[發明專利]諧振子和諧振裝置

有效

• 申請號: 201880077004.6
• 申請日: 2018-07-27
• 公開（公告）號: CN111418151B
• 公開（公告）日: 2023-07-28
• 發明（設計）人: 廣田和香奈;西村俊雄;維萊·卡亞卡里
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H03H9/24
• 分類號: H03H9/24
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王瑋;張豐橋

在并聯連接的壓電諧振子中，抑制由雜散電容引起的特性降低。具備：基板；絕緣膜，其形成在基板上；多個振動區域，其為形成在絕緣膜上的多個振動區域，且各振動區域具有形成在絕緣膜上的下部電極、形成在下部電極上的壓電膜和形成在壓電膜上的上部電極，使形成在絕緣膜上的多個下部電極中的至少一個下部電極成為與其他下部電極不同的電位，以使得至少一個振動區域與其他振動區域反相振動；以及封裝，其為對具有基板、絕緣膜、多個振動區域的諧振子進行密封的封裝，且具有使基板接地的接地用端子。

技術領域

本發明涉及諧振子和諧振裝置。

背景技術

以往，使用了MEMS(Micro?Electro?Mechanical?Systems)技術的壓電諧振裝置例如被作為定時設備使用。該壓電諧振裝置在裝入智能手機等電子設備內的印刷基板上安裝。

伴隨著電子設備的小型化，針對上述的壓電諧振裝置的振動面積，也謀求小型化。若振動面積變小，則諧振電阻增加，由此導致振蕩余量降低。因此，為了在較少的振動面積下，也確保電容，正在研究將振動區域的連接方式從串聯連接向并聯連接變更。

例如，專利文獻1公開有并聯連接結構的電連接的一個例子。專利文獻1所述的MEMS振子1800具有硅層1810、絕緣層1811和振動臂1812、1813。振動臂1812具有上部電極1820、下部電極1821和壓電層1822。同樣，振動臂1813具有上部電極1830、下部電極1831和壓電層1832。而且，控制各電極的電位，使施加于振動臂1812的電場與施加于振動臂1813的電場的朝向成為相反方向。在這樣的并聯連接結構中，MEMS振子1800的合成電容Cf成為振動臂1812的靜電電容Ca1與振動臂1813的靜電電容Ca2之和(Cf＝Ca1+Ca2)。因此，具有能夠使合成電容Cf變大這樣的優點。

專利文獻1:國際公開第2015/111503號

然而，在專利文獻1所述的并聯連接結構中，振動臂1812的下部電極1821的電位與振動臂1813的下部電極1831的電位不同。由于硅層1810電阻率低，所以若將下部電極1821、1831直接配設在硅層1810上，則導致成為短路狀態。因此，在下部電極1821、1831與硅層1810之間設置有絕緣層1811。因此，產生由下部電極1821與硅層1810之間的雜散電容Cb1和下部電極1831與硅層1810之間的雜散電容Cb2引起的雜散電容Cs(＝1/(1/Cb1+1/Cb2))，存在導致特性降低的情況。

發明內容

本發明是鑒于這樣的狀況而完成的，目的在于在并聯連接的壓電諧振子中抑制由雜散電容引起的特性降低。

本發明的一方面所涉及的諧振裝置具備：基板；絕緣膜，其形成在基板上；多個振動區域，其為形成在絕緣膜上的多個振動區域，且各振動區域具有形成在絕緣膜上的下部電極、形成在下部電極上的壓電膜和形成在壓電膜上的上部電極，使形成在絕緣膜上的多個下部電極中的至少一個下部電極成為與其他下部電極不同的電位，以使至少一個振動區域與其他振動區域反相振動；以及封裝，其為對具有基板、絕緣膜、多個振動區域的諧振子進行密封的封裝，且具有使基板接地的接地用端子。

根據本發明，提供在并聯連接的壓電諧振子中能夠抑制由雜散電容引起的特性降低的諧振子和諧振裝置。

附圖說明

圖1是概略地表示第1實施方式所涉及的諧振裝置的外觀的立體圖。

圖2是概略地表示第1實施方式所涉及的諧振裝置的構造的分解立體圖。

圖3是第1實施方式所涉及的諧振子的俯視圖。

圖4A是圖3的CC’剖視圖。

圖4B是圖1和圖3的AA’剖視圖。

圖5A是用于對第1實施方式所涉及的諧振裝置的功能進行說明的示意圖。