[發(fā)明專利]鑒定微光刻的掩模的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880075892.8
• 申請(qǐng)日: 2018-11-16
• 公開（公告）號(hào): CN111386500B
• 公開（公告）日: 2023-06-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: D.赫爾維格
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 卡爾蔡司SMT有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): G03F7/20
• 分類號(hào): G03F7/20;G03F1/84
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 王蕊瑞

為了鑒定微光刻的掩模(1)，通過(guò)用于預(yù)測(cè)可通過(guò)掩模(1)來(lái)制造的晶片結(jié)構(gòu)(14)的模擬，確定掩模(1)的空間像(9)對(duì)晶片(8)的影響。

本專利申請(qǐng)要求德國(guó)專利申請(qǐng)DE?10?2017?220?872.4的優(yōu)先權(quán)，其內(nèi)容通過(guò)引用并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種鑒定微光刻的掩模的方法。本發(fā)明還涉及一種鑒定微光刻的掩模的系統(tǒng)。

背景技術(shù)

在微光刻中，將光掩模的結(jié)構(gòu)成像到晶片上。以這種方式在晶片上可制造的結(jié)構(gòu)首先取決于掩模結(jié)構(gòu)，其次取決于投射曝光設(shè)備的成像性質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容

為了鑒定光掩模，至關(guān)重要的是能夠評(píng)估掩模結(jié)構(gòu)是否適合于制造預(yù)先確定的晶片結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的目的是改進(jìn)鑒定微光刻的掩模的方法和系統(tǒng)。

這些目的通過(guò)本發(fā)明的以下特征來(lái)實(shí)現(xiàn)。

一種鑒定微光刻的掩模的方法，包括以下步驟：

提供具有要成像到晶片上的掩模結(jié)構(gòu)的掩模，

預(yù)先定義要在晶片上制造的晶片結(jié)構(gòu)必須滿足的至少一個(gè)邊界條件，

確定所述掩模的多個(gè)空間像，

通過(guò)用于預(yù)測(cè)通過(guò)所述掩模可制造的所述晶片結(jié)構(gòu)的模擬，確定所述空間像中的至少一個(gè)對(duì)所述晶片的效應(yīng)，

其中抗蝕劑模型和/或蝕刻模型用來(lái)確定所述空間像中的至少一個(gè)對(duì)所述晶片的效應(yīng)，

其中將多個(gè)空間像與關(guān)于它們的定位的配準(zhǔn)數(shù)據(jù)進(jìn)行比對(duì)。

一種鑒定微光刻的掩模的系統(tǒng)，包括：

捕獲微光刻的掩模的掩模結(jié)構(gòu)的多個(gè)空間像的裝置，

測(cè)量借助于所述掩模可制造的晶片結(jié)構(gòu)的裝置，

從測(cè)量的空間像預(yù)測(cè)晶片結(jié)構(gòu)的計(jì)算單元，

其中，所述計(jì)算單元被配置為將多個(gè)空間像與關(guān)于它們的定位的配準(zhǔn)數(shù)據(jù)進(jìn)行比對(duì)。

本發(fā)明的核心在于，為了鑒定微光刻的掩模，將檢測(cè)掩模的至少一個(gè)空間像與用于確定空間像對(duì)晶片的效應(yīng)的模擬組合。

根據(jù)本發(fā)明已經(jīng)認(rèn)識(shí)到，由此可以通過(guò)借助于所述掩模可制造的晶片結(jié)構(gòu)來(lái)鑒定掩模。這導(dǎo)致掩模的鑒定更加可靠。

抗蝕劑模型和/或蝕刻模型用于確定一個(gè)或多個(gè)空間像中的至少一個(gè)對(duì)晶片的效果。

抗蝕劑模型用于預(yù)測(cè)晶片的光致抗蝕劑中的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)是用掩模的圖像對(duì)其曝光導(dǎo)致的。

光致抗蝕劑是犧牲層。在晶片制造工藝中的蝕刻步驟之后將光致抗蝕劑移除。它用作蝕刻掩模，以結(jié)構(gòu)化稍后電學(xué)使用的晶片的結(jié)構(gòu)。蝕刻工藝通過(guò)蝕刻模型進(jìn)行模擬。

為了鑒定掩模，將可通過(guò)所述掩模制造的晶片結(jié)構(gòu)的預(yù)測(cè)與至少一個(gè)預(yù)先定義的邊界條件進(jìn)行比較，該邊界條件必須由要制造的晶片結(jié)構(gòu)滿足。

邊界條件例如由要制造的部件(特別是芯片)的電功能引起。作為示例，允許邊緣放置誤差具有至多不會(huì)導(dǎo)致電短路的幅值，或者允許結(jié)構(gòu)尺寸誤差具有至多使得滿足關(guān)于電容的要求的幅值。

借助于根據(jù)本發(fā)明的方法，可以使用實(shí)際相關(guān)的變量，特別是晶片結(jié)構(gòu)，用于鑒定掩模。特別是，掩模對(duì)晶片的直接效應(yīng)被鑒定，而不僅僅是個(gè)別的誤差貢獻(xiàn)，該誤差貢獻(xiàn)通常是彼此不獨(dú)立的。特別地，因此掩模的更可靠的鑒定是可能的。