[發明專利]組件的光誘致選擇性轉移有效
| 申請號: | 201880074843.2 | 申請日: | 2018-11-20 |
| 公開(公告)號: | CN111373848B | 公開(公告)日: | 2023-05-05 |
| 發明(設計)人: | 加里·阿魯季諾夫;羅納德·斯托特;艾德斯格爾·康斯坦·彼得·斯米茨 | 申請(專利權)人: | 荷蘭應用科學研究會(TNO) |
| 主分類號: | H05K1/18 | 分類號: | H05K1/18;H01L21/683;H01L25/075;H01L33/60 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 劉鳳迪 |
| 地址: | 荷蘭*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 組件 誘致 選擇性 轉移 | ||
一種用于組件的光誘致選擇性轉移的方法和設備。一施體基板(10)具有多個組件(11,12),該組件被分成不同的子集并根據各自布局(A,B)來被布置。一目標基板(20)包括凹槽(21)和突起(25)。該施體和目標基板(10,20)被對位,使得一第一組件(11)子集被懸掛在該目標基板(20)中對應的凹槽(21)之上而且一第二組件(12)子集與該目標基板(20)之對應的突起(25)接觸。光(L)被投射到該施體基板(10)之上以把該第一組件(11)子集轉移進入到該對應的凹槽(21)中,同時該第二組件(12)子集保持附接在該施體基板(10)上。
技術領域
本發明系涉及一種用于組件之光誘致選擇性轉移的方法和設備,例如,用于制造或修復一微LED顯示器。
背景技術
微LED(μLED)顯示器因其(潛在的)高亮度、穩定性、低功耗、以及出色的色域而成為未來顯示器的一候選者。當用于高亮度顯示器時,由于它們的亮度,該像素區域只有一小部分區域需要為發射性的。換句話說,僅需要一個相對較低的覆蓋率。因此,即使對于相對高的顯示器分辨率,例如,大約每英寸70-600像素(PPI),取決于該應用,該LED也可以具有非常小的尺寸,例如,小于30微米。但是因為μLED在諸如藍寶石之昂貴的基板上在高溫下增長可能是昂貴的,于LED制造時盡可能地多利用芯片面積系優選的。因此從一增長或其他施體基板選擇性地把組件轉移到目標基板使之在組件之間具有增加的間距(間隔)系所欲的。舉例而言,美國專利第8,056,222號B2描述了一種雷射直接寫入方法,被使用來把諸如半導體裸晶?;虮砻姘惭b被動及主動組件轉移到一基板上或到一基板中的凹槽中用以制造嵌入式微電子器件。然而,當在該施體基板上的該組件非常小和/或靠近在一起時,可能難以防止相鄰組件的轉移。
由于這些和其他的原因,改進諸如μLED之組件的組裝方法,把高分辨率放置及正確性結合高產出量,例如用于制造顯示器或其他裝置,系所欲的。
發明內容
本發明的各種方面系有關于涉及在組件之光誘致選擇性轉移中的方法及系統。一施體基板被提供成具有分成不同子集的多個組件。在一第一轉移步驟期間,一第一組件子集被選擇用于轉移,并根據一第一組件布局來進行布置。在該第一轉移步驟期間,一第二組件子集被選擇保留在該施體基板上,并根據一第二組件布局來進行布置。一目標基板包括至少被設置在與該第一組件布局相應的相對位置處的多個凹槽。在該目標基板上的多個突起系被設置在至少與該第二組件布局相應的相對位置處。該施體和目標基板被相對地定位或對位,例如,被帶到鄰近處。借由該對位,該第一組件子集被懸掛在該相應的凹槽的上方而不接觸該目標基板。此外,該第二組件子集最好與該目標基板之該相應的突起接觸。然后光被投射到在該施體基板上的至少該第一組件布局上。這致使該第一組件子集轉移跨越并進入到該相應的凹槽中,同時該第二組件子集仍然附接在該施體基板上。
將被理解的是,與該相應突起的接觸可以防止該第二組件子集的轉移。例如,該接觸可以物理地阻止在那些位置處的轉移。例如,該接觸的目標基板可以作用為一散熱器以至少部分地減少在該接觸位置處之該組件的加熱。同時,該凹槽可以有助于該轉移。例如,在不與該目標基板接觸的情況下,該組件可以從該施體基板被釋放并且行進到該目標基板。將被理解的是,該行進的距離可借由該限定的接觸點和/或該凹槽的深度來被良好地控制。這可以改善在該轉移過程上的控制。此外,該懸掛的組件因沒有該接觸目標基板而無該散熱效應,可以被加熱到一相對較高的溫度從而弱化在其接觸位置處的一種粘合或其他反應的來導致它們的釋放。
附圖說明
本發明的該設備、系統及方法的這些和其他的特征、方面及優點將可從以下描述、所附發明申請專利范圍、以及所附圖示中變得更佳地理解,其中:
圖1A-1C根據一個實施例示意性地圖示出從一施體基板到一目標基板組件之選擇性轉移的步驟;
圖2A-2C根據一個實施例示意性地圖示出從不同的施體基板進行不同組件之選擇性轉移的步驟;
圖3A根據一個實施例示意性地圖標出通過各種組件的熱傳遞;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于荷蘭應用科學研究會(TNO),未經荷蘭應用科學研究會(TNO)許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201880074843.2/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





