[發(fā)明專利]紅外裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880074847.0 | 申請日： | 2018-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN111373230A | 公開（公告）日： | 2020-07-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | N·扎克;M·維因格;N·戴克斯;S·拉布;T·于林格 | 申請（專利權(quán)）人： | 盛思銳股份公司 |
| 主分類號： | G01J5/08 | 分類號： | G01J5/08;G01J3/10;G01J5/02;G01J5/12;G01J5/20;H01L27/144;H01L31/18 |
| 代理公司： | 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人： | 石海霞;金鵬 |
| 地址： | 瑞士*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 紅外 裝置 | ||
1.紅外裝置，包括：
基板(1)，以及
由所述基板(1)支撐的以下各項：
-構(gòu)造(3)，用于發(fā)射紅外輻射，所述構(gòu)造(3)包括布置在介質(zhì)層(34，35)之間的厚度為50nm或更小的導(dǎo)電層布置(31)，
-加熱器(7)，被布置為用于加熱所述構(gòu)造(3)，以發(fā)射紅外輻射。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紅外裝置，包括：
位于所述基板(1)中的凹部(11)，
跨越所述凹部(11)的至少一部分的膜(21)，
其中，所述構(gòu)造(3)被布置在所述膜(21)上或所述膜(21)中，或者其中，所述膜(21)代表所述構(gòu)造(3)，以及
其中，所述加熱器(7)被布置在所述膜(21)上或所述膜(21)中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的紅外裝置，
其中，所述導(dǎo)電層布置(31)是能夠在布置于所述基板(1)上的層堆疊(2)中、特別地CMOS層堆疊中得到的層布置，
其中，沿著朝向所述基板(1)的豎直方向，所述導(dǎo)電層布置(31)下面的介質(zhì)層(34)是所述層堆疊(2)的金屬間介質(zhì)(4)，以及
其中，所述導(dǎo)電層布置(31)是粘合層和擴(kuò)散屏障中的一個或多個，所述粘合層用于將所述金屬間介質(zhì)(4)粘合到先前去除的層堆疊(2)的金屬層(32)，所述擴(kuò)散屏障用于防止所述金屬間介質(zhì)(4)與先前去除的金屬層(32)之間的擴(kuò)散。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項所述的紅外裝置，
其中，所述導(dǎo)電層布置(31)包括間隙化合物或由間隙化合物組成，該間隙化合物包括VI至VIII族金屬中的一種。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求1至3中的任一項所述的紅外裝置，
其中，所述導(dǎo)電層布置(31)包括Ti層和TiN層或由Ti層和TiN層組成，
優(yōu)選地其中，所述Ti層具有范圍在1nm至49nm內(nèi)的厚度，優(yōu)選范圍在4nm與10nm之間的厚度，
優(yōu)選地其中，所述TiN層具有范圍在1nm至49nm內(nèi)的厚度，優(yōu)選范圍在4nm與20nm之間的厚度。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求1至3中的任一項所述的紅外裝置，
其中，所述導(dǎo)電層布置(31)包括Ta層和TaN層或由Ta層和TaN層組成。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求1至3中的任一項所述的紅外裝置，
其中，所述導(dǎo)電層布置(31)包括Al、Cu、Pt、W中的一種的層或由Al、Cu、Pt、W中的一種的層組成。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項所述的紅外裝置，
其中，沿著遠(yuǎn)離所述基板(1)的豎直方向，所述導(dǎo)電層布置(31)頂部上的介質(zhì)層(35)包括鈍化層(351)或由鈍化層(351)組成，
特別地其中，所述鈍化層(351)是氮化硅層或氧化硅層，
特別地其中，所述鈍化層(351)具有400nm與800nm之間的厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的紅外裝置，
其中，所述導(dǎo)電層布置(31)頂部上的介質(zhì)層(35)包括在所述鈍化層(351)與所述導(dǎo)電層布置(31)之間的介電調(diào)諧層(352)，用以調(diào)諧所述構(gòu)造(3)的厚度，
特別地其中，所述介電調(diào)諧層(352)是氮化硅層或氧化硅層。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項所述的紅外裝置，
其中，所述構(gòu)造(3)包括布置在介質(zhì)層(30，34)之間的導(dǎo)電層堆疊(36，37，38)，
其中，所述導(dǎo)電層堆疊(36，37，38)具有大于100nm的厚度，
其中，所述導(dǎo)電層堆疊(36，37，38)被布置在所述導(dǎo)電層布置(31)與所述構(gòu)造(3)的底層(30)之間，以及
特別地其中，所述導(dǎo)電層堆疊(36，37，38)包括布置在兩個另外的導(dǎo)電層布置(36，37)之間的金屬層(38)或者由布置在兩個另外的導(dǎo)電層布置(36，37)之間的金屬層(38)組成。
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