[發明專利]三氯硅烷的制造方法

有效

• 申請號: 201880074129.3
• 申請日: 2018-11-16
• 公開（公告）號: CN111629997B
• 公開（公告）日: 2023-03-24
• 發明（設計）人: 弘田賢次;荻原克彌
• 申請（專利權）人: 株式會社德山
• 主分類號: C01B33/107
• 分類號: C01B33/107;B01J8/24
• 代理公司: 北京信諾創成知識產權代理有限公司 11728
• 代理人: 劉金峰

本發明防止固化的氯化鋁在配管中的黏著/堆積及配管的應力腐蝕破裂。本發明為一種三氯硅烷的制造方法，在將從流化床式反應裝置中排出的包含三氯硅烷的廢氣加以冷卻的冷卻工序中，在用以將廢氣從流化床式反應裝置中排出的的配管(10)內，以此配管(10)的側壁(3)的表面(1a)的溫度成為110℃以上的方式，在形成于側壁(3)的內部的空間(4)中流通流體，將廢氣冷卻。

技術領域

本發明涉及一種三氯硅烷的制造方法、以及此制造方法所使用的配管。

背景技術

作為半導體等的材料來使用的多晶硅使用三氯硅烷作為原料。制造三氯硅烷的方法之一可列舉使用流化床式反應裝置的方法。具體而言，通過使用流化床式反應裝置，使金屬硅粉與氯化氫氣體進行反應而生成三氯硅烷。從流化床式反應裝置中，將所生成的包含三氯硅烷的廢氣排出，從該廢氣中回收三氯硅烷，從而制造三氯硅烷。在從流化床式反應裝置中排出的廢氣中，除了三氯硅烷以外，還包含氯化鋁等。

此處，為了從廢氣中回收三氯硅烷，需要將此廢氣冷卻。作為將從流化床式反應裝置中排出的廢氣加以冷卻的方法，例如專利文獻1中公開了如下方法，如圖2的(a)所示，在內空部102中流通廢氣，對配管100的側壁101，從其外側施加冷卻水。具體而言，通過對側壁101施加冷卻水，而使在內空部102中流通的廢氣冷凝，使用壓縮機將冷凝后的廢氣進一步冷凝，借此回收三氯硅烷。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：中國專利申請公開第101279734號說明書。

發明內容

發明所要解決的問題

然而，冷卻水的溫度大幅度低于氯化鋁的升華溫度(約160℃)，因此若通過對配管100的側壁施加冷卻水而將廢氣加以冷卻，則產生廢氣中所含的氯化鋁局部地固化的現象。其結果為，固化的氯化鋁在配管100中黏著/堆積而成為使配管100堵塞的原因。

作為防止所述配管100堵塞，并且將廢氣冷卻的方法，有如下方法，如圖2的(b)所示，對在內空部102中流通有廢氣的配管100的側壁101，從其外側施加高溫水而使此高溫水蒸發，借此將廢氣冷卻。然而存在如下問題：在與高溫水接觸側壁101的表面上，在高溫水蒸發時產生急劇的溫度差，從而在產生此溫度差的配管100的部位產生應力腐蝕破裂。

本發明的一方式是鑒于所述各問題而形成，其目的在于防止固化的氯化鋁的在配管中的黏著/堆積及配管的應力腐蝕破裂。

解決問題的技術手段

為了解決所述問題，本發明的一方式的三氯硅烷的制造方法包含冷卻工序，將從生成所述三氯硅烷的流化床式反應裝置中排出的包含所述三氯硅烷的廢氣加以冷卻；在所述冷卻工序中，通過在用以從所述流化床式反應裝置中排出所述廢氣的配管內，以與流通的廢氣接觸的側壁的表面的溫度成為110℃以上的方式，在形成于所述側壁的內部的空間中流通流體，從而將所述廢氣冷卻。

另外，本發明的一方式的配管是用以將從生成三氯硅烷的流化床式反應裝置中排出的包含所述三氯硅烷的廢氣排出的配管，所述配管的側壁包括：表面與所述廢氣接觸的第一壁、以及配置于較所述第一壁更外側的第二壁，并且在所述第一壁與所述第二壁之間，形成有用以流通流體的空間。

發明的效果

根據本發明的一方式，能夠防止固化的氯化鋁的在配管中的黏著/堆積及配管的應力腐蝕破裂。

附圖說明

圖1是表示用于將廢氣冷卻的配管的概略構造的剖面圖。

圖2是表示廢氣的冷卻方法的概略圖。

具體實施方式

[1.三氯硅烷的制造方法]