[發(fā)明專利]對于旋轉(zhuǎn)晶片的處理模塊的處理站的自動(dòng)更正

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201880079186.0
• 申請日: 2018-11-07
• 公開（公告）號(hào): CN111448645A
• 公開（公告）日: 2020-07-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 雅各布·海斯特;里奇·布蘭克;彼得·塔拉德;保羅·康科拉
• 申請（專利權(quán)）人: 朗姆研究公司
• 主分類號(hào): H01L21/677
• 分類號(hào): H01L21/677;H01L21/67;H01L21/687;H01L21/68
• 代理公司: 上海勝康律師事務(wù)所 31263
• 代理人: 樊英如;張靜

1.一種測定處理模塊的基座在用于處理的溫度條件下因溫度導(dǎo)致的偏移的方法，其包括：

通過機(jī)械手將晶片傳送至所述處理模塊的所述基座，并檢測移入偏移值；

使所述基座上的所述晶片旋轉(zhuǎn)一定角度；

通過所述機(jī)械手，將所述晶片從所述基座移開，并測量移出偏移值；以及

利用所述移入偏移值和所述移出偏移值，測定所述溫度導(dǎo)致的偏移的幅值和方向。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其還包括：

根據(jù)所述處理模塊內(nèi)的所述基座的初始校正位置，在參考坐標(biāo)系統(tǒng)內(nèi)定義出校正參考測量值，

其中所述移入偏移值從所述校正參考測量值測得，且

其中所述移出偏移值從所述校正參考測量值測得。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其還包括：

其中檢測移入偏移值包括：使用固定于所述參考坐標(biāo)系統(tǒng)內(nèi)的測量裝置測定所述晶片的在所述參考坐標(biāo)系統(tǒng)內(nèi)的第一測量值；且

其中檢測所述移出偏移值包括：使用所述測量裝置測定所述晶片的在所述參考坐標(biāo)系統(tǒng)內(nèi)的第二測量值。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其還包括：

當(dāng)未施加條件至所述處理模塊時(shí)，將所述機(jī)械手校正至對應(yīng)于所述基座的中心的初始校正位置，所述參考坐標(biāo)系統(tǒng)是基于所述初始校正位置；

將校準(zhǔn)晶片放置于所述基座的所述中心；

利用所述機(jī)械手將所述校準(zhǔn)晶片從所述基座移開；以及

使用固定于所述參考坐標(biāo)系統(tǒng)內(nèi)的測量裝置，在所述參考坐標(biāo)系統(tǒng)內(nèi)定義出所述校準(zhǔn)晶片的所述校正參考測量值，所述校正參考測量值對準(zhǔn)所述初始校正位置。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其還包括：

根據(jù)所述溫度導(dǎo)致的偏移，測定所述基座的所述中心的溫度校正量，所述溫度導(dǎo)致的偏移對應(yīng)于當(dāng)所述處理模塊處于所述溫度時(shí)，所述基座的所述中心偏離所述初始校正位置的所述偏移。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中測定所述溫度校正量包括：

測定所述移入偏移值與所述移出偏移值之間的差異向量；以及

將所述差異向量的幅值減半，以測定所述基座的所述中心偏離所述初始校正位置的所述溫度導(dǎo)致的偏移，其中所述溫度導(dǎo)致的偏移對應(yīng)于所述溫度校正量。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中旋轉(zhuǎn)所述晶片包括：

將所述晶片放置于升降墊上，所述升降墊被配置成用于與所述基座分開并相對于所述基座旋轉(zhuǎn)；

沿著旋轉(zhuǎn)軸，將所述升降墊與所述基座分開；以及

使所述升降墊在定義所述角度的至少第一角度方位與第二角度方位之間相對于所述基座旋轉(zhuǎn)。

8.一種校正方法，其包括：

根據(jù)處理模塊內(nèi)的旋轉(zhuǎn)裝置的旋轉(zhuǎn)軸的初始校正位置，建立參考坐標(biāo)系統(tǒng)；

施加條件至所述處理模塊；

使用輸送模塊(TM)機(jī)械手，從入站裝載鎖拾取校準(zhǔn)晶片，所述輸送模塊(TM)機(jī)械手被配置成用于將所述校準(zhǔn)晶片輸送至所述處理模塊；

當(dāng)將所述校準(zhǔn)晶片輸送至所述處理模塊時(shí)，使用測量裝置來測定所述校準(zhǔn)晶片的在所述參考坐標(biāo)系統(tǒng)內(nèi)的第一測量值，所述測量裝置固定在所述參考坐標(biāo)系統(tǒng)內(nèi)；

將所述校準(zhǔn)晶片傳遞至所述處理模塊；

將所述校準(zhǔn)晶片與所述旋轉(zhuǎn)裝置對接；

使用所述旋轉(zhuǎn)裝置使所述校準(zhǔn)晶片旋轉(zhuǎn)一定角度；

使用所述TM機(jī)械手，將所述校準(zhǔn)晶片移出所述處理模塊；

當(dāng)將所述校準(zhǔn)晶片輸送至出站裝載鎖時(shí)，使用所述測量裝置，測定所述校準(zhǔn)晶片的在所述參考坐標(biāo)系統(tǒng)內(nèi)的第二測量值；以及

根據(jù)所述第一測量值和所述第二測量值，測定所述旋轉(zhuǎn)軸的條件校正量，所述條件校正量對應(yīng)于當(dāng)所述處理模塊處于所述條件下時(shí)，所述旋轉(zhuǎn)軸偏離所述初始校正位置的偏移。