[發(fā)明專利]諧振子和諧振裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880077004.6
• 申請日: 2018-07-27
• 公開（公告）號: CN111418151B
• 公開（公告）日: 2023-07-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 廣田和香奈;西村俊雄;維萊·卡亞卡里
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H03H9/24
• 分類號: H03H9/24
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 王瑋;張豐橋

1.一種諧振裝置，其特征在于，具備：

基板；

絕緣膜，其形成在所述基板上；

多個振動區(qū)域，其為形成在所述絕緣膜上的多個振動區(qū)域，且各振動區(qū)域具有形成在所述絕緣膜上的下部電極、形成在所述下部電極上的壓電膜和形成在所述壓電膜上的上部電極，使形成在所述絕緣膜上的多個所述下部電極中的至少一個所述下部電極成為與其他所述下部電極不同的電位，以使得至少一個振動區(qū)域與其他振動區(qū)域反相振動；以及

封裝，其為對具有所述基板、所述絕緣膜、所述多個振動區(qū)域的諧振子進(jìn)行密封的封裝，且具有使所述基板接地的接地用端子，

所述基板具有：

由絕緣體或者半導(dǎo)體構(gòu)成的第1層和形成于該第1層與所述絕緣膜之間的由導(dǎo)電體構(gòu)成的第2層，

所述接地用端子使所述第2層接地。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的諧振裝置，其特征在于，

所述基板是半導(dǎo)體基板。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的諧振裝置，其特征在于，

所述封裝具備：與所述基板對置設(shè)置的下蓋和與所述上部電極對置設(shè)置的上蓋。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的諧振裝置，其特征在于，

所述諧振子具有：

具有固定端和開放端的進(jìn)行彎曲振動的兩個以上的振動臂；以及具有與所述振動臂的固定端連接的前端和與該前端對置的后端的基部，

所述兩個以上的振動臂是所述多個振動區(qū)域。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的諧振裝置，其特征在于，

所述諧振子構(gòu)成為所述壓電膜對應(yīng)于施加于該壓電膜的電壓而進(jìn)行輪廓振動，

所述多個振動區(qū)域是分別具有長邊和短邊的矩形的形狀，其中，該短邊相當(dāng)于所述壓電膜的輪廓振動的半波長，該長邊與供所述多個振動區(qū)域形成的振動部的短邊平行。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的諧振裝置，其特征在于，

所述絕緣膜是導(dǎo)電率比所述基板的導(dǎo)電率低的膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的諧振裝置，其特征在于，

所述絕緣膜由氮化硅、氮化鋁、二氧化硅、金剛石和藍(lán)寶石中任一者構(gòu)成。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的諧振裝置，其特征在于，

所述絕緣膜通過由低介電常數(shù)的材料形成的層和由高熱傳導(dǎo)率的材料形成的層以多層構(gòu)成。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的諧振裝置，其特征在于，

所述高熱傳導(dǎo)率的材料由氮化鋁、氮化硅、金剛石和藍(lán)寶石中任一者構(gòu)成。

10.一種諧振子，其特征在于，具備：

基板；

絕緣膜，其形成在所述基板上；以及

多個振動區(qū)域，其為形成在所述絕緣膜上的多個振動區(qū)域，且各振動區(qū)域具有形成在所述絕緣膜上的下部電極、形成在所述下部電極上的壓電膜和形成在所述壓電膜上的上部電極，使形成在所述絕緣膜上的多個所述下部電極中的至少一個所述下部電極成為與其他所述下部電極不同的電位，以使得至少一個振動區(qū)域與其他振動區(qū)域反相振動，

所述基板構(gòu)成為與用于接地的接地用端子連接，

所述基板具有：

由絕緣體或者半導(dǎo)體構(gòu)成的第1層和形成于該第1層與所述絕緣膜之間的由導(dǎo)電體構(gòu)成的第2層，

所述接地用端子使所述第2層接地。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的諧振子，其特征在于，

所述基板由半導(dǎo)體構(gòu)成。