[發(fā)明專利]碳化硅襯底有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880078475.9 | 申請日： | 2018-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN111433394B | 公開（公告）日： | 2022-06-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 沖田恭子;本家翼 | 申請（專利權(quán)）人： | 住友電氣工業(yè)株式會社 |
| 主分類號： | C30B29/36 | 分類號： | C30B29/36 |
| 代理公司： | 中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219 | 代理人： | 韓峰;孫志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 碳化硅 襯底 | ||
1.一種碳化硅襯底，其包括第一主表面和與所述第一主表面相反的第二主表面，所述碳化硅襯底由具有4H多型的碳化硅制成，
所述第一主表面具有不小于140mm的最大直徑，
所述碳化硅襯底具有不小于300μm并且不大于600μm的厚度，
所述第一主表面是{0001}面或是相對于所述{0001}面以大于0°并且不大于8°的偏離角傾斜的面，并且
滿足數(shù)學(xué)表達(dá)式1至數(shù)學(xué)表達(dá)式3，其中，
ν0代表指示出與具有4H多型并且具有零應(yīng)力的碳化硅的拉曼光譜的縱向光分支的折疊模式相對應(yīng)的峰的波數(shù)，
νmax代表指示出與從所述第一主表面到所述第二主表面的區(qū)域中的所述碳化硅襯底的拉曼光譜的縱向光分支的折疊模式相對應(yīng)的峰的波數(shù)的最大值，
νmin代表指示出與從所述第一主表面到所述第二主表面的所述區(qū)域中的所述碳化硅襯底的所述拉曼光譜的所述縱向光分支的所述折疊模式相對應(yīng)的所述峰的所述波數(shù)的最小值，并且
ν1代表指示出與在所述第一主表面處的所述碳化硅襯底的拉曼光譜的縱向光分支的折疊模式相對應(yīng)的峰的波數(shù)，
νmax≦ν0+0.05，單位:cm-1，數(shù)學(xué)表達(dá)式1
νmin≧ν0-0.05，單位:cm-1，數(shù)學(xué)表達(dá)式2
ν0-0.02≦ν1≦ν0+0.035，單位:cm-1，數(shù)學(xué)表達(dá)式3。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅襯底，其中，
在從所述第一主表面朝向所述第二主表面的3μm以下的區(qū)域中的任意位置處滿足數(shù)學(xué)表達(dá)式4，其中，
ν代表指示出與所述碳化硅襯底的拉曼光譜的縱向光分支的折疊模式相對應(yīng)的峰的波數(shù)，
ν0-0.02≦ν≦ν0+0.035，單位:cm-1，數(shù)學(xué)表達(dá)式4。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的碳化硅襯底，其中，
滿足數(shù)學(xué)表達(dá)式5，其中，
Δmax代表與從所述第一主表面到所述第二主表面的所述區(qū)域中的所述碳化硅襯底的所述拉曼光譜的所述縱向光分支的所述折疊模式相對應(yīng)的所述峰的半寬的最大值，并且
Δmin代表與從所述第一主表面到所述第二主表面的所述區(qū)域中的所述碳化硅襯底的所述拉曼光譜的所述縱向光分支的所述折疊模式相對應(yīng)的所述峰的所述半寬的最小值，
△max-△min≦0.14，單位:cm-1，數(shù)學(xué)表達(dá)式5。
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