[發(fā)明專利]具有改善的連接性的多層電子設(shè)備及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880076107.0 | 申請日: | 2018-10-22 |
| 公開(公告)號: | CN111433869A | 公開(公告)日: | 2020-07-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | M.貝羅利尼;M.柯克;P.拉文德拉納撒 | 申請(專利權(quán))人: | 阿維科斯公司 |
| 主分類號: | H01G4/30 | 分類號: | H01G4/30;H01G2/06;H05K3/34 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 王冉 |
| 地址: | 美國南卡*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 改善 連接 多層 電子設(shè)備 及其 制造 方法 | ||
1.一種制造多層電子設(shè)備的方法,該方法包括:
將絲網(wǎng)印刷掩模置于支撐材料層上;
使用絲網(wǎng)印刷掩模在支撐材料層上印刷導(dǎo)電圖案,所述導(dǎo)電圖案包括多個電極形狀,所述多個電極形狀包括相應(yīng)的中央擴大部分;和
沿著與中心擴大部分相交的多個切割線切割支撐材料和導(dǎo)電圖案層,使得所述多個電極形狀中的至少一個沿著切割寬度被分成一對電極,并且其中,所述多個電極形狀中的至少一個的切割寬度指示與切割線中的至少一個相關(guān)聯(lián)的切割精度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,印刷導(dǎo)電圖案包括通過絲網(wǎng)印刷掩模中的多個開口施加電極材料,所述多個開口包括相應(yīng)的中央擴大部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中:
印刷導(dǎo)電圖案包括形成所述多個電極形狀,使得所述多個電極形狀具有在縱向方向上延伸的相應(yīng)的長度;和
切割支撐材料和導(dǎo)電圖案層包括沿著多個切割線切割,所述多個切割線基本上在垂直于縱向方向的橫向方向上延伸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,還包括測量所述多個電極形狀中的至少一個的切割寬度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,還包括基于所述多個電極形狀中的至少一個的切割寬度來確定切割精度,其中,所述切割精度是所述切割線中的至少一個與期望的切割位置之間的縱向偏移。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其中,確定切割精度包括參考寬度輪廓,所述寬度輪廓將切割寬度與切割線的至少一個和期望的切割位置之間的縱向偏移相關(guān)聯(lián)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,印刷導(dǎo)電圖案包括形成多個電極形狀的中央擴大部分,使得中央擴大部分包括相應(yīng)的邊緣部分,所述邊緣部分相對于縱向方向以大于0度且小于90度的角度朝向所述多個電極形狀中的至少一個的中心線傾斜。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,沿著所述多個切割線切割支撐材料層包括基本沿著中央擴大部分的橫向中心線切割所述多個電極形狀中的至少一個。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,還包括在少于所述一對電極的所有暴露部分的部分上向多層電子設(shè)備施加非導(dǎo)電涂層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,還包括形成與所述一對電極中的一個電連接的第一端子和與所述一對電極中的另一個電連接的第二端子。
11.一種多層電子設(shè)備,包括多個層,所述多個層包括電極,并且多個電極中的至少一個包括:
沿縱向延伸的主部分,所述主部分在垂直于縱向方向的橫向方向上具有主寬度;和
基部部分,其最大基部寬度大于所述主寬度,所述基部部分在縱向方向上具有寬度輪廓,其中,所述寬度輪廓的至少一部分相對于縱向方向以大于0度且小于90度的角度傾斜。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的多層電子設(shè)備,其中,所述寬度輪廓包括平行于所述縱向方向延伸的平坦區(qū)域。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的多層電子設(shè)備,其中,所述寬度輪廓的平坦區(qū)域具有最大基部寬度,并且位于多個電極中的至少一個的端部附近。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的多層電子設(shè)備,其中,所述平坦區(qū)域在縱向方向上的長度小于200μm。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的多層電子設(shè)備,其中,所述平坦區(qū)域在縱向方向上具有長度,并且多層電子設(shè)備在縱向方向上具有總長度,并且其中,所述多層電子設(shè)備的總長度的長度與所述平坦區(qū)域的長度之比大于約5。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的多層電子設(shè)備,其中,所述基部部分在縱向方向上的長度小于約300μm。
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