[發明專利]發光裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201880078807.3 | 申請日: | 2018-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN111448725B | 公開(公告)日: | 2023-03-31 |
| 發明(設計)人: | 廣瀬和義;黑坂剛孝;瀧口優;杉山貴浩 | 申請(專利權)人: | 浜松光子學株式會社 |
| 主分類號: | H01S5/18 | 分類號: | H01S5/18 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 楊琦 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種發光裝置的制造方法,其特征在于,
是包含具有主面的基板,并且沿所述主面的法線方向以及相對于所述法線方向傾斜的傾斜方向中的至少一者的方向輸出形成光學圖像的光的發光裝置的制造方法,
具備:
準備工序,其準備所述基板;以及
層疊工序,其將發光部和與所述發光部光學耦合的相位調制層設置于所述基板上,
所述層疊工序包含:
第一工序,其將具有規定的折射率并且構成所述相位調制層的一部分的基本層設置于所述基板上;以及
第二工序,其在由所述第一工序設置的所述基本層內設置具有與所述基本層的折射率不同的折射率的多個不同折射率區域,
所述第二工序包含:
第一設定工序,其在正交于所述法線方向的所述基本層的設計面上,設定由分別互相平行地配置的多個第一基準線和在分別正交于所述多個第一基準線的狀態下互相平行地配置的多個第二基準線規定的假想的正方晶格;
第二設定工序,其特定所述多個第一基準線的任一者與所述多個第二基準線的任一者的交點來作為所述正方晶格的晶格點中的成為從所述多個不同折射率區域選擇的不同折射率區域的配置基準的基準晶格點;
第三設定工序,其在所述基本層的所述設計面上,設定通過所述基準晶格點且相對于在所述基準晶格點正交的第一基準線或第二基準線具有規定的傾斜角度,并且配置有所述選擇的不同折射率區域的重心的假想直線;
第四設定工序,其在所述基本層的所述設計面上,以輸出形成所述光學圖像的光的至少一部分的方式,設定從所述基準晶格點到所述選擇的不同折射率區域的重心的所述假想直線上的距離;以及
區域形成工序,其相對于所述多個不同折射率區域的各個進行所述第二~第四設定工序,在所述基本層內形成所述多個不同折射率區域,
在所述第三設定工序中,關于所述多個不同折射率區域中的至少以所述基準晶格點為配置基準的所述選擇的不同折射率區域、以及以與所述基準晶格點以最短距離鄰接的晶格點為配置基準的周邊不同折射率區域的各個,以所述傾斜角度一致的方式設定,
在所述第四設定工序中,關于所述正方晶格的晶格點的各個,從所述基準晶格點到所述選擇的不同折射率區域的重心的距離被設定為正的值、0及負的值中的任一值。
2.根據權利要求1所述的發光裝置的制造方法,其特征在于,
關于所述多個不同折射率區域的各個,在使所述傾斜角度一致的狀態下,進行所述第二工序所包含的所述第二~第四設定工序。
3.根據權利要求1所述的發光裝置的制造方法,其特征在于,
以包含于在所述基準晶格點正交的所述第一基準線或所述第二基準線且連結所述基準晶格點和鄰接于所述基準晶格點的晶格點的線段為基準的所述傾斜角度為除了0°、90°、180°和270°以外的角度。
4.根據權利要求1所述的發光裝置的制造方法,其特征在于,
以包含于在所述基準晶格點正交的所述第一基準線或所述第二基準線且連結所述基準晶格點和鄰接于所述基準晶格點的晶格點的線段為基準的所述傾斜角度為45°、135°、225°或315°。
5.根據權利要求1~4中任一項所述的發光裝置的制造方法,其特征在于,
所述發光部是設置于所述基板上的活性層。
6.一種發光裝置,其特征在于,
通過權利要求1~5中任一項所述的發光裝置的制造方法來制造。
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