[發明專利]鑒定微光刻的掩模的方法

有效

• 申請號: 201880075892.8
• 申請日: 2018-11-16
• 公開（公告）號: CN111386500B
• 公開（公告）日: 2023-06-13
• 發明（設計）人: D.赫爾維格
• 申請（專利權）人: 卡爾蔡司SMT有限責任公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F1/84
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王蕊瑞

1.一種鑒定微光刻的掩模(1)的方法，包括以下步驟：

1.1.提供具有要成像到晶片(8)上的掩模結構(6)的掩模(1)，

1.2.預先定義要在晶片(8)上制造的晶片結構(14)必須滿足的至少一個邊界條件，

1.3.確定所述掩模(1)的多個空間像(9)，

1.4.通過用于預測通過所述掩模(1)可制造的所述晶片結構(14)的模擬，確定所述空間像(9)中的至少一個對所述晶片(8)的效應，

1.5.其中抗蝕劑模型和/或蝕刻模型用來確定所述空間像(9)中的至少一個對所述晶片(8)的效應，

1.6.其中將多個空間像(9)與關于它們的定位的配準數據進行比對，以及

1.7.其中記錄不同掩模結構(6)的多個圖像，以確定所述掩模(1)的空間像(9)。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在不同的焦平面中記錄至少一個掩模結構(6)的多個空間像(9)。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，借助于在晶片(8)上測量的晶片結構(14)來校準所述抗蝕劑模型和/或所述蝕刻模型。

4.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，為了校準所述抗蝕劑模型和/或所述蝕刻模型，采用電子顯微鏡測量所述晶片上的結構。

5.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述抗蝕劑模型和/或所述蝕刻模型是表征光刻工藝(2)的模型的一部分，所述模型包括彼此分開校準的至少兩個子模型。

6.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，光學模型用來確定所述掩模(1)的至少一個空間像(9)。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述光學模型借助于空間像數據來校準。

8.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，預先定義的照明和/或成像條件用于校準所述光學模型，所述預先定義的照明和/或成像條件至少基本上對應于實際上要用于成像所述掩模(1)的掃描儀的那些條件。

9.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，配準數據用于校準所述光學模型。

10.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，為了校準所述光學模型，采用優化函數來最小化預測誤差。

11.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，以下變量中的選擇被預先定義為邊界條件：最大允許的邊緣放置誤差，線寬的最大允許的波動或偏差，結構面積的最大波動或偏差，線寬的最大允許的不對稱性，最大允許的線粗糙度。

12.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，在所述掩模(1)的鑒定中考慮統計波動和/或所述模擬中的不確定性。

13.一種鑒定微光刻的掩模(1)的系統，包括

13.1.捕獲微光刻的掩模(1)的掩模結構(6)的多個空間像(9)的裝置，

13.2.測量借助于所述掩模(1)可制造的晶片結構(14)的裝置，

13.3.從測量的空間像(9)預測晶片結構(14)的計算單元，

13.4.其中，所述計算單元被配置為將多個空間像(9)與關于它們的定位的配準數據進行比對，以及

13.5.其中記錄不同掩模結構(6)的多個圖像，以確定所述掩模(1)的空間像(9)。