[發明專利]用于樣品的光致發光測量的方法

在審

• 申請號: 201880074469.6
• 申請日: 2018-11-20
• 公開（公告）號: CN111373243A
• 公開（公告）日: 2020-07-03
• 發明（設計）人: R·瓦拉奇
• 申請（專利權）人: 法國原子能源和替代能源委員會
• 主分類號: G01N21/64
• 分類號: G01N21/64;G01N21/95;H02S50/15;G01N21/84
• 代理公司: 北京市鑄成律師事務所 11313
• 代理人: 羅婷婷;林蕾

1.一種用于樣品(10)的光致發光測量的方法，所述樣品包括通過輪廓C連接的兩個表面，所述兩個表面分別被稱為前表面(11)和后表面(12)，所述樣品(10)以其后表面(12)承載在基板的容納表面(21)上，所述基板被稱為活性基板(20)，

所述樣品(10)包括至少一個第一區域(13)，所述至少一個第一區域(13)部分地由所述輪廓C界定，并且發射任何點處的強度都低于所述樣品(10)的光致發光信號的平均強度的光致發光信號，該強度被稱為第一強度，所述平均強度被稱為參考強度，

所述活性基板(20)發射強度至少等于所述參考強度的光致發光信號，該強度被稱為輔助強度，所述活性基板(20)還包括邊緣B，所述邊緣B在根據突出距離與所述輪廓C相距一定距離處，并且與所述輪廓C一起界定所述活性基板(20)的周邊部分(24)。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述突出距離至少在所述至少一個第一區域(13)處被進行調整，使得在所述周邊部分(24)和所述第一區域(13)之間的光致發光信號的強度的變化在所述第一區域(13)處展現定位所述樣品(10)的所述輪廓C的奇異性。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述奇異性是所述光致發光信號強度的最小值。

4.根據權利要求1至3之一所述的方法，其中，所述第一區域(13)的缺陷密度高于所述樣品(10)的平均缺陷密度。

5.根據權利要求1至4之一所述的方法，其中，電暈型電荷Cor在所述活性基板(20)的與所述容納表面(21)相對的表面上產生，該表面被稱為第二表面(22)，所述電暈型電荷Cor旨在調整所述輔助強度的水平。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述電暈型電荷Cor由分別面對所述容納表面(21)和所述第二表面(22)設置的陽極(30)和陰極(31)產生。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述陽極(30)包括插在所述樣品(10)和所述活性基板(20)之間的柵格。

8.根據權利要求1至7之一所述的方法，其中，所述活性基板(20)包括覆蓋其容納表面(21)的第一鈍化層(23)，所述第一鈍化層(23)旨在修復所述容納表面(21)上可能存在的缺陷。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，所述第一鈍化層(23)包括由介電材料或氫化非晶硅制成的層，有利地，所述介電材料包括選自以下的下述元素中的至少一種元素：二氧化硅、氮化硅、氧化鋁。

10.根據權利要求1至9之一所述的方法，其中，所述活性基板(20)包括半導體材料，有利地，所述半導體材料包括硅。

11.根據權利要求1至10之一所述的方法，其中，所述樣品(10)還包括至少一個第二區域(14)，所述至少一個第二區域(14)部分地由所述輪廓C界定，并且發射平均起來的強度等于所述參考強度的光致發光信號，該強度被稱為所述第二強度，所述測量方法實現掩蔽裝置(40)，所述掩蔽裝置(40)旨在掩蔽由所述周邊部分(24)的與所述第二區域(14)鄰接的區域(25)所發射的光致發光信號。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，所述掩蔽裝置(40)包括插在所述樣品(10)和所述活性基板(20)之間的中間基板(50)，所述中間基板(50)包括掩蔽區域，所述掩蔽區域覆蓋所述周邊部分(24)的與所述第二區域(14)鄰接的區域(25)。

13.根據權利要求1至10之一所述的方法，其中，所述至少一個第一區域(13)在所述樣品(10)的整個圓周上延伸。

14.根據權利要求1至13之一所述的方法，其中，所述樣品(10)是光伏電池。