[發(fā)明專利]解析方法、解析裝置、解析程序以及記錄解析程序的存儲介質

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880076287.2
• 申請日: 2018-09-05
• 公開（公告）號: CN111417860B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發(fā)明（設計）人: 嶋瀬朗;堀田和宏
• 申請（專利權）人: 浜松光子學株式會社
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26;G01R31/302
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 楊琦

半導體器件檢查裝置(1)具備：光傳感器(12)，其檢測來自輸入有電信號的半導體器件(10)的光；光學系統(tǒng)，其將來自半導體器件(10)的光向光傳感器(12)導光；及控制裝置(18)，其與光傳感器(12)電連接；控制裝置(18)具有：測量部(25)，其取得不良品的半導體器件(10)上的多個位置的每個位置的光測量所獲得的波形數據、及良品的半導體器件(10)上的多個位置的每個位置的光測量所獲得的波形數據；計算部(26)，其在不良品的半導體器件(10)的波形數據與良品的半導體器件(10)的波形數據之間計算一致度；及解析部(28)，其基于通過計算部(26)計算的多個位置的每個位置的一致度，解析不良品的半導體器件(10)的不良部位。

技術領域

本發(fā)明涉及以半導體器件為對象進行利用光測量的解析處理的解析方法、解析裝置、解析程序以及記錄解析程序的存儲介質。

背景技術

一直以來，作為檢查半導體集成電路的技術，已知有稱為EOP(Electro?OpticalProbing(電光探測))的光探測技術(參照下述專利文獻1)、或稱為TRIEM(Time-resolvedImaging?Emission?Microscopy(時間分辨成像發(fā)射顯微鏡))的時間分解發(fā)光測量技術(參照下述專利文獻2)。例如，在EOP中，通過測定探測光的反射率的時間變化而取得伴隨半導體器件的驅動的空乏層的時間變化。另外，在TRIEM中，根據發(fā)光強度的時間變化而測定伴隨半導體器件的驅動在源極-漏極間流動的熱載子的產生時機。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2007-064975號公報

專利文獻2：日本特開平10-150086號公報

發(fā)明內容

發(fā)明所要解決的問題

在上述那樣的檢查技術中，為了特定包含較多電路元件的半導體器件的不良部位，尋求自利用EOP、TRIEM等的測定結果制作容易解析的數據。然而，在上述現有的檢查技術中，難言確立用于有效地特定不良部位的解析方法。

實施方式的技術問題在于，提供一種可有效地解析半導體器件的不良部位的解析方法、解析裝置、解析程序以及記錄解析程序的存儲介質。

解決問題的技術手段

本發(fā)明的一個方面是一種以半導體器件為對象進行利用光測量的解析處理的解析方法，具備：第1測量步驟，其取得第1半導體器件上的多個位置的每個位置的光測量所獲得的時間波形即第1波形數據；第2測量步驟，其取得第2半導體器件上的多個位置的每個位置的光測量所獲得的時間波形即第2波形數據；計算步驟，其在上述第1半導體器件的多個位置的每個位置的上述第1波形數據、與對應于該多個位置的上述第2半導體器件的多個位置的每個位置的上述第2波形數據之間，計算一致度；及解析步驟，其基于通過上述計算步驟計算的多個位置的每個位置的一致度，解析上述第1或第2半導體器件的任一者的不良部位。

或者，本發(fā)明的其他方面是一種以半導體器件為對象進行利用光測量的解析處理的解析裝置，具備：光檢測器，其檢測來自輸入有測試信號的半導體器件的光；光學系統(tǒng)，其將來自上述半導體器件的光向上述光檢測器導光；及控制裝置，其與上述光檢測器電連接；上述控制裝置具有：取得單元，其取得上述第1半導體器件上的多個位置的每個位置的上述光測量所獲得的時間波形即第1波形數據、及第2半導體器件上的多個位置的每個位置的上述光測量所獲得的時間波形即第2波形數據；計算單元，其在上述第1半導體器件的多個位置的每個位置的上述第1波形數據、與對應于該多個位置的上述第2半導體器件的多個位置的每個位置的上述第2波形數據之間，計算一致度；及解析單元，其基于通過上述計算單元計算的多個位置的每個位置的一致度，解析上述第1或第2半導體器件的任一者的不良部位。