[發明專利]組件的光誘致選擇性轉移

有效

• 申請號: 201880074843.2
• 申請日: 2018-11-20
• 公開（公告）號: CN111373848B
• 公開（公告）日: 2023-05-05
• 發明（設計）人: 加里·阿魯季諾夫;羅納德·斯托特;艾德斯格爾·康斯坦·彼得·斯米茨
• 申請（專利權）人: 荷蘭應用科學研究會(TNO)
• 主分類號: H05K1/18
• 分類號: H05K1/18;H01L21/683;H01L25/075;H01L33/60
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 劉鳳迪

1.一種用于組件的光誘致選擇性轉移的方法，所述方法包括：

提供一施體基板(10)，所述施體基板具有分成不同子集的多個組件(11，12，13)，所述子集至少包括

一第一組件子集，在一第一轉移步驟期間被選擇用于轉移并根據一第一組件布局(A)來被布置；以及

一第二組件子集，在所述第一轉移步驟期間被選擇保留在所述施體基板(10)上并根據一第二組件布局(B)來被布置；

提供一目標基板(20)，所述目標基板包括設置在至少與所述第一組件布局(A)相應的相對位置(A’)處的多個凹槽(21)以及由所述目標基板(20)的非凹槽區域所形成的多個突起(25)，所述突起被設置在至少與所述第二組件布局(B)相應的相對位置(B’)處；

對位所述施體基板(10)與所述目標基板(20)，其中

所述第一組件子集被懸掛在相應的所述凹槽(21)的上方而不接觸所述目標基板(20)，而且

所述第二組件子集與所述目標基板(20)的相應的所述突起(25)接觸；以及

在所述第一轉移步驟中，將光(L)投射在所述施體基板(10)上的至少所述第一組件布局(A)上，以把所述第一組件子集轉移跨越且進入到相應的所述凹槽(21)中，同時所述第二組件子集維持附接到所述施體基板(10)。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第二組件子集被選擇用以在一第二轉移步驟期間中進行轉移，其中，所述第二轉移步驟與所述第一轉移步驟是分隔的，其中，所述第二轉移步驟包括利用保留著的所述第二組件子集來將所述施體基板(10)對位于同一或另一目標基板上，該目標基板包括至少設置在相應于所述第二組件布局(B)的相對位置處的凹槽，其中，在所述第二轉移步驟中，光(L)被投射在至少所述施體基板上的所述第二組件布局上，以把所述第二組件子集轉移跨越且進入到相應的所述凹槽中。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中，每一個轉移步驟由光(L)的一個別脈沖來實現。

4.根據權利要求1或2所述的方法，其中，在所述施體基板(10)上，所述第一組件子集的多個組件被穿插在所述第二組件子集的多個組件中，其中，所述第二組件子集具有與所述第一組件子集相同的相對位置。

5.根據權利要求1或2所述的方法，其中，在所述施體基板(10)上，所述第二組件子集的該組件(12)與所述第一組件子集的該組件(11)相鄰。

6.根據權利要求1或2所述的方法，其中，進行接觸的所述目標基板(20)充當用于所述第二組件子集的一散熱器，其中，由所述光(L)所產生熱的大于20％的一個分額通過與所述目標基板(20)的接觸來消散。

7.根據權利要求1或2所述的方法，其中，所述光(L)致使所述第一組件子集被加熱到一第一溫度(T1)而所述第二組件子集被加熱到一第二溫度(T2)，其中，所述第二溫度(T2)低于所述第一溫度(T1)，其中，所述第一溫度(T1)高于用于從所述施體基板(10)釋放所述第一組件子集的一臨界值，并且所述第二溫度(T2)低于所述臨界值。

8.根據權利要求1或2所述的方法，其中，所述凹槽(21)的外部邊緣以相對于所述目標基板(20)和/或底部的一表面法線的一角度(θ)而傾斜，其中，所述角度(θ)在十度到八十度之間。

9.根據權利要求1或2所述的方法，其中，所述組件(11)包括發光裝置而所述凹槽(21)包括一反射表面(20r)。

10.根據權利要求1或2所述的方法，其中，所述組件(11，12)具有一沿著所述施體基板(10)的一表面的小于百微米的組件直徑(Wc)，其中，所述組件直徑(Wc)大于所述組件的厚度(Hc)至少兩倍。

11.根據權利要求1或2所述的方法，其中，在所述目標基板(20)上的組件的一間距(Pt)大于在該施體基板(10)上的組件的一間距(Pd)至少兩倍。