[發明專利]負型感光性硅氧烷組合物、以及使用了其的固化膜和電子器件的制造方法

在審

• 申請號: 201880076350.2
• 申請日: 2018-11-26
• 公開（公告）號: CN111386499A
• 公開（公告）日: 2020-07-07
• 發明（設計）人: 林昌伸
• 申請（專利權）人: 默克專利有限公司
• 主分類號: G03F7/075
• 分類號: G03F7/075;G03F7/004;G03F7/40
• 代理公司: 北京三幸商標專利事務所(普通合伙) 11216
• 代理人: 劉卓然

[目的]本發明提供一種負型感光性硅氧烷組合物，其可形成耐熱性以及開裂極限膜厚優異的固化膜。[手段]本發明提供一種負型感光性硅氧烷組合物，其包含：含特定量硅烷醇的聚硅氧烷、特定的光堿產生劑顆粒、以及溶劑。硅烷醇的含有率利用FT?IR測定。

技術領域

本發明涉及負型感光性硅氧烷組合物。另外，本發明也涉及使用了該組合物的固化膜和電子器件(device)的制造方法。

背景技術

在半導體器件和/或顯示器中，設置了各種絕緣層。為了賦予半導體器件和/或顯示器以優異的特性，人們要求這樣的絕緣層具有絕緣性與耐熱性。為了應對這樣的要求，以往使用了SOG膜和/或由化學蒸鍍法形成出的二氧化硅膜。

但是，由于這些膜不具有感光性，因此想要在絕緣膜表面形成圖案時，則必需在絕緣層的表面利用光刻(lithography)而形成抗蝕圖案，將該圖案設為掩模而進行蝕刻處理。

作為避免這樣的繁雜處理并且形成優異的絕緣膜的方法，提出了使用感光性硅氧烷組合物的方法。通過使用感光性硅氧烷組合物而形成絕緣膜，從而不需要上述那樣的蝕刻等工序，因而可抑制制造成本。

但是，關于目前為止提出的由感光性硅氧烷組合物形成出的絕緣膜，在增厚了膜厚的情況下容易發生裂紋，另外從耐熱性的觀點考慮留有改良的余地。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2006-091815號公報

發明內容

發明所要解決的課題

本發明想要解決上述那樣的現有技術中應當改善的問題，想要提供一種感光性硅氧烷組合物，其可簡便地形成膜厚為厚并且耐熱性優異的固化膜。

用于解決課題的手段

本發明的負型感光性硅氧烷組合物包括一種負型感光性組合物，其包含(I)聚硅氧烷、(II)光堿產生劑、以及(III)溶劑，

所述聚硅氧烷是包含由以下的式(Ia)以及以下的式(Ib)表示的重復單元的聚硅氧烷，

在利用FT-IR法對前述聚硅氧烷進行了測定以及解析時，處于1100±100cm^-1的范圍的歸屬于Si-O的峰的面積強度S1與處于900±100cm^-1的范圍的歸屬于SiOH的峰的面積強度S2之比S2/S1為0.05～0.15，

式中，

R¹表示氫，1～3價的C_1～30的直鏈狀、支鏈狀或者環狀的飽和或不飽和的脂肪族烴基，或者1～3價的C_6～30的芳香族烴基，

在前述脂肪族烴基以及前述芳香族烴基中，1個以上的亞甲基被氧基、酰亞胺或者羰基取代了或者非取代，1個以上的氫被氟、羥基、或者烷氧基取代了或者非取代，或者1個以上的碳被硅取代了或者非取代，

R¹為2價或3價的情況下，R¹將多個重復單元中所含的Si彼此進行連結；

所述光堿產生劑由以下的式(PBG-A)或者(PBG-B)表示，

式中，