[發明專利]用于預測層變形的系統和方法

有效

• 申請號: 201880078584.0
• 申請日: 2018-11-29
• 公開（公告）號: CN111433680B
• 公開（公告）日: 2023-01-20
• 發明（設計）人: C·巴蒂斯塔奇斯;S·A·米德爾布魯克斯;S·F·伍伊斯特
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王益

披露了一種方法，涉及：獲得用于模擬抗蝕劑中的圖案的變形過程的抗蝕劑變形模型，所述抗蝕劑變形模型是被配置為模擬作用于所述抗蝕劑的流體內力的流體動力學模型；通過使用所述抗蝕劑變形模型來執行所述變形過程的計算機模擬，以獲得針對至所述抗蝕劑變形模型的輸入圖案的經顯影抗蝕劑圖案的變形；以及產生表示針對所述輸入圖案的所述經顯影抗蝕劑圖案的所述變形的電子數據。

相關申請的交叉引用

本申請要求2017年12月4日遞交的歐洲申請17205139.3和2018年11月28日遞交的歐洲申請18208989.6的優先權。這兩個歐洲申請通過引用全文并入本文。

技術領域

本文中的描述涉及關于在襯底上形成圖案的過程，更具體地涉及確定襯底上的經圖案化層的變形的方法。

背景技術

光刻設備可以用于制造例如集成電路(IC)或其它器件。在這種情況下，圖案形成裝置(例如掩模)可以包含或提供一種圖案，其對應于器件的單層(“設計布局”)，并且此圖案可以通過諸如經由所述圖案形成裝置上的圖案來照射目標部分的方法而轉移到已經涂覆有輻射敏感材料(“抗蝕劑”)層的襯底(例如硅晶片)上的目標部分(例如包括一個或更多個管芯)上。通常，單一襯底包含多個相鄰目標部分，所述圖案是由光刻設備連續轉移到多個相鄰目標部分，一次轉移到一個目標部分。在一種類型的光刻設備中，將整個圖案形成裝置上的圖案一次轉移到一個目標部分上；這樣一種設備通常被稱作步進器。在通常被稱作步進掃描設備的替代設備中，投影束沿給定參考方向(“掃描”方向)掃描跨越所述圖案形成裝置，同時平行或反向平行于此參考方向而同步地移動所述襯底。圖案形成裝置上的圖案的不同部分被逐漸地轉移到一個目標部分。通常，因為光刻設備將具有放大因子M(通常＜1)，所以襯底移動的速度F將是投影束掃描所述圖案形成裝置的速度的因子M倍。

在將圖案從所述圖案形成裝置轉移到器件制造過程的襯底的器件制作工序之前，襯底可以經歷器件制造過程中的各種器件制作工序，諸如涂底料、抗蝕劑涂覆和軟焙烤。在圖案轉移之后，襯底可以經受器件制造過程的其它器件制作工序，諸如經轉移圖案的曝光后焙烤(PEB)、顯影、硬焙烤和測量/檢查。這一系列器件制作工序被用作用來制造器件(例如IC)的單層的基礎。然后，襯底可以經歷器件制造過程的各種器件制作工序，諸如蝕刻、離子注入(摻雜)、金屬化、氧化、化學-機械拋光、量測(例如使用掃描電子顯微鏡(SEM))等，都預期對器件的單層進行精加工。如果在器件中需要多個層，則針對每一層來重復整個過程或其變型。最終，在襯底上的每個目標部分中將出現一器件。如果存在多個器件，則隨后由諸如切塊或鋸切的技術將這些器件彼此分離，由此可以將各個器件安裝于載體上、連接到引腳，等等。

因此，制造器件(諸如半導體器件)通常涉及使用數個制作過程來處理襯底(例如半導體晶片)以形成器件的各種特征和多個層。通常使用例如沉積、光刻、蝕刻、化學機械拋光、和離子注入來制造和處理這些層和特征。可以在襯底上的多個管芯上制作多個器件，然后將它們分離成單獨的器件。此器件制造過程可以被視為圖案形成過程。圖案形成過程涉及圖案化步驟，諸如使用光刻設備的光學或納米壓印光刻，以在襯底上提供圖案，并且通常但可選地涉及一個或更多個相關圖案處理步驟，諸如由顯影裝置進行的抗蝕劑顯影、使用焙烤工具對所述襯底進行焙烤、使用蝕刻設備且使用所述圖案進行的蝕刻等。另外，通常在圖案形成過程中涉及一個或更多個量測過程。