分以及在提交申請時不能確定為現有技術的描述的各方面中描述的范圍內的當前指定的發明人的工作既不明確也不暗示地承認是針對本公開的現有技術。
就是在該背景下提出了本公開。
發明內容
本發明的實施方案涉及解決相關技術所發現的一或更多問題,尤其涉及測量處于條件下的處理模塊內的特定位置的偏移,如與裝置相關聯的位置的偏移。
本公開的實施方案包括用于校正的方法,該方法包括:測定處理模塊的基座在用于處理的溫度條件下因溫度導致的偏移的方法。該方法包括:通過機械手將晶片傳送至所述處理模塊的所述基座,并檢測移入偏移值。該方法包括:使所述基座上的所述晶片旋轉一定角度。該方法包括:通過所述機械手,將所述晶片從所述基座移開,并測量移出偏移值。該方法包括:利用所述移入偏移值和所述移出偏移值,測定所述溫度導致的偏移的幅值和方向。
本公開的實施方案包括用于校正的方法。該方法包括:根據處理模塊內的旋轉裝置的旋轉軸的初始校正位置,建立參考坐標系統。該方法包括:施加條件至所述處理模塊。該方法包括:使用輸送模塊(TM)機械手,從入站裝載鎖拾取校準晶片,所述輸送模塊(TM)機械手被配置成用于將所述校準晶片輸送至所述處理模塊。該方法包括:當將所述校準晶片輸送至所述處理模塊時,使用測量裝置來測定所述校準晶片的在所述參考坐標系統內的第一測量值,所述測量裝置固定在所述參考坐標系統內。該方法包括:使用所述TM機械手將所述校準晶片傳遞至所述處理模塊。該方法包括:將所述校準晶片與所述旋轉裝置對接(interface)。該方法包括:使用所述旋轉裝置使所述校準晶片旋轉一定角度。該方法包括:使用所述TM機械手,將所述校準晶片移出所述處理模塊。該方法包括:當將所述校準晶片輸送至出站裝載鎖時,使用所述測量裝置,測定所述校準晶片的在所述參考坐標系統內的第二測量值。該方法包括:根據所述第一測量值和所述第二測量值,測定所述旋轉軸的條件校正量,所述條件校正量對應于當所述處理模塊處于所述條件下時,所述旋轉軸偏離所述初始校正位置的偏移。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





