[發(fā)明專利]二氧化硅層的制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201880073579.0 | 申請(qǐng)日: | 2018-12-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111344070A | 公開(公告)日: | 2020-06-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳賢澤;申昌訓(xùn);樸光承;樸文洙 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社LG化學(xué) |
| 主分類號(hào): | B05D5/06 | 分類號(hào): | B05D5/06;G02B1/113;C09D5/00;C09D7/40;B05D3/02;B05D7/24;B01J31/02;B01J27/06 |
| 代理公司: | 北京鴻元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11327 | 代理人: | 李靜;張?jiān)浦?/td> |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 二氧化硅 制備 方法 | ||
本申請(qǐng)涉及一種二氧化硅層的制備方法。本申請(qǐng)可以在不使用昂貴設(shè)備的情況下通過低溫下的簡單工藝提供一種能夠容易地形成二氧化硅層的方法,所述二氧化硅層作為具有二氧化硅網(wǎng)絡(luò)作為主要組分的膜,在內(nèi)部形成有孔并且包括折射率等的光學(xué)特性得到適當(dāng)?shù)乜刂啤?/p>
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)要求基于2017年12月22日提交的韓國專利申請(qǐng)No.10-2017-0178519的優(yōu)先權(quán),該專利申請(qǐng)的公開內(nèi)容通過引用全部并入本說明書中。
本申請(qǐng)涉及一種二氧化硅層。
背景技術(shù)
不僅對(duì)于諸如TV、監(jiān)視器或筆記本電腦的傳統(tǒng)產(chǎn)品,而且對(duì)于諸如智能手機(jī)、汽車導(dǎo)航系統(tǒng)或儀表板的移動(dòng)產(chǎn)品等都擴(kuò)大了對(duì)顯示產(chǎn)品的需求。
在制造顯示產(chǎn)品時(shí)要考慮的特性中,有產(chǎn)品表面的反射率。通常,將光學(xué)膜引入到顯示產(chǎn)品的外部,并且該光學(xué)膜表現(xiàn)出約4%的平均反射率。這種反射率使顯示器的可視性下降。
因此,應(yīng)用諸如所謂的AG(防眩光)或AR(防反射)的技術(shù)來調(diào)節(jié)反射率。在上述技術(shù)中,AG技術(shù)不僅影響反射的光,而且影響從顯示器發(fā)射的光,這從可視性的觀點(diǎn)來看不合適。另一方面,AR技術(shù)由于通過沉積工藝等形成的特性而難以增大,并且單價(jià)高。
發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題
本申請(qǐng)涉及一種二氧化硅層的制備方法。本申請(qǐng)旨在提供一種能夠以簡單且有效的方式有效地形成具有期望的物理性能的二氧化硅層的制備方法。
技術(shù)方案
在整個(gè)說明書中,當(dāng)任一構(gòu)件位于另一構(gòu)件之上時(shí),這不僅包括當(dāng)任一構(gòu)件與另一構(gòu)件接觸時(shí),而且包括當(dāng)兩個(gè)構(gòu)件之間存在另一構(gòu)件時(shí)。
在整個(gè)說明書中,除非有相反的具體說明,否則當(dāng)任一部件包含任一組分時(shí),這表示不排除其它組分,而是還可以包含其它組分。
在整個(gè)說明書中,“A和/或B”的描述指“A或B,或者A和B”。
在本說明書中,單位重量份可以指各成分之間的重量比。
在本說明書中提及的物理性能中,除非另外說明,否則當(dāng)測(cè)量的溫度和/或壓力影響物理性能值時(shí),相關(guān)的物理性能指在室溫和/或常壓下測(cè)量的物理性能。
在本申請(qǐng)中,術(shù)語室溫是沒有加熱或冷卻的自然溫度,它可以指,例如,約10℃至約30℃的范圍內(nèi)的任意溫度,或者25℃或23℃左右的溫度。此外,在本申請(qǐng)中,除非另外說明,否則溫度的單位為攝氏度(℃)。
在本申請(qǐng)中,術(shù)語常壓是沒有特別加壓或減壓的自然壓力,通常,它可以為1個(gè)大氣壓左右,如大氣壓力一樣。
在本申請(qǐng)中,除非另外說明,否則術(shù)語烷基、亞烷基或烷氧基可以指具有1至20個(gè)碳原子、1至16個(gè)碳原子、1至12個(gè)碳原子、1至8個(gè)碳原子或1至4個(gè)碳原子的直鏈或支鏈烷基、亞烷基或烷氧基,或可以指具有3至20個(gè)碳原子、3至16個(gè)碳原子、3至12個(gè)碳原子、3至8個(gè)碳原子或3至6個(gè)碳原子的環(huán)狀的烷基、亞烷基或烷氧基。
在本申請(qǐng)中,除非另外說明,否則術(shù)語烯基可以指具有2至20個(gè)碳原子、2至16個(gè)碳原子、2至12個(gè)碳原子、2至8個(gè)碳原子或2至4個(gè)碳原子的直鏈或支鏈烯基,或者可以指具有3至20個(gè)碳原子、3至16個(gè)碳原子、3至12個(gè)碳原子、3至8個(gè)碳原子或1至6個(gè)碳原子的環(huán)狀烯基。
在本申請(qǐng)中,除非另有說明,否則術(shù)語芳基或亞芳基可以指具有6至24個(gè)碳原子、6至18個(gè)碳原子或6至12個(gè)碳原子的芳基或亞芳基,或者可以指苯基或亞苯基。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于株式會(huì)社LG化學(xué),未經(jīng)株式會(huì)社LG化學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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