[發明專利]用于樣品的光致發光測量的方法

在審

• 申請號: 201880074469.6
• 申請日: 2018-11-20
• 公開（公告）號: CN111373243A
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發明（設計）人: R·瓦拉奇
• 申請（專利權）人: 法國原子能源和替代能源委員會
• 主分類號: G01N21/64
• 分類號: G01N21/64;G01N21/95;H02S50/15;G01N21/84
• 代理公司: 北京市鑄成律師事務所 11313
• 代理人: 羅婷婷;林蕾

本發明涉及一種用于樣品(10)的光致發光測量的方法，該樣品包括通過輪廓C連接的前表面(11)和后表面(12)，樣品(10)經由該樣品的后表面(12)擱置在活性基板(20)的接納表面(21)上，樣品(10)包括第一區域(13)，該第一區域(13)部分地由輪廓C界定，并且發射任何點處的強度都低于樣品(10)的光致發光信號的平均強度的光致發光信號，該強度被稱為第一強度，該平均強度被稱為參考強度，活性基板(20)發射強度至少等于參考強度的光致發光信號，該強度被稱為輔助強度，活性基板(20)包括邊緣B，該邊緣B與輪廓C分隔重疊距離，并且與所述輪廓C一起界定活性基板(20)的周邊部分(24)。

描述

技術領域

本發明涉及一種光致發光測量方法。特別地，本發明涉及一種用于樣品(特別是光伏電池)的光致發光測量的方法，從而使得能夠明確地檢測出所測試的樣品的邊緣。

現有技術

光致發光測量是探測材料并且尤其是半導體材料的電子和/或光學特性的選擇技術。

實際上，光致發光測量通過激光輻射實施激發材料，以促進所述材料的電子從其基能級(也稱為“平衡態”)到高能級的過渡。

因此，被促進的電子根據輻射復合路徑或非輻射復合路徑返回其平衡態，這取決于所測試的材料的質量。在這方面，本領域技術人員將在說明書末尾引用的文獻[1]中找到對在光致發光測量期間發生的輻射復合模式和非輻射復合模式的研究。

特別地，通常與缺陷的存在或俄歇(Auger)型現象相關聯的非輻射復合以犧牲輻射復合為代價發生。

輻射復合率(隨時間測量的輻射符合率的水平或強度表示光致發光信號)使得能夠表征所測試材料的質量。特別地，光致發光測量使得能夠檢測和/或定位可能存在于所測試的材料中的缺陷。

根據由Trupke等人開發并在說明書末尾所引用的文獻[2]中描述的特定空間分辨光致發光技術，還有可能對所測試的樣品進行光致發光映射，特別是定位所述樣品的缺陷。

在這方面，圖1以灰度級表示硅樣品的光致發光映射，該硅樣品承載在基板上并且包括用非晶硅鈍化的表面。

較亮區比暗區具有更強的輻射復合率。相反，暗區比亮區具有更強的非輻射復合率。因此，亮區是低缺陷密度的特征區，而暗區則指示明顯的缺陷密度。

在暗區中，周邊部分或樣品邊緣特別地引起注意。

實際上，用于制造這種樣品(特別是光伏電池)的過程涉及特別具有侵蝕性的步驟，每個步驟都會導致所述樣品的邊緣退化，隨著時間的流逝，該退化會聚集明顯的缺陷密度。

這種明顯的缺陷聚集導致非常低的光致發光水平，由此無法將樣品邊緣與上面用于承載該樣品的基板進行區分。換句話說，樣品邊緣和基板之間的光致發光強度對比度不足以定位所述邊緣(圖2)。

因此，難以或甚至無法量化用于制造樣品的過程的不同步驟對邊緣退化的相對貢獻。

此外，未檢測到樣品邊緣，特別是未檢測到光伏電池，限制了對所述樣品的電子活性表面或光學活性表面的分析。

因此，本發明的一個目的是提供一種光致發光測量方法，通過該方法可以識別出所測量的樣品的邊緣。

發明公開

本發明的目的通過一種用于樣品的光致發光測量的方法來解決，該樣品包括通過輪廓連接的兩個表面，這兩個表面分別稱為前表面和后表面，該樣品以其后表面承載在基板的容納表面上，該基板被稱為活性基板，

所述樣品包括至少一個第一區域，所述至少一個第一區域部分地由所述輪廓界定，并且發射任何點處的強度都低于所述樣品的光致發光信號的平均強度的光致發光信號，該強度稱為第一強度，所述平均強度稱為參考強度，