[發明專利]碳化硅襯底

有效

• 申請號: 201880078475.9
• 申請日: 2018-09-28
• 公開（公告）號: CN111433394B
• 公開（公告）日: 2022-06-21
• 發明（設計）人: 沖田恭子;本家翼
• 申請（專利權）人: 住友電氣工業株式會社
• 主分類號: C30B29/36
• 分類號: C30B29/36
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 韓峰;孫志湧

本發明滿足規定的數學表達式，其中ν₀代表指示與具有4H多型并且具有零應力的碳化硅的拉曼光譜的縱向光分支的折疊模式相對應的峰的波數，ν_max代表指示與從第一主表面到第二主表面的區域中的碳化硅襯底的拉曼光譜的縱向光分支的折疊模式相對應的峰的波數的最大值，ν_min代表指示與從第一主表面到第二主表面的區域中的碳化硅襯底的拉曼光譜的縱向光分支的折疊模式相對應的峰的波數的最小值，并且ν₁代表指示與在第一主表面處的碳化硅襯底的拉曼光譜的縱向光分支的折疊模式相對應的峰的波數。

技術領域

本公開涉及碳化硅襯底。本申請要求2017年12月8日提交的日本專利申請No.2017-236405的優先權，其全部內容通過引用并入本文。

背景技術

日本專利特開No.2014-210690(PTL1)描述了在碳化硅單晶襯底上執行化學機械拋光。

引用列表

專利文獻

PTL 1：日本專利特開No.2014-210690。

發明內容

根據本公開的碳化硅襯底包括第一主表面和與第一主表面相反的第二主表面，并且由具有4H多型的碳化硅制成。第一主表面具有不小于140mm的最大直徑。碳化硅襯底具有不小于300μm并且不大于600μm的厚度。第一主表面是{0001}面或相對于{0001}面以大于0°且不大于8°的偏離角傾斜的面。滿足數學表達式1至數學表達式3，其中ν₀代表指示與具有4H多型并且具有零應力的碳化硅的拉曼光譜的縱向光分支的折疊模式相對應的峰的波數，ν_max代表指示與從第一主表面到第二主表面的區域中的碳化硅襯底的拉曼光譜的縱向光分支的折疊模式相對應的峰的波數的最大值，ν_min代表指示與從第一主表面到第二主表面的區域中的碳化硅襯底的拉曼光譜的縱向光分支的折疊模式相對應的峰的波數的最小值，并且ν₁代表指示與在第一主表面處的碳化硅襯底的拉曼光譜的縱向光分支的折疊模式相對應的峰的波數。

ν_max≦ν₀+0.05(單位:cm^-1)...數學表達式1

ν_min≧ν₀-0.05(單位:cm^-1)...數學表達式2

ν₀-0.02≦ν₁≦ν₀+0.035(單位:cm^-1)...數學表達式3

附圖說明

圖1是示出根據本實施例的碳化硅襯底的結構的示意性平面圖。

圖2是沿圖1中的箭頭方向II-II線截取的示意性截面圖。

圖3是示出用于測量拉曼光譜的裝置的配置的示意圖。

圖4是示出用于測量拉曼光譜的方法的示意性截面圖。

圖5示出了拉曼光譜的示例。

圖6示出了在第一位置處測量的拉曼光譜的示例。

圖7示出了指示峰的波數與測量位置之間的關系。

圖8示出了峰的半寬與測量位置之間的關系。

圖9是示出根據本實施例的制造碳化硅襯底的方法的第一步驟的示意性截面圖。

圖10是示出根據本實施例的制造碳化硅襯底的方法的第一步驟的示意性平面圖。

圖11是示出根據本實施例的制造碳化硅襯底的方法的第二步驟的示意性截面圖。